纳米粉Ba1-xSrxTiO3的合成

根据液相反应胶粒析出机理及实验原理，制备了Ba1-xSrxTiO3的前驱体(Ti(OH)4、SrCO3,BaCO3),然后经过焙烧，在较低温度(450℃)时是碳酸钡锶和二氧化钛分子状态的混合纳米晶，继续焙烧(900℃)成为发育完整的Ba1-xSrxTiO3纳米粉体，经TEM和XRD表征，平均粒径为100m，粒径分布较窄，分散性良好，XRD表明此纳米粉体为钛酸钡锶Ba1-xSrxTiO3。     

斜带石斑鱼人工育苗技术的初步研究

从广东引进斜带石斑鱼受精卵1.5kg(约2.2×106粒),孵出仔鱼约1.8×106尾,在水温25.0～28.8℃、盐度25.6～28.4、溶解氧5.7～7.3mg/L的条件下,使用海水小球藻、牡蛎受精卵和担轮幼虫、轮虫、卤虫无节幼体、蒙古裸腹溞、不同规格的微颗粒配合饲料和鱼糜进行饲喂,经72 d培育出平均全长44.1mm的幼鱼约3.05×104尾,育苗成活率达1.7%.     

用遗传算法求解多目标0/1背包问题

扼要介绍多目标优化的Pareto最优性概念 ,研究搜索多目标 0 1背包问题Pareto最优解集的快速遗传算法 (FPGA :fastParetogeneticalgorithms) .FPGA采用种群中非支配解的层次评价可行解的适应值 ,提出了一种快速非支配解层次辨识算法 ,辨识算法仅有O(n2 )数量级的计算复杂性 ;采用基于聚类概率排挤的小生态技术维持种群多样度和Pareto最优解集的分布均匀性。对多种多目标 0 1背包问题的仿真优化实验结果表明 ,FPGA能够以有效的计算成本搜索到精度高的、分布均匀的高质量Pareto非劣解集 ,其收敛速度和收敛准确性一致地优于代表性的强度Pareto进化算法 (SPEA) .     

阻火器壳体结构与爆轰火焰状态关系研究

针对大型煤矿瓦斯运输管道甲烷爆轰过程中火焰压力波和速度与阻火器结构的匹配问题,对阻火器壳体结构变化与管道内火焰压力和速度的关系进行了仿真研究,仿真中对不同尺寸的阻火器壳体结构建立了二维几何模型和网格模型,采用RNC k-e湍流模型和通用有限速率燃烧模型,运用FLUENT软件对煤管内可燃气体爆轰过程进行了模拟.得到了阻火器壳体内径尺寸、阻火器内有无障碍物与爆轰火焰压力和速度的变化规律,通过分析阻火器内火焰速度和压力的规律,为管道爆轰阻火器的设计和选型提供更为准确的参考依据.     

主成分分析在企业发展评估的应用

在某国有银行财务报表中选取10个主要指标进行主成分分析,利用SPSS20软件求解出第一主成分和第二主成分的主成分得分和综合得分,并根据综合得分进行了排名。最后,总结出平均总资产回报率、风险加权资产收益率、不良贷款率、拨备覆盖率、一级资本充足率和总权益对总资产比率这6个指标的变化会对该企业的发展产生显著的影响。     

“一带一路”倡议下海南国际化人才培养模式探析

"一带一路"作为国家顶级合作倡议,除了造福沿线国家和人民之外,也对人才培养提出了更高的要求。在此背景下,海南作为"一带一路"建设的重要节点,亟须培养一批能适应新时代发展的高素质国际化人才。基于现有人才培养模式,本研究从开设国际联合教育实验室、校政企共建资源、涉外人才培养以及海南本土人才培养四方面进行深入探析,为"一带一路"倡议下海南国际化人才培养模式的创新提供建议。     

噻吩甲酰三氟丙酮铕配位聚合物纳米粒子及其薄膜的制备与光学性能研究

采用简单的混合溶剂热、无模板剂的方法,以Eu(NO_3)_3·6H_2O为金属离子源、噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)为有机配体,成功制备了噻吩甲酰三氟丙酮铕配位聚合物(Eu-CP)纳米粒子.用不同手段对合成的产物进行了表征,并对其发光性能进行了研究.通过与聚甲基丙烯酸甲酯混合,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用旋涂法制备了系列不同原料配比的Eu-CP纳米粒子旋涂膜,并对比了它们的荧光强度.探讨了所得旋涂膜的光稳定性以及热稳定性.     

基于Mackey-Glass混沌储备池计算的多波形识别

人工神经网络在模式识别和智能计算等领域具有重要的应用,但目前的人工神经网络存在结构复杂、训练耗时、占用大量的硬件资源等缺陷.设计了一种简单的基于MackeyGlass非线性方程的混沌储备池计算系统,它把大量不同时刻的混沌状态当作虚拟节点,从而简化了系统结构.利用系统分别实现了3种波形和对应3种不同频率的共9个不同波的识别,分析了储备池计算系统主要参数对多波形识别效果的影响.在最优系统参数条件下,对3种波形和9个波识别的归一化均方根误差分别达到了0.11和0.22.     

一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法

源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析.     

大兴安岭中段哈达陶勒盖组火山岩U-Pb定年及成因

为了研究大兴安岭中段哈达陶勒盖组火山岩的形成时代和岩石成因,进行了锆石U-Pb同位素年龄测试和地球化学研究.LA-ICP-MS锆石U-Pb定年结果显示,哈达陶勒盖组火山岩形成于234~244Ma的中三叠世.岩石地球化学研究表明,哈达陶勒盖组火山岩具有低硅富碱、富钙镁的特征;稀土丰度总量w(∑RE)= 122.32×10^-6~140.66×10^-6,轻、重稀土分馏较明显,m(La)/m (Yb)_N=11.99~18.68, 无明显Eu负异常(δ_○Eu=0.84~0.98),微量元素以富集Rb,K,Ba,Th,亏损Nb,P,Ti为特征.哈达陶勒盖组火山岩岩浆源区为富集的岩石圈地幔, 并遭受了地壳物质的混染.