阳极氧化铝钝化工艺的进一步研究

文中叙述了铝阳极氧化的反应机理,实验过程和影响氧化的主要工艺因素。还讨论了本技术对集成电路和半导体器件的追肿性。     

GaP绿色发光材料的电子能谱分析

本定时n型GaP单晶及掺氦P型外延层,进行了电子能谱分析,给出了材料的组分结构状态、化学位移,并讨论了材料质量的有关问题。     

静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析

首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ⅰ－Ⅴ特性给出了物理考察和解释,然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上,用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势,得到了马鞍状的势分布,而而研究了沟道势垒随偏压的变化。     

多孔NiTi记忆合金的制备与微观分析

为了提高NiTi形状记忆合金的生物活性，采用自蔓延方法成功合成了NiTi多孔合金．研究了不同Ni，Ti原子配比下合成的NiTi合金的相成分，以及预热温度对合成的NiTi合金相和孔隙度的影响，研究表明预热400℃时产物为单一的B2相，且孔隙度达到46％．     

PECVD 氮化硅薄膜的淀积与刻蚀

随着微细加工的研究,近年来等离子技术已发展成为大规模和超大规模集成电路(LSI 和 VLSI)工艺的重要组成部分。PECVD 等离子增强淀积 Si~3N~4除具有 APCVD 和LPCVD 的优点外,等离子激活所需的低温度范围与电极使用的 Al、Au 等金属化相容,则是 PECVD 法的突出优点。等离子刻蚀具有高分辨率和各向异性。等离子刻蚀 Si~3N~4膜,比起常规的热磷酸湿法刻蚀可以容易地达到 VLSI 工艺规范要求。其线度为微米级     

金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用

本文讨论了SiO_2——Si体系中各种结构缺陷的起因与特征,并详细地分析了金与SiO_2——Si界面不规则中心的互作用机理。在给出金界面效应的唯象模型的基础上予言了硅片表面质量控制及消除界西局域态的新途径。     

20年来对静电感应器件（SID）的开拓性研究

全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ＳＩＤ）的开拓性研究成果，包括ＳＩＤ基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究，ＳＩＤ产品的研制以及ＳＩＤ的应用研究等多方面的成果。     

静电感应晶体管(SIT)电性能的控制

静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I－V特性，是个关键而且困难的问题．本文给出了上述参数控制的一般原则、方法，还给出了控制的判据，引人了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论．由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率，它更为适于低阻负载直接驱动电路．     

BSIT开启特性的研究

双极型静电感应晶体管以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注，但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究。在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟。