^56Fe中子核反应光学模型势参数研究及其核数据计算

在考虑新实验数据的基础上，对ｎ＋￣（５６）Ｆｅ反应的光学模型势参数进行了全面仔细的调节，推荐出了一套较好的势参数。并利用包括带宽度涨落修正的Ｈａｕｓｅｒ－Ｆｅｓｈｂａｃｈ理论计算复弹数据的光学模型程序，对入射中子能量在０．８５～２０ＭｅＶ范围内的全截面、去弹截面及弹性散角分布进行了计算。结果表明全截面与实验编评数据在１％范围内符合；弹性散射角分布在有实验数据的各能点与实验都能很好符合；去弹截面也能较好符合实验数据，比目前ＥＮＤＦ／ＢＮ库的评价数据有明显改进。     

水稻早衰叶突变体es-t的遗传分析与精细定位

突变体es-t 是经EMS诱变处理日本晴后筛选获得的, 该突变体主要表现为叶片从苗期开始黄化, 叶绿素含量显著降低, 随着其生长发育发黄的叶片伴有铁锈色的小斑点, 尤以叶尖和叶缘为甚, 表现严重的早衰现象, 故将之命名为es-t (early senescence-temporary). 扫描电子显微镜显示, 突变体叶片表面比野生型的光滑, 且气孔周围缺乏硅质化突起; 另外, 突变体的叶绿体发育不正常, 含有大量大颗粒的淀粉粒; 组织切片则显示突变体的厚壁细胞及维管束的发育表现异常. 遗传分析表明, es-t 为新发现的早衰突变体, 受一隐性基因控制, 借助图位克隆的手段将之定位于42.1 kb 的物理区间内, 为进一步克隆该基因并阐明叶片早衰的分子机制奠定基础.     

紫外分光光度法用于三峡库区水体总氮的测定

水体富营养化将破坏生态环境平衡．衡量水体是否发生富营养化污染的一个重要评价指标,是准确测定水体中总氮的含量．三峡库区筑坝后,水体流速减缓,可能导致水体富营养化污染的发生．依据朗伯一比尔定律,采用碱性过硫酸钾消解、紫外分光光度法,开展了三峡库区水体中总氮含量的测定工作．研究分析了影响总氮精确测定的各种可能因素,提出并改进了适合于实验室环境条件,也能获得高准确度结果的总氮测定方法．采用改进后的紫外分光光度法,对三峡库区内重庆主城区的嘉陵江实际水样中的总氮含量进行了测定与分析．研究结果表明,测得水样的总氮含量为0．6～1．0mg／L,小于国家规定的发生富营养化污染的限定值（≥2．0mg／L）,得出三峡库区水体尚未发生富营养化污染的结论．     

体育教育专业实验教学现状与对策研究——以韶关学院为例

运用文献资料的研究方法,对韶关学院体育教育专业实验教学的现状进行了分析.结果显示:实验室面积不足、实验仪器陈旧、实验设备配置不合理、实验人员结构不合理、实验内容重复、综合设计性实验偏少.为此,提出了重视实验教学、加强实验队伍建设、强化实验室管理、完善实验考核标准,建立与理论课相对独立的实验教学体系.     

基于流的队列管理和队列调度研究

队列管理和队列调度是网络报文处理的两个重要步骤.针对传统的队列算法分离队列管理和队列调度的缺点,本文将这两种机制结合研究,提出了一种适合WF~2Q+的新的队列管理算法(Newdrop).通过NS2仿真,实验结果表明,Newdrop-WF~2Q+组合算法能提高报文处理过程的公平性,同时减少了报文处理的平均时延.     

初中英语写作教学初探

落实《英语课程标准》要求《课程标准》提出英语课程的总体目标是培养学生的综合语言运用能力,而综合语言能力的形成是建立在学生语言技能、语言知识、情感态度、学习策略和文化意识等素养整体发展的基础上.因此,教师必须转变教学观念,要用《课程标准》提出的教学理念及教学目标与要求指导日常教学.关注学生英语学习策略的逐步形成和提高,不断提高学生的自主学习的能力.     

木屑对烧结页岩多孔砖研究

以页岩为原料,通过添加的不同木屑掺量(0%、10%、15%、20%)和不同的木屑颗粒级配(1.5~2.0 mm,1.0~1.5mm,0.5~1.0 mm和0.120~0.5 mm),烧结制成轻质烧结页岩砖;研究轻质烧结页岩砖的体积密度、导热系数和抗压性能。结果表明,当颗粒级配为0.5~0.12 mm,木屑掺量不大于10%,满足烧结普通页岩砖的基本要求。进一步研究了不同颗粒级配混合后对抗压强度的影响,为烧结制成轻质烧结页岩砖提供依据。     

强非线性对称振子周期振动的一种解法

给出一类强非线性对称振子周期振动的一种解法。此法先将常微分方程的求解问题化为积分方程的求解 ;再利用增量法的思想及谐波平衡原理 ,将积分问题化为求解谐波项系数的线性代数方程 ;最后给出本法的应用     

用“三步扩散法”实现PN结隔离工艺的研究

本文对常规PN结隔离工艺提出了一种简单易行的改革方案。其主要特点是采用“三步扩散法”实现硼隔离扩散,减薄了掩蔽硼隔离扩散所需的二氧化砖层厚度,从而缩短了高温热处理时间和生产周期,并有利于光刻质量的提高;采用本方案,还可以减薄外延层厚度,从而提高集成度、减少隔离寄生电容和集成晶体管集电区的体电阻,以利于电路性能的提高。