掺入轻稀土元素对薄膜的磁光克尔效应的增强

从磁光克尔效应的宏观唯象理论和量子理论出发分析了轻稀土元素对磁光克尔效应的增强机理；研究了轻稀土元素ＬＲＥ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ）掺入后（ＬＲＥ，ＨＲＥ）－ＴＭ薄膜的稀上成分比和溅射时基片负偏压对薄膜磁光克尔角的影响，研究结果表明，轻稀土元素的掺入能使ＨＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的磁光克尔效应得到明显的增强。     

Bloch线链传输特性的计算机模拟

本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动非线性耦合微分方程组,讨论了二维含Bloch线链畴壁的边界条件和初始条件,用计算机模拟了VBL势阱对畴壁运动的影响及VBL传输特性.     

Sm-Co非晶垂直磁化膜的光磁记录特性

本文详细地讨论了Sm-Co非晶垂直磁化膜的光磁记录特性.用激光束(λ=6328(?))测定了极向克尔效应磁滞回线、克尔旋转角(θ_K=0.18°～0.27°)及矫顽磁力H_(c⊥)随温度的变化关系.实验结果表明,此材料可用于光磁记录.     

Ti∶LiNbO_3声光TE－TM模式转换器的制作

报道了可用于声光可调窄带滤光器的Ｔｉ∶ＬｉＮｂＯ３单模条形波导结构的声光可调ＴＥ－ＴＭ模式转换器研制的初步结果，此模式转换器在１．５μｍ波段的带宽约６ｎｍ，在１．５５μｍ得到７０％的转换率，观察到了中心波长随驱动ＲＦ源频率变化的相应变化     

磁编码器多极磁鼓表露场分布研究

基于磁编码器多极磁鼓表露场分布的均匀磁化理论模型,采用数值分析方法计算磁编码器多极磁鼓的表露场分布,得到了多极磁鼓的表露场分布的数值表达式．     

SmCo（Al,Si）／Cr硬磁薄膜的结构与性能

在优化后的磁控浅射和退火条件下,制备SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质及硬磁薄膜,实验结果表明,Sm摩尔分数为31．6％,Cr缓冲层为66nm,Sm(Co,Al,Si)5磁性层为30nm时,制得的Sm(Co,Al,Si)5/Cr薄膜的桥顽力Hc为187．8kA/m,剩磁比S＝Mr/Ms≈0．94;在500℃保温25min退火后,矫顽力Hc达1042．5kA/m,剩磁比S≈0．92,从而制成了较理想的硬磁薄膜。     

光磁混合存储是当前超高密度存储技术的研究方向

2004年国际磁光存储会议（Magneto—Optical Recording International Symposium 2004）于2004年5月16～19日在日本横滨市召开。会议研讨内容包含磁光存储理论、记录介质、器件、测试、系统及其应用，重点研讨了今后发展及实现超高密度存储的研究方向。出席会议代表来自世界各地的大学、研究所及公司。     

DyFeCo磁光薄膜的溅射工艺研究

采用射频磁控溅射方法制备了ＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压、溅射功率对ＤｙＦｅＣｏ薄膜性能的影响．实验表明：反射率随氩气压升高而降低，矫顽力随氩气压升高而逐渐增大，达到一定值时克尔回线反向，随后矫顽力又逐渐减小，高气压下的矫顽力温度特性较低气压下的矫顽力温度特性要好，但氩气压进一步升高，磁光克尔回线矩形度变差．本征磁光克尔角随氩气压升高而增大，到达最大值后又逐渐减小．反射率随溅射功率增加而升高，到达最大值后又逐渐下降．矫顽力随溅射功率增加而逐渐增大，到达最大值后，磁光克尔回线反向，然后矫顽力又逐渐减小     

Sm-Co非晶垂直磁化膜厚度的椭圆偏振法测量

本文叙述了用椭圆偏振法测定Sm-Co非晶垂直磁化膜厚度的列线图法和搜索法,并对该膜样品进行了测量,结果表明这两种方法是简便可行的。     

CoCrPt/CrTi玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能

采用射频磁控溅射方法制备了CoCrPt／CrTi玻璃盘基高密度硬盘薄膜记录介质，讨论并分析了溅射气体的气压、基片温度、底层和磁性层组分对高密度硬盘记录介质性能的影响，给出了介质的底层、磁记录层的最佳组分和溅射中最佳工艺参数范围．其最佳组分、结构与工艺参数为：Co68Cr17Pt15／Cr85Ti15双层膜结构，氩气压为0．56-0．60Pa，在550℃纯N2保护下保温1h后在炉内自然冷却至室温．实验结果表明采用优化工艺条件，并经过退火处理后可以得到适于巨磁电阻磁头读写的高密度硬盘记录介质．