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通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较,调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应．结果表明,Ｎ２ＯＮ 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,Ｎ２ Ｏ 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生． 相似文献
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BUCK/BOOST转换器小信号建模与稳定性分析 总被引：1，自引：0，他引：1
利用电感电压平均近似和电容电流平均近似的方法,建立了连续模式(CCM)下电压控制型BUCK/BOOST结构DC/DC转换器的线性模型,实现了非线性向线性模型的转化.采用此模型得到的控制到输出的传递函数与采用状态空间方法得到的传递函数一致;在此基础上基于Matlab工具对不同补偿网路的频域特性进行了仿真,仿真结果表明双极点、双零点补偿后的系统稳定性能最好.利用Hspice时域仿真验证了频域分析结果的正确性. 相似文献
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通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm 及小的应力感应Ditm 的增加 ,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能 ,从而使击穿特性退化 .在N2 O氮化后 ,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高 ,其机理在于N2 O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2 副产物的有效排除 . 相似文献
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通过与热生长氧化物进行比较,对LPCVD氧化物及N2O氮化LPVCD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究,发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的面态密度Ditm及小的应力感应Ditm的增加,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能,从而使击穿特性退化,在N2O氮化后,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高,其机理在于N2O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2副产物的有效排除。 相似文献
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一种新的CMOS带隙基准电压源设计 总被引：2，自引：0，他引：2
设计了一种新的CMOS带隙基准电压源.通过采用差异电阻间温度系数的不同进行曲率补偿,利用运算放大器进行内部负反馈,设计出结构简单、低温漂、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.仿真结果表明,在VDD=2 V时,电路具有4.5×10-6V/℃的温度特性和57 dB的直流电源抑制比,整个电路消耗电源电流仅为13μA. 相似文献
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在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况，模型的迁移率也是在Ｎ＝Ｎ＾＊处最小，其中Ｎ＾＊随晶粒的增大而减小；分析还表明，体电阻率在Ｎ＞Ｎ＾＊时对于精确估计迁移率的重要性，以及大晶粒的多晶硅结构有利于材料电阻率的控制和降低。 相似文献
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论述晶闸管阴极面光刻版图的计算机辅助设计问题，以短路点的弧状排列为例，讨论了绘制版图的基本思想和方法，提出了优化图形排列、例版图面积最动态方法和“穿针引线”法，在讨论三管芯图形的基础上，成功地推广到多管芯版图设计与绘制。 相似文献
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本文针对LTT(光直接触发晶闸管)光传输系统中光导管传输效率问题,用纤维光学理论分析了光缆的数值孔径、光导管的折射率一定时光导管的端面直径和曲率半径对光传输效率的影响,得出了光线在光导管中无损耗传输所必须满足的不等式,为光导管的设计提供了理论依据. 相似文献
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设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器.该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×105/s和0～2×105/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仪为2 mA. 相似文献
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传统的中小功率器件周边大都为方形或圆形造型.制作pn结方片具有工艺简单、材料利用率较高的特点,但由于四个棱角处电场集中(称此电场为棱角电场),故阻断特性受到限制.圆片的表面电场相对低些,但材料损耗大,设法降低数量上占市场主导的中小功率器件的材料消耗将产生相当可观的经济效益.本文提出了正六方形周边设计方法,该设计相对方片可以降低表面电场强度,相对圆片可以大大提高硅材料利用率. 相似文献