市场分配原则与社会主义平等原则的冲突与协调--对社会主义者之间论争的分析

市场社会主义者与传统社会主义者在对市场分配公正与否上有很大争论 ,在市场社会主义者内部对市场分配原则—按劳分配的公正性也有不同看法。市场分配必然带来分配结果的不平等 ,这与社会主义的平等原则是相冲突的 ,而在存在市场的条件下 ,市场分配原则又是必不可少的 ,因此需要协调市场分配原则与社会主义平等原则之间的冲突。二者之间冲突的解决 ,只靠对市场分配的结果进行调节是不够的 ,最根本的还是要对社会主义的平等原则本身做出新的阐释     

华佗再造丸治疗脑血管病疗效评估

用华佗再造丸治疗脑血栓、脑出血及其后遗症52例,其有效率达90.5％,对照组20例,10例脑出血用20％Mannitol及止血剂治疗,10例脑血栓用低分子右旋糖酐及脑络通治疗,有效率为70％,有高度显著性差异,P<0.001,笔者认为该药是治疗脑血管病较理想的中成药,具有镇静神经,滋阴强心,舒经活络,活血化瘀等作用。对病程短的年纪青的病人的疗效更为显著,脑出血性与脑缺血性疾病均有疗效,正是中药一药多用、一药多治的微妙体现。推测对脑血管病后遗症有效可能与该药能促进神经再生因子(NGF)的合成和利用有关。     

非饱和带溶质运移问题的有限元解法

ＳＵＰＧ有限元法应用于土体的非饱和溶质运移问题,导出了其数值表达式,编制了计算程序。以一维入渗问题为例进行了数值计算,与其他方法及野外试验结果进行了对比,表明该方法是正确的、稳定的,可用于非饱和带溶质运移问题的实际计算。     

一种修正的窄缝电磁耦合FDTD算法

电磁脉冲通过窄缝的耦合计算是电磁兼容研究中的一个重要问题,现有算法存在着一些局限或不足.为得到一种能够反映窄缝实际耦合特点的算法,研究了Wang的窄缝算法中的不足,并基于其提出了一种修正的窄缝电磁耦合FDTD算法,即假设窄缝所在网格上的电磁总场在面向入射场源的窄缝一侧是随离窄缝距离增加而增强的,而在背向入射场源的窄缝一侧是随离窄缝距离的增加而减弱的.用该算法对ESD电流注入细导线产生的电磁场与窄缝的耦合进行了计算.计算结果表明了该算法的正确性.     

黎曼流形上φ-次调和函数的平均值不等式

(M，g)是黎曼流形，该文讨论了M上φ-调和函数的几点性质，最终得到了φ-次调和函数的平均值不等式以及关于φ-调和函数的Harnack不等式，     

GaAs/Alx Ga1-x As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究

运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义.     

桩基低应变完整性测试的多次波分析

为了准确识别桩基低应变完整性测试中桩基缺陷的程度和深度．必须进一步研究速度信号中多次波的影响．利用反射波法成功地模拟出桩基动测中包含透射和多次反射波影响的速度曲线，可处理任意个不等距反射界面的情况．使得应力波在桩基中的传播规律有了进一步的认识；同时提出了相应的多次波反演新方法．可以反演包含透射和多次反射影响的速度波信号．该方法只需准确识别每次的第1个速度波．就可以准确识别桩基缺陷所对应界面的波阻抗变化规律及其对应深度．数值算例说明该方法是确实可行的．     

In:Fe:LiNbO3晶体及其全息关联存储性能研究

在LiNbO 3 晶体中同时掺入质量分数w为0.03%的Fe 2 O 3 和摩尔分数x(In 2 O3 )为0.5%,1%和1.5%,分别生长成In(x=1%):Fe:LiNbO 3 ,In(x=2%):Fe:LiNbO 3 和In(x=3%):Fe:LiNbO 3 晶体.测试晶体的红外光谱;测试晶体的位相共轭反射率,并以In(x=3%):Fe:LiNbO 3 晶体作为存储元件,以In(x=1%):Fe:LiNbO 3 晶体位相共轭镜作为阈值反馈系统,实现了全息关联存储.     

贵州省科技成果转化应用的"约束"与对策研究(下)

(接上期) 四、对策 (一)完善法规、政策扶持、营造环境 1.近年来,我国先后颁布了<科技进步法>、<促进科技成果转化法>、<促进科技成果转化的若干规定>、<科技奖励条例>和有关高新技术及其产业发展的规定,贵州省相继出台了<技术市场条例>、<促进科技成果转化条例>、<科技奖励办法>等等.     

纺织品静电场强衰减的数值计算与实验研究

对服从欧姆定律和在高场强下不服从欧姆定律的纺织品利用计算机进行数值计算与模拟并进行实验研究.结果表明无论电流密度与电场强度之间为何关系.不同初始场强的衰减曲线都不会发生交叉(Cross-Over)现象,若电流密度不仅与任意时刻的场强有关而且还与初始电场有关则会发生交叉,计算结果预示在某种特殊电场范围内时可能发生双交叉(Double Cross-Over)现象.数值计算结果与实验结果对比显示两者符合得较好.