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本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分析结果. 相似文献
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提出一种完全新型的VDMOS-NMOS全兼容功率集成结构的设计方法.该结构采用与VDMOS工艺兼容的对接(ButJoint)沟道结构形成NMOS器件,利用VDMOS工艺中p+区反刻过程形成NMOS器件的有源区,利用VDMOS工艺中刻双扩散窗口过程形成NMOS器件的栅区及多晶硅互连线.对MOS电路中的小跨导器件图形的设计及VDMOS与E/EMOS的界面设计进行了分析和讨论 相似文献
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针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给出了不同工艺条件下的模拟结果,并且进行了分析.结果表明,对接沟道NMOS结构能较好地实现VDMOS与p阱NMOS电路的兼容集成. 相似文献
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对VDMOS-NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟,模拟结果分析表明:在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下,对接NMOS的对接区域对VDMOS-NMOS兼容结构的击穿特性影响很小,对接沟道NMOS结构可以较好地实现VDMOSFET与p阱NMOS电路的兼容集成.同时通过原理性实验对模拟结果进行了验证. 相似文献
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一种用于锁相环的正反馈互补型电荷泵电路 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一种新型的互补型电荷泵电路.采用正反馈技术,电路由CSMC1.2μm CMOS工艺实现,可工作在2V的低电压下.Spectre仿真结果显示,电荷泵的工作频率为100MHz时,功耗为0.08mW,输出信号的电压范围宽(0~2V),电路速度快,波形平滑,抖动小,在不增加电路功耗的前提下消除了传统电荷泵电路的电压跳变现象.该电荷泵电路可以很好地应用于低电源电压、高频锁相环电路. 相似文献
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设计了一种应用于汽车音响的AB类BTL(bridge-tied load)音频功率放大器芯片.该功率放大器加入了一种新颖的增益修正结构使两输出端口增益匹配,可有效地抑制线性失真.仿真结果表明:在14.4 V或18V的电源电压下驱动4Ω负载,满摆幅输出功率可分别达到25 W和40 W以上;1 kHz频率下输出功率18 W时,输出效率达到35%,总谐波失真为0.4%,具有较高的效率和较低的失真度. 相似文献