基于抛料机轴-圆盘转动机构的研究

根据弹性体系的振动理论,针对轴系偏心引起的抛料机不能正常运行的问题进行了研究.以离心力对轴系的动载荷所引起轴的挠度为出发点,对轴的弯曲变形、轴系的弹性系数、轴系自振频率等进行了理论分析和计算,确定了轴系设计的各主要参数,并进行了轴系的强度校核,解决了轴系偏心问题,确保了抛料机的正常工作.     

Co(0001)表面S原子对CO分子吸附性质的影响

催化工业中,残余物S原子不仅能使催化剂中毒,而且对CO分子的烷化反应有较大负面影响.在实验和理论研究方面,S原子对CO分子吸附性质的影响有不同的结论[1].例如,Zhang et al[2]理论研究结果表明:在Rh(111)表面S原子对CO分子吸附几乎没有影响,二者具有短程相互作用的本质.而Lahtinen et al.[1]对Co(0001)表面共吸附实验结果表明:S原子对CO分子吸附有一定的影响.     

K2MgF4：Mn^2＋体系局域结构的理论研究

采用对角化四角晶体场中d^5组态离子的完全能量矩阵的方法,研究了K2MgF4：Mn^2＋体系的EPR谱与局域晶格结构间的关系,通过拟和EPR谱的低对称参量b2^0,n4^0的实验值计算给出了过渡金属Mn^2＋离子在K2MgF4：Mn^2＋体系中局域结构参量R1=0．20382nm,R2=0．20558nm,以及品格畸变量△R1=0．00475nm,△R2=0．00708nm．     

分子中C—C键离解能的密度泛函研究

利用密度泛函理论（B3LYP．B3PW91,B3P86）,使用6-31G^＊和6-311G^＊基组计算了18个分子中的C—C键离解能。通过比较计算值和实验结果．发现B3P86／6—311G^＊方法能给出与实验相符合的结果,而B3LYP和B3PW91方法则不能给出满意的C—C键离解能。另外,研究发现C—C键的键长与其键离解能呈线性关系,利用此关系预言了7个分子的C—C键离解能＋得到的结果与实验结果符合较好。     

囚禁于巴基球内偏心位置的氢原子

本文通过非线性变换技术和特殊设计的B样条基函数方法计算了囚禁于巴基球内的氢原子的电子能级随偏心距离及势阱深度的变化.结果表明,巴基球等效势阱深度和偏心距离可以有选择的影响和改变囚禁原子的特性.     

HoIG中Ho3+离子基态晶场能级的理论研究

分析了重稀土石榴石HoIG的晶体结构,利用晶场作用理论计算了HoIG中Ho3 离子所受其周围离子或原子对它的晶场作用;然后根据量子力学理论,解久期方程计算了Ho3 离子基态(4f10)5I8的晶场能级和晶场波函数.计算的晶场能级结果与实验值符合得很好,为进一步研究重稀土石榴石HoIG的磁和磁光性质奠定了基础.     

K2MgF4∶Mn2+体系局域结构的理论研究

采用对角化四角晶体场中d5组态离子的完全能量矩阵的方法,研究了K2MgF4∶Mn2 体系的EPR谱与局域晶格结构间的关系,通过拟和EPR谱的低对称参量b02,b04的实验值计算给出了过渡金属Mn2 离子在K2MgF4∶Mn2 体系中局域结构参量R1=0.203 82 nm,R2=0.205 58 nm,以及晶格畸变量ΔR1=0.004 75 nm,ΔR2=0.007 08 nm.     

外电场作用下Si_3O_3分子的基态结构及激发特性

采用杂化CIS-DFT方法,计算了不同外电场作用下Si3O3分子的基态结构参数,在此基础上研究了分子由基态到前8个激发态的激发能,吸收光谱,振子强度,跃迁矩阵元等激发特性.由计算结果可知,分子的基态结构及激发特性对外电场有着较强的依赖关系.     

SeH2分子的结构与从头计算

应用密度泛函B3P86方法、基组6-311++G(3d2f)对SeH2分子的基态结构进行优化,优化得到SeH2的稳定构型为C2v,电子态为1A1,平衡核间距为Re＝0.14688nm、键角为∠HSeH＝90.75332°、离解能为8.8037eV.然后对它们的力常数及谐振频率进行了计算.在推导SeH2的离解极限基础上,...     

密度泛函理论研究S-亚硝基硫醇化合物中S—NO的键离解能的取代基效应

利用密度泛函理论（B3LYP,B3PW91,B3P86）,使用6—31G^＊＊基组计算了乙氰溶液中孓亚硝基硫醇化合物中SNO的键离解能。结果表明B3PW91／G-31G^＊＊方法计算得出的键离解能平均绝对偏差为7．36kJ／mol,与实验符合比较好。因此,我们建议使用B3PW91／6—31G^＊＊方法来计算S-亚硝基硫醇化合物中S-NO的键离解能。进一步分析表明不同的取代基对S-NO的键离解能影响不同。当C6H5SNO中的一个H基团分别被2-CH3、4-CH3、4-Cl、4-NO2基组取代时,S-NO的键离解能降低2．09～12．54kJ／mol。当C6H5SNO中的一个H基团分别被2-Cl、3-CH3、3-Cl、4-OCH3基组取代时,S-NO的键离解能增加0．042～36．37kJ／mol。