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931.
采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究. 室温下, 将3.5 ´ 1016 cm-2的H+或9 ´ 1016 cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内, 700oC退火形成纳米孔, 研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5 ´ 1013, 5 ´ 1014, 5 ´ 1015 cm-2)的吸除. 剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明, 700oC以上, Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart-Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底, 并被纳米孔吸附. SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用, 但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂, 且高温下会将杂质释放出来. Smart-Cut SOI的氧化埋层界面完整, 不具备吸杂作用. 1000℃退火后, 纳米孔可吸附高达3.5 ´ 1015 cm-2 以上的Cu杂质, 纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高. 当顶层硅中Cu剂量低于5 ´ 1014 cm-2 时, 纳米孔吸杂效率达到90%以上, 并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4%以下. 纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径. 相似文献
932.
水稻赤霉素20-氧化酶基因(rga5)的正、反义转化对水稻生物学性状的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
通过PCR方法从水稻“矮子占”和“南特号”的基因组DNA中分离出赤霉素20-氧化酶基因(rga5, 其编码区含1119 bp. 其编码蛋白与已报道的水稻赤霉素20-氧化酶基因OsGA20ox相比有11个氨基酸不同, 其中9个氨基酸为移码差异. 通过基因枪法将该基因的正、反义表达质粒pSrga5和pArga5转化水稻“中花8号”, 获得了生物学性状有明显变异的转基因植株. 正义转化表现出植株增高、叶片和穗变长、穗粒数增加等特征, 但花期未受明显的影响; 而反义植株表现出明显的“矮化”和“早花”, 且出现植株细弱、叶色加深、叶片和穗变短等特征. 转基因水稻的分析结果表明, (rga5正、反义外源基因已分别整合到水稻基因组中, 并有效表达; 正义植株体内的GA1平均增加约50%, 反义则降低至对照组的约10%. 结果表明, rga5是水稻赤霉素合成代谢途径中起关键作用的赤霉素20-氧化酶基因, 该序列中11个氨基酸的变异并不影响其功能. 正义表达可增强体内GA的合成, 促使植株生长, 增加株高; 反义转化则抑制了内源GA的合成及植株生长, 导致植株明显的矮化. 相似文献
933.
考比认为,对大多数的人来说,面对压力他们的优先选择分别是:自我、团队、家庭和朋友。也就是说,最不怕死的恐怖分子,在压力增加到一定程度以后,首先考虑的也还是自身的安危。考比坚信自己的理论不会出错:“有一个古老的阿拉伯谚语:让一百个母亲哭泣去吧,只要我的母亲不哭———但让她哭也总比我自己哭好。” 相似文献
934.
SBS剂量对改性沥青性质的影响 总被引:4,自引:3,他引:4
应用BBR和DSR流变仪,测定了同一种SBS以不同剂量对相同的沥青进行改性后样品的流变性质。通过对流变性质与SBS剂量之间关系的分析研究,发现改性沥青的高、低温性质随着SBS剂量的增大而改善,而这些均与改性沥青的亚微观结构有关。结果表明,改性沥青宏观性质的不同在很大程度上是由其亚微观结构所决定。 相似文献
935.
磁畴结构是来源于能量最小原理的定性分析 总被引:3,自引:0,他引:3
根据泡里不相容原理和能量最小原理,对铁磁质磁畴的形成原因进行了粗略的定性分析,此结果可直接应用于物理基础教学和物理实验教学. 相似文献
936.
用系列粘度数据分析SBS改性沥青的结构特点 总被引:4,自引:2,他引:4
采用Brookfield旋转粘度计,对几种改性沥青高温下的粘度进行了研究,发现不同的改性剂在同一沥青中以及同一改性剂在不同沥青中粘度差异较大。这一结果表明不同改性沥青微观结构是不同的,这种微观结构的差异直接影响着改性沥青的性质。 相似文献
937.
在全系数自适应控制方法基础上,利用低阶等效和规范化模型方法,对自寻的导弹制导系统设计了一种新的自校正控制器.数字仿真结果表明,这种控制器对自寻的导弹有很好的控制效果,而且控制器算法简单,具有较强的鲁棒性。 相似文献
938.
安鸿志 《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》1989,(1)
广义线性模型包括了回归、自回归及其混台型的线性模型,是一种比较广泛的统计模型.对它的拟合,主要包括了对参数的最小二乘估计,以及对自变元的选择估计.本文的目的在于,综述近十余年在此领域中的重要研究成果,其中也包括介绍某些主要结论的证明方法. 相似文献
939.
940.