日本未来的汽车

为了保护大气环境和节约能源,国外汽车工业企业集团都在加紧对未来汽车的研究和开发工作。日本专家认为日本未来的汽车将向高技术化、轻型化、节能化、无污染化等方向发展。一、氢汽车日本专家认为,氢发动机汽车很可能作为继汽油发动机汽车之后而与电动汽车并列的有广阔前景的无公害汽车。但目前最关键性问题是防止回火。这将关系到氢汽车是否能提供实用的问题。日本武藏工业大学采用直接把液态氢灌进发动机内的方法,为此需开发一种液态氢泵。目前,已研制出一种小型液态氢泵,安装     

退火工艺对Mg-4Zn-1.5RE合金显微组织的影响

介绍了Mg-4Zn-1.5RE合金。实验利用小型轧机对挤压态Mg-4Zn-1.5RE合金进行多道次轧制,研究了轧制后合金板材经不同的退火工艺处理后其显微组织随退火温度和退火时间的变化情况,观察了合金中的第二相的TEM形貌并进行能谱分析。结果表明,该镁合金在常温下可进行多道次轧制,但每两道次之间进行300℃×30 min的退火处理,总变形量可达到60%;轧制后的板材经再次退火后发生再结晶,合金中第二相为含有稀土元素的W相。     

海上丝绸之路沿线港口发展对经济增长的空间溢出效应

为探究海上丝绸之路沿线国家港口经济发展情况,量化港口发展对沿线国家经济增长的空间溢出效应,基于2010-2019年的跨国面板数据,借助ArcGIS软件,考察沿线国家港口与经济发展的时空演变情况,建立空间计量经济学模型并求解,量化港口发展对国家经济增长的空间溢出效应,并进一步细化测算直接与间接溢出效应.研究表明,港口发展...     

分段连续微分方程θ-方法的稳定性(英文)

讨论分段连续型微分方程x′(t)=ax(t)+a1x([t+3])的解析解的稳定性,得出其渐进稳定的一个充分必要条件。应用θ-方法求解此分段连续型微分方程,得到相应的数值稳定区域,给出数值解的稳定区域包含解析解的稳定区域的一个充分必要条件。应用线性θ-方法求解了微分方程x′(t)=ax(t)+a1x([t+p]),给出此类数值方法渐进稳定的一个充分条件,得出数值解的稳定区域包含解析解的稳定区域的充分条件。     

理工类院校外语创新型人才培养的复合理念及路径选择

在当前知识经济的大环境下,国际间科学技术与文化交流要比历史上任何一个时期都更为活跃频繁,从而对外语人才的培养也提出了更高的要求.立足当前理工类院校外语教学的现状,分析了理工科院校外语专业的主要特点与劣势,深入理解外语人才的复合模式理念,提出了理工类院校复合型高级英语人才的培养的路径选择.     

旅行社核心竞争力研究

旅行社是我国旅游业的龙头,是旅游业的主力军。旅游社要发展,就必须找到一条适合自身的发展道路。在不断提高旅行社整体规模的同时,应加强服务品牌建设,打造出企业的核心竞争力,让游客能过购买到越来越多、越来越新鲜的旅游产品。本文是以企业核心竞争力理论为分析框架,着力探讨旅行社企业在市场竞争中获取可持续竞争优势的内生性因素。本文初步归纳了旅行社企业核心竞争力的四种要素：树立旅行社品牌、打造旅行社企业文化、培育旅行社企业信誉和吸引忠诚的游客。     

超声波:抒情新生活

超声波是指频率高于2万赫的声波。超声波的频率处于人耳听域上限以上,不能为人耳所察觉。它能在气体、液体和固体媒质中传播。气体对超声波具有较高的吸收性,声能衰减很大。超声波具有较好的方向性、穿透性和反射性,它在媒质中传播时还能引起媒质分子间的剧烈摩擦和热量耗损,从而产生各种超声波效应,如超声波热效应、化学效     

知识产权与图书馆

加入WTO不仅会给我国的经济发展带来前所未有的变化 ,而且对很多领域也产生了很大影响。其中对我们图书馆界影响最大的莫过于知识产权问题。我们应掌握必要的知识产权的知识 ,既要懂得尊重知识产权 ,不违犯知识产权 ,又要学会在产权的许可范围内合理使用我们所需要的知识     

Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

The paper describes the growth of a germanium (Ge) film on a thin relaxed Ge-rich SiGe buffer. The thin Ge-rich SiGe buffer layer was achieved through a combination of ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) SiGe epitaxial growth and SiGe oxidation. A lower Ge content strained SiGe layer was first grown on the Si (001) substrate and then the Ge mole fraction was increased by oxidation. After removal of the surface oxide, a higher Ge content SiGe layer was grown and oxidized again. The Ge mole fraction was increased to 0.8 in the 50 nm thick SiGe layer. Finally a 150 nm thick pure Ge film was grown on the SiGe buffer layer using the UHVCVD system. This technique produces a much thinner buffer than the conventional compositionally graded relaxed SiGe method with the same order of magnitude threading dis- location density.