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二维二硫化钼(2D MoS2)由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD 制备多层MoS2的隧道摩擦起电和充电特性通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS2样品的1 μm×1 μm正方形区域,同时使硅基底接地然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5 μm×5 μm正方形区域的接触电势进行成像最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试研究结果表明:MoS2不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象因此,可以利用MoS2的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS2纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用 相似文献
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研究用两亲性嵌段共聚物和纳米二氧化硅制备超疏水表面.采用可逆加成-断裂链转移聚合法(RAFT)合成了两亲性嵌段共聚物聚甲基丙烯酸叔丁酯-b-聚(4-乙烯基吡啶),用红外光谱,核磁共振,凝胶渗透色谱对聚合物进行了表征,将嵌段共聚物接枝到纳米二氧化硅上,形成一个有机无机杂化材料,通过调节pH值来控制杂化材料在水中的聚集行为,构筑了微纳双重结构的粗糙表面.该表面为超疏水表面,对水接触角达151°,滚动角5°.扫描电镜分析表面形貌表明:具有微纳双重结构的类似荷叶表面是形成超疏水的根本原因. 相似文献
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本文介绍了测定单粒稻米直链淀粉含量的方法。并用此方法测定农垦58、CP231、IR26和BG90-2精米的直链淀粉含量,结果与IRRI的简化法测定结果相同。取相同米粒部位的样品进行分析,重复测定值的平均标准误差为±0.21%,最大标准误差为±0.95%。此外,讨论了单粒法在稻米品质遗传育种研究中的实际意义。 相似文献
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根据已导出的旋涡星系扰动引力势的一般形式解,考虑在无限薄盘(α→∞)的情况下,作旋臂图样曲线.适当地调节参量Ω_P 和 B(m,n),计算得到的理论曲线与实际观测到的旋臂符合较好.克服了由林家翘理论作出的旋臂图样与实际旋臂有时相差甚远的问题,并利用星系 M_(51)的旋臂作了这2个理论的比较. 相似文献
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施工管理是施工企业或者项目经理对施工项目进行的有效管理和控制,在电力行业中处于极为重要的地位.本文结合实际工作经验,浅谈电力工程施工管理. 相似文献
79.
本文使用光线传递矩阵方法,讨论了热畸变激光棒的热焦距及其端面负透镜补偿,并对激光棒进行端面负透镜修正后的分布孔径和模体积作了计算。 相似文献
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用离心试验法模拟了填埋体的沉降和边坡土工膜的应力应变状态,并将其与有限元计算结果进行了对比,结果表明:该方法可以定性地描述出卫生填埋场的状交;边坡土工膜存在初始损伤的情况下发生的应力集中是导致其受拉破坏的主要原因;保证边坡防渗层安全的关键是加强现场管理与监督,提高土工膜铺设工艺。 相似文献