退火温度对纳米ZnO结构和形貌的影响

通过溶胶-凝胶法制备出不同形貌的ZnO纳米结构.详细研究了退火温度对ZnO纳米结构形貌的影响.结果表明退火温度对ZnO纳米结构的形貌有很大的影响.从扫描电镜结果看,900℃可以形成ZnO纳米棒,长度在2～3 gm,直径在200 nm左右.而且还讨论了ZnO纳米结构的生长机制.     

溶胶-凝胶法制备ZnO纳米结构

我们采用溶胶.凝胶法合成了不同形貌的ZnO纳米结构,详细研究了退火温度对ZnO结构和形貌的影响.SEM结果表明在900℃可以合成ZnO纳米棒,退火温度对形貌有影响.ZnO纳米棒的直径为200mm左右,长度可以达到几微米.     

不同热处理过程对CoPt磁性纳米颗粒结构和磁性的影响

通过溶胶-凝胶法制备了L10相CoPt磁性纳米颗粒.结果表明,不同热处理过程对CoPt纳米颗粒的结构和磁性有着明显的影响.磁性测试结果显示,所制备的L10相CoPt纳米颗粒在室温下具有铁磁性.     

Al掺杂LiNi_(1-x)Al_xO_2固溶体的制备及结构研究

通过研究 Li Ni O2 和 α-L i Al O2 的制备条件对结构的影响 ,总结出一种新的制备方法 ,成功地合成出 Al连续固溶的 Li Ni1- x Alx O2 ( x=0～ 1 .0 ) .烧结实验表明 ,在用小量 Al固溶时材料的合成需要在氧气气氛中进行 ,Al掺杂能够抑制结构中锂缺位 ,降低材料形成温度及在合成过程中对氧气的依赖程度 .X射线衍射结果表明 ,所有样品均具有α-Na Fe O2 型单相结构 ,随着 Al固溶量的增加 ,材料的晶胞参数发生变化 ,a轴缩短 ,c/ a比增大 ,晶胞体积 V0减小 ,材料的层状属性更加明显     

La(1-x)NdxNiO3(0≤x≤0.25)的制备及结构研究

采用柠檬酸盐法制备La(1-x)NdxNiO3前驱体样品．利用热分析仪(DTA—TG)对前驱体进行测试，结合X射线衍射(XRD)对不同温度烧结样品结构分析，结果表明，在750℃以上烧结得到了单相的La(1-x)NdxNiO3固溶体材料(0≤x≤0．25)，随着Nd掺杂比例x值的增大，材料的晶格发生变化，a轴收缩，c轴伸长，晶格畸变增大．     

杂质Fe对合金化档SiTi3产物热性能的影响

利用机械合金化方得到新相合金SiTi3，热处理得到两种结构的TiO2.Fe杂质含量对结晶产物的热性能及热处理产物中两种结构的TiO2相对含量影响显著。这是由于内部应力改变造成的，通过高压实验给予证明。     

二元合金Ni-Mo,Ni-Ti形成非晶态浓度范围确定

本文应用Miedema宏观原子模型,结合正规溶液模型,计算了Ni-Mo,Ni-Ti二元合金的非晶态及结晶态的Gibbs自由能,由此确立了这两种合金形成玻璃态的成分范围.     

tructure Al掺杂LiNi1-xAlxO2固溶体的制备及结构研究

通过研究LiNiO₂和α-LiAlO₂的制备条件对结构的影响, 总结出一种新的制备方法, 成功地合成出Al连续固溶的LiNi_1-xAl_xO₂（x=0～1.0）. 烧结实验表明, 在用小量Al固溶时材料 的合成需要在氧气气氛中进行, Al掺杂能够抑制结构中锂缺位, 降低材料形成温度及在合成过程中对氧气的依赖程度. X射线衍射结果表明, 所有样品均具有α-NaFeO₂型单相结构 , 随着Al固 溶量的增加, 材料的晶胞参数发生变化, a轴缩短, c/a比增大, 晶胞体积V_{0减小, 材料的层状属性更加明显.}     

叠加原理不能求解含启动压力梯度渗流方程

由于含启动压力梯度的渗流方程不是齐次方程,使用叠加原理对其进行求解时会引起误差。首先建立含启动 压力梯度的渗流方程,然后基于PEBI 网格进行数值求解,最后将数值计算的试井曲线与基于叠加原理的试井曲线进 行对比。数值求解的计算结果表明：启动压力梯度使得关井后的井底压力很快稳定,并且井底压力不能恢复到原始压 力,同时,关井段的压力导数曲线下掉。基于叠加原理的计算结果表明：启动压力梯度使关井后的井底压力持续上升、 数百天乃至数千天都不能使恢复压力稳定,并且压力导数上翘。这不仅与数值解有很大的差别,而且也与封闭边界压 力导数下掉的趋势相悖。这表明叠加原理不适用来求解含启动压力梯度的渗流方程。     

ZnO纳米棒的CBD法制备及表征

在低温条件下,采用化学溶液沉积法(CBD)生长出ZnO纳米棒.探讨了反应的最佳温度,并在最佳实验条件下成功在光滑的玻璃衬底上制备了近一维ZnO纳米棒阵列.利用差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行结构、形貌和光学性能表征.结果表明:反应的最佳温度为92 ℃,产物为结晶良好的六角结构晶体.PL测试显示紫外发射峰较强,这说明产物的结晶状况很好,另外通过计算紫外峰和缺陷峰的比值,可知其比值可以达到2.21,这说明产物有较好的光致发光性能.