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141.
微生物法处理非同层混合高结垢采油污水过程中,垢晶体在微生物表面聚集、沉积,会使微生物降解原油能力降低。探讨了吸附诱导除垢+混凝沉淀的高结垢混合采出水预处理技术对微生物降解原油效果的影响。实验结果表明:对于结垢量为25~2 990 mg/L的长2层与长6层混合水,假单胞菌在结垢量为25~745mg/L的混合水中,原油降解率为50.53%~56.25%,在高结垢量为1 020~2 990 mg/L的混合水中,原油降解率降低至19.75%~26.51%;在长2层与长6层采出水混合比为9∶1、结垢量为2 990 mg/L混合水中,加入40 mg/L壳聚糖改性黏土(吸附诱导时间20 min、p H为7.5)、60 mg/L PAC、1.0 mg/L PAM(分子量为1 200万)处理后,水的透光率为99.18%,结垢量为45 mg/L,假单胞菌的原油降解率达到66.07%。 相似文献
142.
FOF2为F-box蛋白家族成员,其生物学功能尚不清楚.采用实时荧光定量PCR和生理学实验相结合的方法,对FOF2基因的表达模式及其在拟南芥抗盐和冷胁迫响应中的作用进行了分析.研究发现,FOF2在拟南芥根、茎生叶和果荚中表达较高,并且其表达受盐和冷胁迫诱导.FOF2过表达株系对盐胁迫敏感,与野生型相比种子萌发率低、幼苗主根较短;相反,fof2突变体对盐胁迫的敏感性则减弱.FOF2过表达和缺失突变体种子萌发对冷胁迫无响应,但其主根在冷处理中分别比野生型短或者长.盐处理下,FOF2过表达株系中盐胁迫反应相关基因的表达量显著降低,fof2突变体中则升高;冷处理下,FOF2过表达株系中冷胁迫反应相关基因的表达量显著升高,fof2突变体中则降低.结果表明,FOF2在植物抗盐胁迫响应中起负调控作用,在抗冷胁迫响应中则可能起正调控作用. 相似文献
143.
144.
磁刺激具有有效、无痛、无损伤、易于重复和操作简便等显著的优点,在中枢神经功能检测和神经功能恢复等方面具有广泛的应用价值.穴位是中医针灸调控神经系统由体表刺激到体内的切入点,对研究大脑调控机制和疾病的治疗有重要意义.本研究利用格兰杰因果关系构建基于磁刺激内关穴(PC6)的脑电(EEG)信号的脑功能网络,探究大脑的因果关系变化规律,并对比分析了安静和磁刺激两种状态下的脑功能网络的拓扑性质.研究表明,磁刺激内关穴前整个大脑系统的信息流向是平衡的,而磁刺激内关穴后额叶区的格兰杰因果关系的强度增加,且信息流向主要由额叶流向枕叶.顶叶区C4介数中心性强度显著提高.网络的传输效率提高,网络的"小世界"属性增强. 相似文献
145.
为了得到煤层气排采中影响螺杆泵寿命的因素,为进一步优化设计参数提供依据,利用有限元及实验方法对定转子接触状况进行了研究。通过建立螺杆泵定转子二维平面应变模型,以转子上圆心附近位置两点运动轨迹为对象,分别得到了不同转速及不同过盈量下的接触应力拟合方程及曲线,得到了在定子内腔不同接触位置处的剪应力及接触应力云图,并与实验分析结果进行比较。结果表明:定转子间过盈量越大,定转子接触磨损痕迹越深。剪应力分布的范围在直线中心处类似椭圆状,且椭圆长轴与直线约成45°夹角,过盈量越大,椭圆越大。剪应力最大的位置为点接触处,而该处粘着磨损较严重,接触应力最大位置为线接触处,与实验的形貌分析结果一致。 相似文献
146.
本文采用文献资料法、问卷调查法,数理统计法等研究方法,针对广州大学体育学院乒乓球教学现状进行分析,对促进乒乓球专项班的教育改革和发展起到有一定的实践意义,为今后的乒乓球教学提供参考. 相似文献
147.
屈德扬 《湖北师范学院学报(自然科学版)》1985,(2)
什么是化学反应速率,它怎样表示,在现实的教科书和化学文献中尚未统一,给学生们带来一些困难。下面就这个问题谈谈一些看法。 所谓化学反应速率是指化学反应的快慢,为一标量(代数量),而不是向量(几何量)。因此应采用化学反应速率,而不采用有些书上采用的化学反应速度这一名词。根据国家标准GB 3102.8量8—51.1的规定,这个量的名称为“化学反应速率”。 化学反应速率的符号取(或J),定义=dξ/dt(式中t为时间),它的单位是摩〔尔〕每秒,单位的符号为mol/s。这就是说:根据国家标准,化学反应速率定义 相似文献
148.
屈尔宁 《首都师范大学学报(自然科学版)》1989,10(1):81-84
本文介绍了两套容易制作,可供学生搭制的,并能很容易插接出结构化学中所涉及的大多数简单晶胞模型的教具。教学实践证明,由于这套模型的使用,对学生了解晶胞间的内在联系和掌握记忆这方面知识均收到较好的效果。 相似文献
149.
屈超纯 《云南大学学报(自然科学版)》1985,(2)
在地球物理探矿电阻率法电测深理论中,用实测电位差求出水平层各层厚度和电阻率是电测深理论主要解决的问题。在两层时A.H.T导出了,当r→0时视电阻率等于第一层介质电阻率,当r→∞时视电阻率等于第二层介质电阻率。当层数增多时,生产中仍使用这一结论。本文从水平层点源场电位递推关系[4]出发来证明这一结论。 相似文献
150.