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Ru3+离子在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构和自旋哈密顿参量研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用合适的模型和参量,用适于强场低自旋(S=1/2)d5组态的微扰公式计算了4d5离子Ru3+在Y3Al5O12晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g∥, g⊥和超精细结构常数 A∥和A⊥).通过计算,合理地解释了这些自旋哈密顿参量并获得了Ru3+杂质中心在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构. 相似文献