二级供应链系统库存策略的系统动力学研究

以系统动力学模型为框架,提出了以预测平均值和预测误差标准差为基础确定订货量的库存控制策略,并以库存服务水平和库存成本为目标,对所提出的库存策略中的政策性参数进行了组合优化.研究结果表明,无论需求的特征如何,对于二级供应链分散库存模式和定期订货系统,本文所提出的以指数平滑预测法为基础的库存控制策略都具有较好的适用性,并可以通过政策性参数的合理组合达到满意的绩效目标.本文所建立的模型和仿真过程具有良好的可理解性和可操作性,因此具有较好的应用前景.     

基于天地图的地理空间信息服务系统设计与实现

本文以中国农产品加工业投资贸易洽谈会地理空间信息服务系统的设计与实现为例,首先简要介绍了天地图平台及其二次开发接口,其次阐述了地理空间信息服务系统的设计与研发,包括系统设计目标和原则、开发环境、总体架构、数据组织以及功能实现。系统的成功研发以及上线运行,为地理空间信息服务在大型展会方面的应用积累了经验。     

不同热解温度及材料来源的生物质炭对水中硝氮的吸附作用研究

采用批次实验方法研究了热解温度和生物质材料来源对制备的生物质炭吸附水体中硝氮吸附特征的影响。结果表明,准一级动力学方程对生物质炭吸附硝氮的动力学过程的拟合效果最好;生物质炭吸附硝氮的热力学过程符合线性分配方程。生物质炭对硝氮的吸附机制以物理吸附为主,多种吸附机制为辅,且各生物质炭对硝氮均具有很好的吸附能力;虽然热解温度和材料来源对吸附速率和吸附能力具有一定的影响,但是并不改变其吸附机制。热解温度越高,生物质炭对硝氮的吸附越易发生而且吸附量越大;不同原材料制备的生物质炭中,玉米秸秆炭对硝氮的吸附量最大,其次为树枝炭。     

一种基于神经网络的脆弱水印嵌入技术

提出一种基于神经网络模型的脆弱水印嵌入算法。脆弱水印提取不需要原始图像。实验结果表明,算法除可以鉴别图像是否被篡改外,还可以报告图像在空间域中被篡改的位置。     

就地破碎浸矿法的矿块结构参数的确定原则及特点

考虑到就地破碎溶浸采矿法的前半部分的工艺过程和矿块结构参数与传统的采矿方法 (如留矿采矿法 )有相似之处 ,同时考虑到从事这个采矿方法研究、设计和生产的不少技术人员比较熟悉传统采矿法 ,允许本文运用两类方法对比 ,讨论就地破碎溶浸采矿法的优点及矿块结构参数的影响因素、确定原则及与传统方法的不同点 ,同时重点阐述了这个新采矿法的三个结构参数特点即矿块的封闭性、淋浸系统的覆盖性及集液系统的完整性     

单片机工业控制系统的设计与实现

本文根据教学和实践简要叙述了单片机工业控制系统设计与实现的一般步骤及常用工具。对广大初学单片机应用系统设计人员具有直接帮助,对从事单片机应用系统工作者亦具有参考价值。     

面向隐含语义文本的WEB数据挖掘研究

针对目前Web挖掘的传统算法执行效率低、挖掘结果相关度低的缺陷,从Web挖掘的内容方面入手,在分析基于Web语义化文本数据挖掘关联规则结构的基础上,改进传统的Apriori算法,提出面向语义化的隐含文本数据挖掘算法,仿真结果表明改进后的算法具有较高的执行效率及较好的挖掘相关度,对于面向文本的Web挖掘算法研究具有一定的借鉴意义。     

Ti4+的掺入对Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+陷阱分布和余辉性能的影响

用高温固相法制备了不同Ti4+掺杂量的红色长余辉材料Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+,其X射线衍射分析、发射光谱和激发光谱均不受Ti4+掺杂量改变的影响.测量了Ti4+掺杂量不同的样品的热释光谱,随着Ti4+掺杂量的增加,热释光的峰值强度先增强后减弱,有了很大的变化;用PeakFit软件以一般阶动力学模型对Ti与Y2O2S的物质的量比分别为0.5%,2.5%和8.0%的样品进行了热释光曲线拟合,得出了它的单峰曲线并计算了与其对应的陷阱参数.陷阱分布表明:当Ti掺杂量为2.5%时,有利于合适深度陷阱的大量形成,从而使材料的发光和余辉性能得到了很大的提高.     

晶体结构对(Zn,Cd)S:Cu电致发光材料发光性能的影响

采用X射线衍射法定量测定了不同Cd2+含量下,(Zn,Cd)S:Cu,Cl电致发光粉的晶体结构成分.发现随着Cd2+的增加,材料中立方结构的含量逐渐减少,发光光谱向长波方向移动,而且亮度逐渐降低.利用相变使材料结构由六角结构向立方结构转变,大幅度提高了材料的发光亮度.     

利用背面Ar+轰击改善n-MOSFET饱和区特性

用550eV的低能量Ar^ 离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率)以及低频噪声等．结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后减小,阂值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小．实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。