半导体材料特性和参数研究

提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格（Gex-Si,InxGa1-xAs/GaAs)光伏效应的机理,测量了不同温度下的光伏谱,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰。计算了导带和价带子带的位置和带宽,根据宇称守恒确定光路迁选择定则,对路迁峰进行指认。研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化,讨论谱峰展宽机制中的声子关联,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响。测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱,推导了有关计算公式,计算得出电学参数（L、n0 、μ、S、W）、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分;分析了电学参数的温度关系;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级关系,计算了深能级浓度和参数。在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅（SnO2/PS/Si)和二氧化锡/硅（SnO2/Si),测量了它们的光伏谱,分析表明它们存在着异质结。当样品吸附还原性气体（H2、CO、液化石油气）时,光电压有明显变化,因此可做为一种新的敏感元件。分析了它们的吸附机理,计算了有关参数。     

Ga／As／Al／As超晶格低温光伏特性

在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。     

电磁力与牛顿第三定律

通过对电磁力及牛顿第三定律的研究表明：两电荷之间的相互作用力并非作用力和反作用力，不属于牛顿第三定律的应用范畴，不能依此来判断牛顿第三定律是否成立，但是包括整个电磁场在内的封闭系统的动量依然是守恒的，这就间接地证明了涉及电磁力时牛顿第三定律仍然成立。     

差分特征融合改进的动态手势识别分类网络模型

通过卷积神经网络和长短期记忆网络进行多模型结合,实现动态手势识别分类建模,并使用数据增强算法增加数据的多样性,通过差分特征融合改进网络。7种动态手势动作识别分类的实验结果显示,使用数据增强算法增加数据的多样性后,结合模型的识别率最佳可提升286%;通过差分算法改进网络,序列间差分特征融合模型识别率达到8381%,维度差分特征融合模型识别率达到8762%。表明多模型结合可解决单一模型的局限性,处理更加复杂的动态手势分类问题,两种不同形式的差分特征融合改进都可提升动态手势动作的识别率,从而验证了所设计的差分特征融合改进的动态手势识别分类网络模型的有效性和可行性。     

AlGaAs/GaAs多量子阱表面光伏的真空特性

测量AlGaAs/GaAs多量子阱在不同真空度中的表面光伏谱,研究半导体量子阱表面态的真空敏感机理.半导体量子阱表面光伏与真空度有关,主要是由于表面吸附的氧原子的作用.     

微电子技术的进展与展望

讨论分析了近几年国内外硅微电子和GaAs微电子生产与技术的进展，并对未来微电子的发展进行了展望。     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

通信电源变换器轻重负载切换效率优化

针对轻重负载直流电转直流电（direct current direct current，DC DC）的转换效率不高，传统LLC电路控制方式无法满足5G通信电源能耗要求这一问题，采用LLC最佳谐振频率段临界值触发母线电压调压的控制策略，提高通信电源在轻重负载切换的工作效率，优化DC DC变换器。该方法主要利用LLC谐振频率对母线电压进行调制，降低因负载变化而导致LLC电路失去副边二极管的零电流关断（zero current shutdown，ZCS）。Matlab仿真实验结果表明，该方法能把LLC电路的开关频率稳定在最佳工作点附近，并能够保持副边二极管的ZCS，使其在全负载范围内的效率提升了41%。