虚拟通孔对互连温度变化的影响

互连温升越高, 引起的互连温度效应越明显. 通孔具有相对较高的热导率, 可以成为有 效的热传导途径, 极大地降低互连平均温升. 针对通孔这一特性引入虚拟通孔, 建立考虑多虚 拟通孔效应的互连平均温升模型. 所提模型将多通孔效应整合到层间介质的有效热导率中得到 更为精确的结果. 此外根据不同的层间介质材料对多通孔效应进行分析讨论, 并对多通孔效应 进行扩展应用, 得出使互连平均温升最小时的通孔间距与通孔数量. 所提模型应用到集成电路 设计中可以提高电路设计的精确度, 优化电路性能.     

一种基于模糊推理的内插滤波器设计与实现

全数字接收机中已有的拉格朗日立方内插滤波器Farrow结构采用固定的实现系数,在对高效调制信号进行解调时误码率较高.在此基础上,经过大量实验,设计了一种基于模糊推理的内插滤波器,根据分数间隔μ的变化,自动控制滤波器的实现系数.仿真和实验结果表明,改进后的内插滤波器降低了误码率,得到了良好的效果.     

聚磁式光学电流互感器饱和特征的记忆效应补偿研究

为补偿聚磁式光学电流互感器(OCT)的磁滞与磁饱和特性对测量线性度和精度的影响,提出具有记忆效应的非线性滤波器补偿模型.该模型将传统FIR滤波器系数用多项式表达的函数代替,使其同时具有非线性拟合和记忆输出能力.利用实测数据训练使非线性滤波器补偿模型输出与磁滞、磁饱和特性输出成反函数关系,将训练好的模型添加到聚磁式OCT中,实现对聚磁铁芯的非线性和记忆效应补偿.实验结果表明,基于非线性记忆效应补偿的聚磁式OCT在铁芯低饱和状态下仍具有较高的测量精度,采样样本的线性测量区间延伸了4.76倍,均方根误差提高约15 dB,有效地补偿了聚磁式OCT应用中聚磁铁芯的磁滞和磁饱和效应.     

基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.     

多芯片组件布局布线设计的新途径

目的MCM布局布线设计的封装设计库不能满足具体MCM设计的要求,本文针对这一问题进行研究。方法首先对零件库加以扩充,并研究MCM多层布线基板设计等问题,为布局布线做准备。结果采用本文的方法,对检测器电路实例进行了布局布线设计,可以满足具体电路布局布线设计要求。结论本文的方法是多芯片组件布局布线设计的一种可行方法。     

多芯片组件电磁干扰频谱中的两次峰值问题研究

前先采用Thevenin端接方法对多芯片组件(MCM)电路进行阻抗匹配,然后通过建立等效电路仿真模型,研究其电磁干扰频谱中的两次峰值问题.模拟结果表明,第一个峰值频率随负载电容和寄生电容的增大而减小;第二个峰值频率随负载电容和电阻的增大而减小;两个峰值高度分别随负载电容的增大而增大或减小,且当负载阻抗接近传输线特性阻抗时,两个峰值高度均有所下降.仿真结果与MCM 中两种瞬态电流引起的电磁干扰分析结果一致.     

基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,计总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0．8V两级运算放大器和1V 2．4 GHz Gilbert混频器电路,并采用TSMC 0．25 μm 2P5MC MOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。     

一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型

基于Elmore延时模型,提出了一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型,在给定互连参数波动范围条件下,利用该模型可以得到互连延时均值和标准差的解析表达式,与目前国内外互连工艺波动研究中广泛采用的Hspice蒙特卡罗(Monte Carlo)分析方法相比,所提模型在确保计算精度的前提下大大缩短了计算时间,可以应用于VLSI的互连延时分析和优化设计中。     

基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。     

双层多晶FLOTOX E2PROM的阈值电压退化特性

基于FLOTOX E^2PROM结构,分析了影响FLOTOX E^2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关．实验表明,擦／写电压应力周期、脉;中电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOX E^2PROM阈值电压的变化,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX E^2PROM阈值电压退化的主要原因,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少．