利用荧光显微镜直接观测溶液内的DNA分子

以前用光学显微镜不能观测 DNA(脱氧核糖核酸,是生物的遗传物质)分子。最近在日本京都大学生物物理教研室,用荧光试剂与 DNA 相结合的方法,在荧光显微镜下成功地用肉眼观测到了单个 DNA 分子。用的是反射型荧光显微镜。荧光试剂是用与 DNA 有特殊结合能力的 DAPI(4,6联脒-2-苯基吲哚)。先将它们的溶液浓度调到1.0μg/ml,用微型吸液管将3-5μl 的溶液滴到光滑的玻璃表面上,用玻璃罩盖好,将其周围用凡士林密封好,防止溶液蒸发。当 DAPI 与 DNA 结合就发出450nm 的荧光。反射型显微镜从高压水银灯的辉线藉衍射滤光器提出适当波长的光,照射到样品上。受     

中速中负荷(50 m/s,100～250kgf)修磨砂轮磨损特性的初步探讨

磨削砂轮的制造者和使用者都很关心金属修磨砂轮磨损问题,本文在实验室以不同的砂轮、不同的磨削压力及钢种初步的研究了砂轮的磨损机理,从试验研究得知:棕刚玉磨料的砂轮主要是破碎磨损,应采用高韧性的锆刚玉磨料;磨料表面有微细剥蚀及金属粘附,可采用微晶刚玉或烧结刚玉来减少微细剥蚀;砂轮表层磨粒脱落由于磨粒表面与结合剂开裂或结合剂在磨削温度作用下结合强度不足而引起,可采用磨料表面处理,磨料及结合剂热膨胀系数相等及研制高强结合剂以提高高温下的结合强度,通过上述措施可以提高现有砂轮磨削比。     

评1927—1937年国民党政府的内债政策

通过发行内债聚敛社会财富、筹措内战资金、进行反共反人民活动,是国民党一项重要的财经政策。尤其是南京政府建立初期更是如此。分析1927—1937年国民党政府的内债政策,有助于了解我国官僚垄断资本集团的形成及其反动本质。一国民党政府发行内债,发端于广东时期。1926.2—1927.1,广东和武汉国民政府为进行北伐曾发行四批小数额内债,总计不足4000万元。国民党政府把发行内债作为长期政策,则滥觞于南京时期。1927年4月18日,蒋介石在血腥镇压共产党员和革命群众的血泊中建立起     

电子镇流器灯丝预热方法初探

一般的电子镇流器没有灯丝预热电路,灯管两端在使用不长时间就会产生发黑现象,而且使用寿命也很短,本文研究设计了一种采用PTC元件给灯丝提供预热的电路,使灯丝在加上高压之前,经过预热,使它充分具有发射电子的能力,这样能显著延长灯管使用寿命。     

人工神经网络模型在瓦斯预测中的应用

通过对神经网络的基本原理和学习算法的分析,建立了基于瓦斯涌出量预测的BP网络应用模型,采用Delphi编程语言,预测了瓦斯的涌出量,并结合实例进行了验证。     

齿轮箱升降速过程阶次倒谱故障诊断方法研究

齿轮箱升降速过程中的振动信号包含有重要的参考信息,研究该过程中的振动信号,有助于识别齿轮箱的故障.将常规的倒谱分析技术与阶次分析相结合,提出了阶次倒谱的齿轮箱故障诊断方法.首先利用重采样技术,将时域非平稳信号转化为角域平稳信号,最后对角域重采样信号进行倒阶次谱分析,就可提取齿轮的故障特征.实验分析结果表明该方法能有效地识别齿轮的故障类型.图8,表1,参8.     

基于改进高斯滤波网络的深度伪造检测方法

针对滚动轴承传统故障诊断方法训练收敛速度慢、识别准确率不高、抗针对虚假视频的检测中,特征噪声多、数据量大和检测准确率低的问题,提出一种改进高斯滤波对地标点进 行去噪和改进深度网络模型来提升精度的算法(IGFNet);算法将高斯滤波拓展到空域和值域上,在滤除低频噪声的同时尽可能保留高频噪声,使得在后续特征数据的处理中,标记点的精度得以提升;采用特征化的数据代替原始数据以减少数据量,使得送入网络的数据量大大缩小,有效缩短了训练时长和减少了网络参数量,在实际应用中可以增加鉴别虚假视频的效率;并且针对人脸属性特征点的差异采用不同深度的双流神经网络,从而更加有效地学习如何鉴别虚假视频。 实验表明:改进高斯滤波网络算法(IGFNet)有效地增加了真假脸检测的准确率,在与当前 较为优秀的方法如 Meso4,Xecption,LRNet 等的对比下,IGFNet 的准确率均有不同程度的提升,在跨数据集的测试上提升尤为明显;在压缩过的虚假视频测试中,IGFNet 的泛化下降程度最低,显示了较强的鲁棒能;通过改进网络加入梯度热力图以直观判断出 IGFNet 对于深度伪造图片的鉴别能力。     

冲击功对8Mn-2Cr-Si钢磨粒磨损性能的影响

研究了不同冲击功对8Mn-2Cr-Si钢磨粒磨损性能的影响,利用X射线衍射仪分析了试样冲击表面的组织相变过程,并利用扫描电子显微镜对材料磨损表面及亚表层进行分析,探讨其磨损机制.结果表明:8Mn-2Cr-Si钢在冲击磨损过程中,冲击诱发马氏体相变,且冲击功越大,马氏体相变量越多,材料加工硬化效果越好;但随着冲击功的增大,材料磨损失重增多,主要是由于不同冲击功条件下磨损机制不同,并且材料塑性变形阶段使磨粒嵌入基体,成为应力集中源,在循环冲击过程中产生疲劳裂纹,逐渐扩展至材料表面,最终形成大块剥落使材料严重磨损失效.     

S钝化InN(001)面第一性原理研究

Ⅲ族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景,这就引起了人们越来越多的关注.