安全宣传教育有效性的探索与实践

文章就根治"三违"问题,在煤矿安全宣传教育的探索上,做出一系列行之有效的安全教育方法,着力转变全矿职工的安全观念,实现矿井的长治久安.     

稻蛋白质

1 引言 蛋白质的含量与分布 尽管世界小麦总产量大于稻米,但稻米是世界大部分人口的主粮。稻粒的结构与其它谷物结构相似,稻粒(稻谷)是由食用部分稻的颖果及其复盖结构稻壳所组成。稻壳构成稻谷重量的18—28％。颖果因其果皮呈淡褐色又叫糙米。工艺学上,糙米的最重要部分是果皮、糊粉层、胚(胚芽)和淀粉质胚乳。果皮组成颖果重量的1～2％,糊粉层为4—6％,胚为2—3％,淀粉质胚乳为89～94％。与其它谷物比较胚相对地小。糊粉层具有1～7层细胞,且背部比侧面和腹面要厚些。糊粉层细胞被小的富含蛋白质的糊粉粒所充满,这种糊粉粒包裹在有油斑物质的鞘内。淀粉质胚乳由薄壁细胞组成,通常呈放射状伸长,装载着淀粉粒与某些蛋白质体的混合物。普通稻米非粘性,胚乳透明;另一类稻米,粘性、有甜昧,或     

应用放射性同位素示踪法研究喀斯特地区地下水

本文论述了放射性同位素示踪测井方法及单井同位素地下水流向流速仪的构造、原理及特点:~(131)I作示踪剂,用LID和IC作接收器.采用萤光照相定方位。流向误差<±10~0,测深500m.文中着重介绍了该方法在喀斯特地区地下水均衡试验场中的应用实例.通过流场动态参数测定,正确划分了试验场地下水边界、补给关系.采用这种新的水文地质手段,可提高水文物探效率,为该试验区节约打井费用40-50万元.     

红假单胞菌的分离鉴定与生长特性

由青岛沿岸潮间带表层沉积物分离出４株光合细菌，经鉴定属于荚膜红假单胞菌和球形红假单胞菌。光照厌氧培养生长实验表明ＨＤ３的最适盐度为Ｓ＝１５－２５，ＰＳ２－２为一淡水菌株。菌株ＨＤ３的最适ＰＨ范围为６．３５－８．３。ＨＤ３、ＲＳ均不能利用硫化物且其生长受较高浓度的硫化物抑制。     

交换环上矩阵的一些性质

将有理整环上矩阵的一些性质，推广到交换环上，得到下列结果：对于任一交换环Ｈ，ｍ为Ｈ上的一非零元素，Ｔ为Ｈ上的ｎ阶对称矩阵，则必存在一Ｈ上的对称阵Ｓ和一个非零元素α，使得｜αＴ－ｍＳ｜＝ｍｉαｊ（ｉ，ｊ为满足ｉ＋ｊ＝２ｎ，且 ｉ≥ｎ的任意非负整数）。具中 ｜αＴ－ｍＳ ｜表示矩阵 αＴ－ｍＳ的行列式的值。以此为基础，得到交换环和主理想环上矩阵的一些性质。     

几种中草药对光合细菌生长的促进作用

提出在培养基中添加一定浓度的栝楼、木瓜、蒲公英和桔梗等中草药浸提液，可明显促进光合细菌的生长。其中，以栝楼的促生效果最好，浸提物浓度愈高，促生效果愈明显。所试浓度的栝楼、木瓜浸提液，没有发现对光合细菌生长有抑制作用。指出在生产性培养中，添加某些中草药促进光合细菌的生长是可行的。     

继电保护装置常用电路元件及电磁继电器的数字仿真研究

本文采用四阶吉尔(Gear-4)算法建立了保护装置中常用电路元件及电磁分继电器线圈的友模,提出了电磁继电器用其电路的友模节点方程与其机械运动部分的微方程的接口算法,从而使友模法能更精确地求解含有电磁继电器的继电保护装置的暂态过程。经算例验证,本接口算法是简便、有效的。     

超高射频火炮射击实验及内弹道过程仿真

该文进行了超高射频火炮膛内串联排列的3发弹丸的射击实验，建立了膛内过程的经典内弹道模型，并进行了数值模拟。计算结果和实验结果很接近，表明该模型用于模拟超高射频火炮高频连发的膛内过程是可行的。利用该模型分析了射击频率对最大膛压和初速的影响，计算结果表明：超高射频火炮的射击频率应该有一上限，就是在上一发弹出炮口并且膛内压力下降到一定压力时再击发下一发弹，才能避免各弹丸之间的相互影响，使初速散布减小。     

藏山羊微卫星DNA多态性研究

选用10个SSR标记,经PCR扩增、9%非变性聚丙烯酰胺电泳和银染法显色,对高原型藏山羊、山谷型藏山羊进行遗传多态性研究,并以白玉黑山羊、建昌黑山羊、美姑山羊和新疆山羊作对照.结果表明,10个SSR标记在高原型藏山羊、山谷型藏山羊、白玉黑山羊、建昌黑山羊、美姑山羊和新疆山羊群体的平均H、PIC、Ne分别为0.673/0.631/4.3、0.680/0.649/4.7、0.777/0.660/4.3、0.797/0.716/5.1、0.793/0.561/3.2和0.680/0.629/4.6.高原型藏山羊与山谷型藏山羊(D=0.063)聚为1类;建昌黑山羊和美姑山羊(D=0.026)聚为1类后,再与白玉黑山羊聚为1类;最后两类与新疆山羊聚为1大类,与各群体的来源和生态地理分布一致.     

PZT-5H导电缺口电致滞后开裂

研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<E_F, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场E_DF = 9.9 kV/cm. 如EE_K= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<E_DF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核.