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以siRNA技术对人胃癌细胞(SGC7901)和肝癌细胞(SMMC7721)的FAK表达进行抑制以后,通过MTT、损伤修复、Transwell、流式细胞仪、激光共聚焦和电子显微镜等方法对这些细胞的细胞行为的变化进行了研究。同时,以RT-PCR、Western blot、细胞免疫荧光法检测下调FAK表达对Src、Ras、Apex1、Rgnef的表达的影响。结果发现,FAK基因表达被抑制后两种癌细胞运动能力明显降低,细胞增殖力显著下降,Src、Ras、Apex1、Rgnef的mRNA表达水平以及蛋白质的表达水平也明显被抑制。结果表明,在癌细胞的转移、侵袭等过程中FAK有着非常重要的促进作用,而且FAK可以促进Src、Ras、Apex1、Rgnef的表达,这可能有助于基于复杂信号网络理解FAK在肿瘤发生、发展过程中作用。 相似文献
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为了明确不同秸秆利用方式对作物生长及土壤微生物的影响,采用盆栽试验,研究秸秆直接添加和秸秆生物炭添加对大豆生长状况、根际土壤有机碳及微生物群落功能多样性的影响.结果表明:秸秆生物炭添加(MB和WB)能有效提高大豆盛花期地下生物量.秸秆直接添加(M和W)能显著增加大豆花期根际土壤有机碳的含量,玉米秸秆直接添加处理(M)下的有机碳含量最高,为21.15 mg/g.大豆成熟期,秸秆生物炭添加处理(MB和WB)下土壤有机碳含量较空白处理(CK)显著增加,玉米秸秆添加处理(M)下根际土壤有机碳含量显著高于小麦秸秆添加处理(W).不同秸秆利用方式下大豆根际土壤平均颜色变化率(AWCD)随时间延长而增加,MB和WB处理较M和W处理能显著提高成熟期大豆根际土壤AWCD值.因此,可利用秸秆生物炭添加改善大豆根际土壤微生物活性,提高土壤碳贮量. 相似文献
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用地震式低频振动传感器测量桥梁动挠度 总被引:4,自引:0,他引:4
针对桥梁动挠度信号的特点及其对测试传感器频率特性的要求,分析动挠度的几种测试方法,从而提出采用地震式低频振动传感器测量桥梁动挠度。利用信号恢复技术,对地震式低频振动传感器国频率特性而畸变的输出作补偿处理,并讨论系统存在零点时的恢复技术,及噪声下恢复处理的不适定性。采用约束最小平方卷积反演技术获得在最小平方误差意义下对输入的最优估计,为动挠度信号的拾取提供了十分便捷有效的测试手段。 相似文献
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采用化学共沉淀法制备了的SrMoO_4:Eu~(3+),Tb~(3+)系列荧光粉体.用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(FE-SEM)对荧光粉的结构和形貌进行了表征.研究了样品的光致发光性能,Tb~(3+)到Eu~(3+)的能量传递关系.激发光谱由一个紫外区的宽带峰和可见区的窄带峰构成,可以很好地被紫外LED和蓝光LED激发.通过调整样品的煅烧温度、Eu~(3+)、Tb~(3+)掺杂浓度,可以改变Eu~(3+)、Tb~(3+)的特征发射强度,可以对荧光粉的发光颜色进行调节.经700℃煅烧后SrMoO_4:xEu~(3+),Tb~(3+)荧光粉(x=2.5%,3.5%),在379 nm激发下荧光粉可发射出白光.通过选择合适Eu~(3+)、Tb~(3+)的掺杂浓度、煅烧温度和激发波长可以实现合成白光LED用荧光粉. 相似文献
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随着随着我国国民经济的不断发展,信息技术取得了快速地发展,当信息技术广泛运用到各行各业中来的时候,企业迎来了新的机遇与挑战。在建筑施工企业中,工程施工技术管理水平不断提高,传统的施工管理方式已经不再适应当前建筑企业的发展,充分结合信息技术,已经成为了建筑企业施工技术管理的重要选择。本文主要对此作了几点分析。 相似文献
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21世纪是一个信息时代,信息技术的飞速发展对教育产生了巨大的影响,并给教育带来了深刻的变革。信息技术与课程的整合。是现代信息技术环境下发展新型教育的必然。本文就信息技术教育与小学数学课程在教学内容、教学形式、教学方法和探究性学习等方面进行整合的研究与实践,作一些初步的介绍和探讨。 相似文献
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研究了注意力门控卷积循环神经网络的通用音频标记问题.DCASE 2018挑战任务2的音频样本的数据集过少,容易造成过拟合问题.为了减少过拟合问题,采用数据增强方法,dropout策略.采用可学习的上下文门控模块以帮助选择与音频类最相关的特征.采用时间注意力机制关注音频事件的相关帧并且忽略不相关帧.在DCASE2018任务2的数据集上评估了提出的模型,开发集和测试集的平均准确率(MAP@3得分)分别为96.1%和92.4%,远高于此次竞赛的基线系统的平均准确率. 相似文献
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采用简单的热蒸发方法,以ZnSe粉末合成了较均匀的纤锌矿的纳米带,及少量纳米线.纳米带有统一的宽度100~200 nm,长10~20μm,纳米带的生长遵循气—固的生长机制.纳米线存在立方相和六方相的相互转换,其直径约为30 nm左右.样品的光致发光显示出在2.00 eV较强的深能级发射峰,同时也可以观察到相对较弱的的位于2.66 eV的带边发射峰. 相似文献