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31.
针对离合器接合过程中,压盘滑摩温度过高发生的烧蚀、热变形现象,利用abaqus仿真软件建立了三维有限元分析模型,结合压盘的实际工作状况采用直接耦合法进行热结构耦合仿真。得到了压盘的温度场与应力场,并研究了滑摩转速、压力和压盘厚度对压盘温度场及应力场的影响,同时针对翘曲变形,通过在滑摩面增加内锥度对压盘结构进行了优化。结果表明:高转速差会增大压盘滑摩温度与应力,压盘摩擦接触区域向内径移动,翘曲变形更加严重;压力的增大同样会增大滑摩温度与应力,但对摩擦接触的影响较小;压盘厚度增大能增加压盘的热容量,同时也会使温度与应力更加集中;增加压盘内锥度能显著改善压盘滑摩面的温度与应力分布,最高值分别下降了11.8%、5.4%,摩擦副有效接触面积增加,提高了离合器的工作性能与稳定性。  相似文献   
32.
为了研究低屈服点钢材LYP225的循环本构关系,对18个试件进行单调加载和循环加载,研究其单调曲线、滞回特点、破坏形态等.基于Ramberg-Osgood模型拟合了对称逐级加载下的循环骨架曲线,通过试验滞回数据标定了基于Chaboche模型的等向强化和随动强化参数,并将其输入到Abaqus软件的混合强化模型中,对强化参数的准确性进行验证.结果表明:LYP225钢材的应力-应变关系与加载历史相关;在不同加载制度下LYP225钢材均表现出良好的延性特征;采用Ramberg-Osgood模型能较好地模拟LYP225钢材在循环对称逐级加载下的骨架曲线;将标定的混合强化参数输入到Abaqus软件中,所得结果能准确模拟LYP225钢材的滞回曲线.因此,LYP225钢材在循环荷载下的性能不同于单调荷载,通过试验数据拟合的强化参数可用于整体结构中的地震反应分析.  相似文献   
33.
从理论方面探讨现阶段体育健身消费市场发展的有利条件,借鉴各国政府为了提振经济,刺激消费市场加强购买力向市民发放消费券的形式,作者提出由政府推广体育健身娱乐消费券来刺激体育健身娱乐消费市场,从而为提振体育健身娱乐消费市场提供坚实的物质基础.  相似文献   
34.
针对CAS精炼过程中罩外有大量气泡溢出的问题,在相似性原理的基础上建立了CAS钢包的水模型.研究了CAS精炼过程中底吹气量、浸渍罩插入深度和不同底吹位置对钢包混匀时间的影响.实验发现:浸渍罩的中心与底吹气孔的中心同轴时,能有效地防止罩外气泡溢出.对于300t钢包,底吹方案优化后,底吹位置选在距钢包中心0.3r一0.4r(r为钢包底部半径),精炼时底吹气量为600L·min-1,排渣时底吹气量选在500L·min“左右,浸渍罩浸入深度选为180~225mm.工业试验表明,优化后的底吹方案有效地解决了罩外气泡溢出的问题,并且提高了LCAK钢液的洁净度和可浇注性.  相似文献   
35.
探讨父母教养方式与高中生自尊的关系。方法:采用自尊量表(SES)和父母教养方式量表(EMBU)对156名高中一、二、三年级的学生进行测试。结果:(1)自尊在独生与否上差异不显著,在性别上男生得分显著高于女生,在年级上高三学生得分显著高于高一,高二学生;(2)不同性别,不同年级,独生与否所感受到的父母教养方式存在差异;(3)高中生的自尊与其感受到的父母的情感温暖、理解呈非常显著的正相关,而与母亲的惩罚严厉因子呈显著的负相关。结论:父母教养方式对高中生自尊水平有一定的影响。  相似文献   
36.
现代研究表明,物理解题过程包含高层次的元认知过程.代表思维深层结构的元认知,它的差异是形成物理解题能力差异的根本原因,它对解决物理问题起着关键的作用.文章在波利亚、梅森、舍费尔德对解题的研究基础上提出应从认知科学的高度元认知来分析,帮助学生物理解题能力的提高.  相似文献   
37.
燃速低温感的高能硝胺发射药研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用差示扫描量热法和密闭爆发器测试方法对含有NX燃速改良剂的高能硝胺发射药的热分解和燃烧性能及燃速温度系数进行研究。研究结果表明,NX燃速改良剂对改善硝胺发射药的燃烧性能和降低燃速温度系数有很好的效果。  相似文献   
38.
多电平矩阵变换器(MMC)是在多电平逆变器和传统矩阵变换器(CMC)的基础上发展的一种新颖电力电子变换器.笔者介绍其拓扑电路,采用基于空间矢量调制策略,以电容电压、输入侧电流和输出侧电流为状态变量,建立了由供给电源、输入电感、多电平矩阵变换器和阻感性负载组成的系统的状态平均模型,为设计其控制器及深入研究提供参考.  相似文献   
39.
曹书朝  向俊 《科学》2000,(7):70-70
一个虚拟现实控制塔可用以帮助试验新跑道的设计和交通模型  相似文献   
40.
用分子计算     
计算机的速度能够达到多快?功能可以有多强大?可不可能有这么一天,人们创造出的人工“大脑”的智力与人类大脑相当——甚至优于人类?这些问题的答案在很大程度上以一个因素为基础,而这个因素就是:我们能够制得多小尺寸的计算机电路,以及能达到多大的集成密度。  相似文献   
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