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51.
论应用多基因转化策略综合改良生物体遗传性研究方向的前景Ⅱ.多基因转化策略中的规律、前景和问题 总被引:8,自引:0,他引:8
随着后基因组时代的到来,人类将克隆到越来越多的、生物学意义明确的有用基因应用于基因工程对生物体的遗传改良中.但生物体的绝大多数性状和生理功能都是依靠多基因的协调表达而实现的.因此,多基因转化策略必将成为今后基因工程在基础理论与实际应用研究中的主流方向.综述了近年来中山大学生物工程研究中心∥基因工程教育部重点实验室在多基因改良农作物方面的研究工作和进展,分析了多基因转化中的基本规律和存在的问题,最后对多基因转化策略在未来的应用前景作出了简要的展望. 相似文献
52.
运用相对论有效原子实模型RECP和B3LYP方法计算了UH和UH2的结构. 并在此基础上, 利用多体项展式理论方法, 导出三原子分子UH2的解析势能函数. 根据UH2势能函数, 采用准经典的Monte-Carlo轨线法研究了U+H2体系的碰撞过程. 依据反应截面与能量之间的关系, 指出U+H2(v = j = 0)是无阈能反应, 主要生成UH2, 而反应H+UH(v = j = 0)生成UH2的反应截面相对来说要小得多, 可以忽略. 如此证明铀与氢气反应生成UH3的中间产物是UH2, 而不是UH. 这些结果为金属铀的抗氢化腐蚀研究提供了理论基础. 相似文献
53.
LaNi5合金氚老化效应的微观机理 总被引:1,自引:0,他引:1
应用密度泛函方法对LaNi5H6双胞及四面体间隙、八面体间隙和十二面体间隙位置的氢用氦来代替的双胞La2Ni10H11He进行了结构优化和能量计算. 对优化后的晶体结构、能带结构、电子态密度(DOS)分布和XRD的进行了分析, 计算了LaNi5中不同间隙位置的氦、氚形成能, 得到氚衰变产生的3He一般处在八面体和十二面体间隙位置并优先从四面体间隙位置向十二面体间隙位置聚集, 氦的存在使晶格膨胀和电子态密度(DOS)分布发生变化导致了氚老化过程中P-C-T曲线的坪台压降低、斜坪增大, 氦周围的深势阱是形成氚尾的主要原因 之一. 相似文献
54.
某高架仓库火灾危险性评估 总被引:3,自引:0,他引:3
利用性能化防火设计的方法对某高架仓库的消防安全措施进行评估.其中,火灾发展和烟气运动采用CFD的方法进行模拟计算,发现仓库内的烟气运动存在着明显的反壁面射流现象,烟气层高度并不是随时间的增加而单调降低的,而是先达到一个最低点(4m),然后烟气高度又上升,到达一个高点(6m)后烟气层的高度又随着时间的增加而逐步降低.人员疏散时间采用Togawa经验公式进行定量计算.研究结果表明在消防设施正常启动的情况下,仓库现有的消防安全设计可以保障人员在发生火灾时安全逃生. 相似文献
55.
宁夏固原市原州区水资源可持续利用的问题与对策 总被引:1,自引:0,他引:1
水资源是影响21世纪中国社会经济持续发展的重要因素.对于宁夏固原市原州区来说,水资源能否可持续开发与利用,直接关系到原州区的区域经济建设和国土自然环境的稳定.依据可持续发展的思想,分析了影响原州区水资源可持续开发利用的突出问题,并提出了相应的对策和措施. 相似文献
56.
讨论了Hardy空间H^2(Ⅱ)上的Toeplitz算子Tφ的亚正规性质。Toeplitz算子Tφ的亚正规性质完全由符号函数φ所确定。文章在Toeplitz算子Tφ的亚正规性的一个等价命题(性质1)的基础上,进一步给出了Toeplitz算子Tφ的亚正规性的一个关于符号函数系数的判别法。即Toeplitz算子Tφ的亚正规性等价于一个关于符号函数φ系数的实对称矩阵的半正定性。 相似文献
57.
证明了与测试屏幕上B点和C点相对应的灯丝上的起亮点为完全聚焦点,指出了在仅考虑完全聚焦效应的前提下,不在焦点的灯丝上的点光源所发出的光线,经过旋转抛物面的反射,于测试屏幕上相应地形成由两条曲线所组成的桃形入射轨线。分析结果还表明,以组成桃形入射轨线的两条曲线为中心,在测试屏幕上分别形成两条距离很近的亮带。利用此结论,可以知道,随着灯丝的变长,亮带不断外推,从而在测试屏幕上形成连续的亮区,这比较清楚地解释了测试屏幕上桃形亮区的形成机理。 相似文献
58.
通过求偏导技术将反分析的参数误差分别表示为模型误差与测量误差的函数,利用这些函数研究了模型误差与测量误差在力学参数反分析神经网络方法中的传递过程以及影响反分析结果的影响因素.研究结果说明:输入变量的选择严重影响力学参数反分析的精度,选取力学参数灵敏度大的测点位移作为神经网络的输入变量,可以减小模型误差与测量误差对反分析结果的影响.这对提高力学参数反分析的实用性与可信性有重要意义. 相似文献
59.
为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40~ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用 相似文献
60.
Although widely used, both the Markowitz model and VAR (Value at Risk) model have some limitations in evaluating the risk and return of stock investment. By the analysis of the conceptions of risk and return, together with the three hypotheses of technological analysis, a novelty model of metering and evaluating the risk and return of stock investment is established. The major indicator of this model , risk-return ratio K, combines the characteristic indicators of risk and return. Regardless of the form of the risk-return probability density functions, this indicator K can always reflect the risk-return performances of the invested stocks clearly and accurately. How to use the model to make optimum investment and how to make portfolio combined with clustering analysis is also explained. 相似文献