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21.
锗的区域熔炼   总被引:1,自引:0,他引:1  
文中概述了区域熔炼方法获取高纯度锗的基本过程。进行了试验,取得了滿意的结果,讨论了有关的一些问題。  相似文献   
22.
SiH4同步外延对SIT电学参数的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   
23.
场感应器件的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
24.
铂-硅系复合电极的界面反应及电特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对Al-Ti-Pt-Si、Al-Mo-Pt-Si、Al-Ti-Si等电极系统薄膜间的相互扩散和反应,利用电子能谱分析、扫描电镜、电学等方法进行了全面研究,并对相应的作用机制也进行了讨论.  相似文献   
25.
本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理.  相似文献   
26.
继钆(Gd)之后,作者们发现,Pd是又一种具有特殊界面效应的金属杂质。与金(Au)、钆(Gd)类似,掺Pd后同样能引起MOS高频和准静态 C—V曲线同时沿正压方向平移。显示了Pd引入了负电荷或使原有界面正电荷减少。氧气氛下进行的不同温度退火处理的结果如图1,看出,随着温度的升高Pd电荷Qpd/q慢慢增大,约在1100℃  相似文献   
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