排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 93 毫秒
31.
运用均匀磁化理论,对磁鼓环状弧形磁极进行数值分析,给出了磁鼓磁层厚度、鼓体大小对空间磁场大小影响的数值结论,认为理想的磁层厚度为Δr=1.6λ.对于相同磁极数和相同磁层厚度的磁鼓,增大磁鼓的半径会提高磁鼓外部场强,这种提高与半径的增大几乎是同步的.设计了不同分辨率情况下的多极磁鼓.理论分析结果与实验结果符合较好 相似文献
32.
基于静磁场理论,建立了磁编码器多极磁鼓的表露场分布均匀磁化模型,得到了磁编码器多极磁鼓的表露场分布表达式,为多极磁鼓的参数优化设计提供了理论依据. 相似文献
33.
[FePt/Ag]n多层颗粒膜的磁学性能及微观结构 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法制备了一系列[FePt/Ag]n多层颗粒膜,经过退火处理,用原子力磁力显微镜和振动样品磁强计研究了其微观结构及磁学性能.研究结果表明:在FePt薄膜中加入适当含量的Ag有利于FePt在较低退火温度下发生有序化相变,但在FePt有序化相变完成之后,颗粒膜中的Ag原子的扩散阻碍薄膜矫顽力的进一步提高;[FePt/Ag]n颗粒膜的晶粒及其岛状磁畴的大小随着退火温度的升高而增大;溅射成膜过程中适当的基片加温有利于降低[FePt/Ag]n颗粒膜的后续退火处理温度. 相似文献
34.
用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中. 相似文献
35.
讨论磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布,导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式。由此模拟出局域瞬态温度场,在理论上确定了TbFeCo记录材料的成畴大小和形状。这对磁光薄膜宽温化、表面温度特性和磁光记录畴表面形貌分析等具有重要的实际意义。 相似文献
36.
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Nd(Tb,Dy)Co/Cr薄膜.X射线衍射仪分析结果表明溅射制得的Nd(Tb,Dy)Co薄膜为非晶结构.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示NdTbCo薄膜垂直膜面方向矫顽力与剩磁矩形比分别达到308.8kA/m和0.732,而平行膜面方向矫顽力与剩磁矩形比分别仅为22.3kA/m和0.173,这表明NdTbCo薄膜具有垂直磁各向异性.随着Nd掺杂量的增加,Nd(Tb,Dy)Co薄膜的矫顽力逐渐降低,克尔旋转角与反射率则逐渐升高.(NdxTb1-x)31Co69的克尔旋转角和反射率分别从x=0的0.2720°,0.2616,上升到x=0.338的0.3258°,0.3320.(NdxDy1-x)33Co67的克尔旋转角和反射率分别从x=0.210的0.2761°,0.3054,上升到了x=0.321的0.3231°,0.3974.Nd掺杂量对克尔旋转角的影响可用Nd(Tb,Dy)Co的亚铁磁结构进行解释. 相似文献
37.
研究了Mn基铁氧体的阻温特性,讨论了过铁含量、Ti~(4+)离子及工艺对Mn基铁氧体电阻率ρ和材料参数B的影响.通过改变铁离子氧化状态、掺杂及淬火工艺、改变Mn基铁氧体的整体电阻率ρ和材料参数B. 相似文献
38.
本文采用射频磁控溅射方法制备了DyFeCo非晶磁光薄膜,研究了氩气压,溅射功率对DyFeCo薄膜性能的影响,实验表明:反射率随氩气压升高而降低,矫顽力随氩气压升高而逐渐增大,达到一定值时克尔回线反向,随后矫顽力又逐渐减少,高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好,但氩气压进一步升高,磁光克尔回线矩形度变差,本征磁光克尔角随氩气压升高而增大,到达最大值后又逐渐减少。反射率随溅射功率增加而升高,到达最大值后又逐渐下降,矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大,到达最大值后,磁光克尔回线反向,然后矫顽力又逐渐减小。为了满足高信噪比,记录信息稳定的磁光记录要求,氩气压选为3.5—5.5Torr、溅射功率选为300W—350W较佳。 相似文献
39.
在不同的温度下烧结制备 Ni O靶 ,用射频磁控溅射法淀积 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜 ,研究了不同的温度烧结 Ni O靶对 Ni O/ Ni Fe双层膜特性的影响 ,结果表明 ,使用不同的烧结温度制备的 Ni O靶溅射所得的 Ni O膜中 Ni的化学价态及其含量不同 ,进而影响 Ni O/ Ni81 Fe1 9双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用 相似文献
40.
本文用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了用双源共蒸发法制备的SmCo磁性薄膜的显微结构特征及其与成分和温度的关系,讨论了非晶态SmCo磁性薄膜的形成过程及其显微结构对薄膜磁光特性的影响. 相似文献