NaI晶体电子结构的研究

利用ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案和自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度。确定了价极位置，得出了其能能隙和价带宽度。     

新型稀磁半导体Cu掺杂LiMgN的电子结构和光学性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强.     

卤化锂晶体能态密度的研究

利用扩展休克尔方法，计算了卤化锂晶体的能态密度，确定了价级位置，得出了能隙和价带宽度。     

Ni51Mn25．5Ga23．5单晶大的自发相变应变和磁感生应变

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25．5Ga23．5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1．62％的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1．5％且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。     

静电场的求解方法探讨

我们求电场时,一般是运用叠加原理求电场强度,这也是最基本的平面场的求解方法。对于复杂的求解电场强度问题,它不适用。因此,我们必须掌握多种求电场问题的方法。本文主要介绍分离变量法和电像法来求解电场问题。     

Ni51 Mn25.5 Ga23.5 单晶大的自发相变应变和磁感生应变

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。     

图的(1,f)——奇因子

一个图 G 的(1,f)——奇因子 F 是一个如下定义的支撑子图,即 f 是以▽(G)为定义域,而值域在{1,3,…,2n-1,…}中的函数;对每一个点 v∈V(G),d_F(v)∈{1,3,…,f_(n)}.加纳干雄1987年4月在东京召开的日本全国数学会议上猜想 G 有一个(1,f)一个奇因子当且仅当o(G-S)≤sum from ν∈s to f(v), SV(G).本文给出它的证明.     

能带梯度的推导

导出了能带梯度的具体表达式，解决了Ｓｈａｎｋｌａｎｄ的内插方法扩展到包括能带梯度时，能带梯度的求值问题。     

Ni46Mn35Ga19单晶中磁转变和马氏体相变的物理表征及形状记忆效应

NiMnGa是最早发现的铁磁形状记忆合金,是一种新型的形状记忆材料。自发现以来,许多学者对其进行了深入的研究,但对磁转交和马氏体转变共同发生的转变特性却缺乏系统的表征。本文采用多种测量手段,如相变潜热、电阻、交流磁化率和应变测量,对提拉法生长的Ni46Mn35Ga19单晶的磁转变和马氏体相变同时发生的转变行为进行了系统表征;根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理,对实验结果进行了分析和讨论。应变测量结果表明,伴随该转变行为,材料展现出应变量达-0．89％的自发双向形状记忆效应和应变量高达-1．90％的磁控形状记忆效应。