斜切ATGSP晶体的电压响应优值

本文报导了 ATGSP 晶体的三个主介电常数和热释电系数的测量结果;计算了不同斜切角度下的电压响应优值 M;研究了 M 值随温度的变化规律。实验结果表明,采用斜切方式的 ATGSP 晶体热释电探测器件可以提高电压响应优值。     

一种新的热释电晶体——ATGSAs的生长和性质

一、引言 硫酸甘氨酸[(NH_2CH_2COOH)_3·H_2SO_4,简称TGS]是一种优良的铁电晶体,它具有高的热释电系数和低的介电常数,而且易培育出高光学质量的大晶体,它是制造室温下应用的红外摄象管和红外探测器的良好材料。多年来,不少人对TGS晶体进行了广泛的研究,为了克服TGS晶体的缺点,人们通过氘化掺杂和离子取代研制出了ATGS,DTGS,TGFB等     

具有高热释电品质因数的ADTGSP晶体

在前几篇文章中,我们介绍了新的热释电晶体ATGSP,即掺有L-丙氨酸和磷酸的硫酸三甘氨酸晶体,简称ATGSP。该晶体与TGS晶体相比,具有较高的热释电系数,低的介电常数和介质损耗,热释电品质因数较TGS晶体有明显的提高,现已利用该材料试制出了高质量的红外探测器和摄像管靶面。但是ATGSP晶体的居里温度仍为49℃,因其偏低而影响到器件的应用温度范围。为了提高ATGSP晶体的居里温度T_c,我们研究了氘化的ADTGSP     

TGS类热释电晶体的红外光谱吸收率的研究

我们测量了TGS、DTGS 和ATGSP 等热释电晶体材料在10000—400cm~(-1)波数(1—25μm 波长)范围内完整的红外透射和反射光谱,从而得到在这一波段的光谱吸收率.一、实验方法将TGS、DTGS 和ATGSP 三种晶体沿解理面(垂直于极化轴b 轴)切片,通过研磨,抛光制成表面光洁,尺寸为8×8×0.1mm~3的单晶薄片。用Perkin-Elmer 983型红外分光光度计和岛津250型分光光度计分别测量了上述三种晶体样品在4000—400cm~(-1)叫波数(2.5—25μm 波长)范围和10000—4000cm~(-1)波数(1—2.5μm 波长)的红外反射与透射光谱.所有测量均在室温下进行。     

BaTiO_3与PVDF热释电复合膜的研究

采用在成膜过程中加直流电场和不加电场两种方法制备了ＢａＴｉＯ３＋ＰＶＤＦＩ合薄膜，在１０ｋＶ／ｃｍ电场下制备的复合膜热探测优值ｐ／ε达到１．５×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而无电场制备的复合膜只有１．２×１０－８Ｃ／ｍ２·Ｋ．实验表明在成膜过程中施加强直流电场，可以使铁电颗粒的ｃ轴转向，平行子电场的方向．ＢａＴｉＯ３颗粒的择优取向使复合膜易于极化，从而提高了复合膜的热释电性，并改善了老化性能．     

一种新的热释电晶体—ATGSP的生长和性质

研究了一种新的永久极化的ATGSP晶体,它是用H_3PO_4部分取代H_2SO_4而得到的改进了的ATGS。ATGSP晶体结构和TGS相同,晶体易于用降温法自水溶液中生长。ATGSP的热释电系数是TGS的二倍。它在室温下的介电常数为30,而损耗在10~2—10~5HZ宽频率范围内低于0.01。新晶体的高自发极化和大的热释电系数可能是由于PO_4~(3-)取代SO_4~(2-)所引起。     

国际第1届应用物理会议

国际第1届应用物理会议于2003年10月13～18日在西班牙的巴达霍斯市举行，会议主席由西班牙Extremadura大学的A.M．Vills教授担任，该次会议得到国际物理学会、     

锂掺杂TGS晶体的生长及性质之研究

本文对锂掺杂TGS晶体——LTGS的生长及其介电与热释电性质进行了研究.晶体在含锂的TGS溶液中用缓慢降温法进行生长.文中报导了具有不同锂含量的LTGS晶体的生长形状及电畴结构;报导了在很宽的温度及频率范围内对介电系数、损耗角正切、热释电系数及极化强度的测量.最后,由电滞回线上观察到自偏置场效应.