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锗的区域熔炼 总被引:1,自引:0,他引:1
李思渊 《兰州大学学报(自然科学版)》1962,(1)
文中概述了区域熔炼方法获取高纯度锗的基本过程。进行了试验,取得了滿意的结果,讨论了有关的一些问題。 相似文献
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本文给出了Al-Ti/W-PtSi-Si、Al-Ti/W-Si等多层结构电学性能,特别是欧姆接触与抗电迁移性的研究结果.包括电子能谱分析,扫描电镜观测表面形貌,电迁移激活能的确定以及在场感应晶体管和集成电路中的应用效果等.还讨论了相关的作用机理. 相似文献
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继钆(Gd)之后,作者们发现,Pd是又一种具有特殊界面效应的金属杂质。与金(Au)、钆(Gd)类似,掺Pd后同样能引起MOS高频和准静态 C—V曲线同时沿正压方向平移。显示了Pd引入了负电荷或使原有界面正电荷减少。氧气氛下进行的不同温度退火处理的结果如图1,看出,随着温度的升高Pd电荷Qpd/q慢慢增大,约在1100℃ 相似文献