HEDP与Sn(Ⅱ)、Sn(Ⅳ)配位化合物的性质研究

本文报告[Sn(Ⅱ)(H_2O)C_2H_4P_2O_ ]·3H_2O和[Sn_2(Ⅳ)(OH)_4(H_2O)_2C_2H_4P_2O_7]·7H_2O两种配位化合物的制备并用莫斯堡尔谱、红外光谱、差热热重分析等方法研究它们的键性质和构型。 [Sn_2(H_2O)C_2H_4P_2O_7]·3H_2O的化学位移(δ)值和四极矩分裂(△E_Q)值与Sn_2P_2O_7、SnHPO_3的数值接近,从而可推测它的构型。[Sn_2(OH)_4(H_2O)_2C_2H_4P_2O_7]·7H_2O的莫斯堡尔谱说明该配合物中Sn(Ⅳ)是六配位的。同一构型Sn(Ⅱ)化合物的δ与△E_Q值之间存在着线性关系,这可用5s电子参加sp~3杂化的程度作解释。从这些配合物的红外光谱讨论了与Sn配位的HEDP电离情况,从差热热重分析讨论了这些配合物的热稳定性。     

槽边抽风的流场理论分析

工业用槽边抽风的流场分布,目前尚缺乏完整的理论分析和理论与实验相结合的分析计算式。本文利用较简单的数学分析法,可以解决这方面的问题,所得的计算式便于理解和分析计算。     

高校招生要为进一步贯彻教育方针服务

现行普通高校招生的原则是：“从高分到低分，德智体全面考核，择优录取。”多年来，我国高中毕业生的升大学率还不足20％，生源有极大的挑选余地，而绝大多数考生德智体条件是合格的，所以升学竞争就自然而然地变成了考试分数的竞争。而且分数很容易直观地量化，拉开考生的录取距离，也就很自然地被人们所接受。     

谈我校理科研究生的培养

自1978年恢复研究生制度以来,我校理科共招收11届,143名研究生.截止1988年,已毕业87人,绝大部分都获得了硕士学位.在毕业的研究生中,目前除了6名在国内外攻读博士学位外,其余都走上了工作岗位,大都成为各个单位的教学科研骨干力量,有的破格提升为副教授,有的担任了领导工作.据不完全统计他们在学习期间写的论文,在国内外公开刊物上已发表近200篇.本期学报发表的论文大部分是属于研究生写的.有不少研究生在国     

日本基本粒子物理学中的方法论 一、核力问题

一、引言聚集在基本粒子蒲研究会中的日本基本粒子物理学家们在爵多镇域内有着很大的影响。其中包括以下几个方面: (l)通过开展民主方式研究工作的努力,对大学和学术界的民主化作出了很大真献。 (2)他们奋发地     

T—型拓扑空间

关于拓扑空间的分离性公理,已有T_0、T_1、T_2等,本文提出T分离性,它比T-1强而比T_2,弱,讨论了T—型拓扑空间的某些性质,证明了对于满足第一可数公理的拓补空间来说,T和T_2的等价性。最后指出关肇直先生给出的局部紧性之定义与J·Kelley所给的定义在T—型拓扑空间上是一致的。定义一拓扑空间(X,T)叫做T—型的,是指X的一切紧子集都是闭的。若以D表     

气相色谱定性指标和区域宽度变化规律——第四部份:气相色谱定性指标随柱温的变化规律的探讨

气相色谱中,组分的定性是采用单位固定液重量的保留体积V_g 值来表示的。即式中g 为固定液的重量,V_R 为保留体积。由于在一定的条件下V_g 值仅决定于物质的性质,因此在色谱分析中,就用它作为组分的定性指标,为了不用纯物质的校正,即可预测未知物的结构,人们常常在一定的条件下研究各物质的V_g 值的互相联系,或在不同的条件下研究同一的物质的V_g 值的內在联系,以便通过这些关系来辨别未     

磁场下K_4[Fe(CN)_6]·3H_2O的穆斯堡尔谱

用~57Co/Pd单线放射源,在室温下测得了K_4[Fe-(CN)_6]·3H_2O在外磁场中的M(?)ssbauer谱。实验中吸收体K_4[Fe(CN)_6]·3H_2O(A. R. 级)被置于磁场方向与r射线垂直的外磁场中。 K_4[Fe(CN)_6]·3H_2O中的Fe~(2 )处于O_h对称性的配体场中,其电子构型为t_(2g)~6e_g~0因而晶体场和价电子对电场梯度的贡献均为零,在没有外加磁场的情况下,其M(?)ssbauer谱呈单线吸收。     

氮化硅薄膜的AES研究

众所周知,相对于二氧化硅说来,由于氮化硅具有很强的对钠离子等可动离子的阻挡能力、针孔少而结构致密、化学稳定性强以及热膨胀系数比二氧化硅更接近于硅等优良特性,已被广泛用于半导体器件的生产中.例如用作钝化膜和用于局部氧化、等平面隔离、