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一种I2C总线接口的串行时钟芯片 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了一种采用I2C总线接口的串行实时时钟芯片的设计方法.该芯片是一个低功耗、完全BCD码的时钟/日历芯片,地址和数据通过I2C双向数据总线串行传输.时钟/日历提供秒、分、时、日、星期、月和年的时间信息;集成的249 byte的静态随机存储器(SRAM)可用于存储临时信息;内置了电源电压监控电路,可使芯片在掉电时自动转入电池供电模式,并对SRAM进行掉电保护;与微处理器连接时,只占用CPU的2条I/O口线(SDA口线和SCL口线),数据传输速率最高可达400 kHz. 相似文献
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一种高性能低压电荷泵电路 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种高性能低压电荷泵电路.该电路基于Dickson电荷泵,用二极管连接的npn三极管(bc结连接)替代NMOS管.三极管be结的结电压稳定,且漏电流(Ibc)小,故电荷泵电荷转移效率高.在3.3V的工作电压下,实现了11.5V的高输出电压,而且时钟频率低(1MHz),通过分析和仿真,采用二极管连接的三极管电荷泵性能优秀,具有很强的实用性。 相似文献
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设计了一种指数型曲线补偿的带隙基准源电路.利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数型变化的特性,有效地对基准源进行指数型温度补偿.电路具有较低的温度系数,并且结构简单;利用深度负反馈的方法,可有效地抑制电源电压变化给带隙基准源所带来的影响,提高了电源抑制比;为了加大电路的带负载能力,该电路增加了输出缓冲级.用spectre工具对其进行仿真,结果显示在-40 ℃~85 ℃的温度范围内,电路具有12×10-6/℃的低温度系数;当电源电压在4.5 V到5.5 V之间变化时,基准源电压的变化量低于85 μV.电路采用0.6 μm BICMOS工艺实现. 相似文献
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设计了一种低失真、高电源抑制比的D类音频功率放大器.该功率放大器采用幅值为1 V,频率为300kHz且斜边失真小于0.1%的双边三角波作为载波的PWM调制方式,大大降低了D类音频功率放大器的总谐波失真度,并提高了系统的电源抑制比.仿真测试结果表明:在5V的电源电压下驱动4Ω负载,可提供2 W的额定输出功率, 且典型总谐波失真小于0.08%,在频率为217 Hz时电源抑制比可达到77 dB.在保证D类音频功率放大器高效率输出的同时,也保证了输出信号较小的失真度和较强的抗电源干扰能力. 相似文献
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提出了一种集成式智能化电压调节器结构,讨论了有关汽车发电系统故障与异常现象,分析了由该集成结构实现各种故障及异常现象判断与处理的原理,并对该电路实现多功能指示与同步激磁进行了设计分析 相似文献
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贴壁生长的BHK-21细胞或IB-RS-2细胞分别用胰酶或胰酶与EDTA混合液消化成单细胞,用聚乙二醇(PEG)或适宜温度(30℃)下的离心力诱导BHK-21细胞或BHK-21与IB-RS-2细胞融合。从细胞形态与融合频率两方面显示出PEG与离心力都能引起细胞融合,几个离心力组的融合频率比PEG组低,但几个离心力组的细胞损伤比PEG组为轻。这说明了物理因子也能像生物、化学因子那样诱导细胞融合,并初步讨论了融合机理。 相似文献
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LVDS高速I/O接口电路设计 总被引:8,自引:0,他引:8
提出了一种用于传输高速数据的LVDS(Low Voltage Differential Signaling)驱动器及接收器的设计.基于MOS管的大信号模型计算了电路的参数,根据TSMC(台积电)的0.25μmCMOS工艺模型,在Candence环境下用Spectre仿真器模拟,调整各个MOS管的宽长比,确定了电路各参数.给出了驱动器和接收器互连的仿真结果,仿真结果表明该LVDS驱动器和接收器能稳定工作在1GHz的工作频率下,LVDS高速I/O接口电路能使计算机之间、芯片之间的数据传输带宽达到Gbit/s级.有广阔的应用前景。 相似文献
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动态驱动LCD视频控制芯片的设计 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了一种功能较完备的动态驱动LCD视频控制芯片的设计.通过借鉴已有的同类显示控制器的设计经验,完成了系统的功能定义和系统结构设计.根据“自顶向下”的设计思想,将系统进行层次化功能划分,并用Verilog硬件描述语言对各模块进行了RTL实现.对电路的逻辑功能和时序关系用Modelsim软件进行了仿真验证,结果表明该动态驱动LCD视频控制芯片实现了预定的设计指标. 相似文献
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给出了一种新型的汽车电压调节器电路结构.该电路的电压调节功能由脉宽调制过程实现,电路芯片的设计采用双极模拟I2L数字混合结构.通过闭环仿真模拟验证了电路原理的正确性,在模拟分析的基础上,对芯片电路的工艺设计和版图设计进行了讨论 相似文献
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提出一种用于汽车发电系统电压调节的新型电路结构.论述了该电路的基本工作原理,着重分析了电路中中心处理单元的工作机理.对电路的集成芯片设计进行了讨论,并给出了由该芯片电路构成的电压调节器装置的主要性能 相似文献