多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

该文利用辐射强度指数衰减率,多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式和光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。结果表明:当I_a/I_0>0.4时,阴极最佳厚度D应在1000A以上,并且D随I_a/I_o上升而增加。高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。该文同时指出:对第一类阴极(S-20,S-20R,S-25),D应为300A左右;对第二类阴极(New S-25,Varo,LEP)则为900A。并预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出,随着光电子逸出深度和入射光波长增加,光电阴极厚度增加。如果光电子逸出深度在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极最佳厚度D应在1200A左右。     

光电材料动态自动光谱测试仪的研究与应用

智能式光电材料动态自动光谱测试仪已在实验室研制成功。该仪器不但能用于夜视器件与材料的光谱响应测试，而且还能通过光纤传光束，解决夜视器件与材料研制过程的光谱响应监控测试。除此之外，该仪器还可用于０．４￣１．５μｍ范围光学材料透过率测试。配置紫外光源，还可用于紫外光电发射材料光谱响应测试。配置３００／ｍｍ与１００／ｍｍ光栅与红外光源，可解决热成像器件的光谱响应测试问题。     

二代像增强器 MCP 的 XPS 分析

为降低微通道板（ＭＣＰ）的噪声，提高二代像增强器的产品成品率，该文利用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对二代倒像管和近贴管的ＭＣＰ电极表面进行组份分析。实验发现用氩离子（Ａｒ＋）溅射３ｍｉｎ后，在近贴管的ＭＣＰ电极表面检测不到碱金属元素钾（Ｋ）、钠（Ｎａ），而在倒像管ＭＣＰ电极表面Ｋ的含量为２．１６％，Ｎａ的含量为５．６４％，且在ＭＣＰ电极表面发现铅（Ｐｂ）原子谱峰。实验分析认为，ＭＣＰ电极表面吸附的碱金属Ｋ，Ｎａ与从ＭＣＰ体内偏析于表面的Ｐｂ是二代像增强器背景噪声的主要来源之一。     

非制冷热成像系统偏置电压的数值分析

在微测辐射热计理论分析的基础上,利用数值计算的方法讨论了偏置电压与噪声、噪声等效温差(NETD)及探测率D*性能参数的关系,确定了微测辐射热计最佳偏置电压范围在1.0~4.0 V,在该范围内可以获取67.7~41.1 mK的NETD,6.1×109~1.15×1010cmHz1/2/W的探测率,品质因子达到2.6~1.4。在1.0~4.0 V的偏置电压范围内,探测器的性能可达到最优化。     

NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用

该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法，选用双偶极层表面模型，计算了GaAs:Cs-O NEA光电阴极的电子表面逸出几率，比较了2种双偶极层模型的异同点，计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大，并粗略推测了该偶极层的厚度。     

边缘检测算子在微光瞄准仪检测系统中的实现

多环境试验条件下微光瞄准镜检测技术一直是军备生产所关注的问题。由于振动、射击、冲击、跌落和高低温环境等载荷作用下,使微光瞄准镜机械、光学结构和电性能参数发生改变,导致微光瞄准镜不能正常工作和使用。本文设计了多环境试验条件下的微光瞄准镜检测与测试系统,给出了由CCD组成检测系统工作原理。对微光瞄准镜图像边缘特性进行分析,运用了边缘检测算子运算算法,确定其精确数值。结合实际工程应用,其测量精度≤0．05密位,测量范围≥40密位,达到项目要求。     

智能建筑中空调系统的综合节能

在建筑物,甚至是智能建筑的空调系统中,变风量和变流量往往是相互孤立的。利用交换热量Ｑ 为媒介,建立起它们之间的联系,讨论温控空调系统的最优控制,理论上定性给出系统调节的最优控制算法,在此基础上提出新的节能指标。阐述结构参数对空调系统节能的影响及能量存储、回收等节能措施及技术展望,总结各种实用的工程方法,对同时调节温度和湿度的空调系统做分析与评价。     

红外图像非均匀性校正算法评估

红外图像非均匀性校正算法的选择直接影响成像质量和实现的难易程度.通过采集到的红外图像,对常用的几种非均匀性校正算法进行了定量分析和定性比较,结果发现,两点非均匀性校正算法、两点与LMS综合算法均有较好的校正效果,但综合算法具有更小的剩余非均匀性.非均匀性的评估为红外图像处理算法的选择提供了依据.     

多碱阴极光谱响应监控研究

该文介绍了在一代像增强器多碱阴极制备过程中，对其光谱响应进行连续监控的装置、试验结果等，并作了简单的分析。研究结果表明，Ｎａ２ＫＳｂ材料在制备过程中一直是一种稳定的ｐ型半导体，随着Ｎａ２ＫＳｂ膜层厚度的增加，其峰值响应波长向长波方向移动，白光灵敏度也相应提高；锑、铯交替降低了Ｎａ２ＫＳｂ的电子亲和势，延伸了光谱响应的长波阈值；锑、铯交替的表面处理是最终获得高灵敏度多碱阴极的关键。