科学管理博物馆图书资料的几点建议

图书资料管理是博物馆工作中非常重要的一项工作.图书资料的管理和文物陈列展览、藏品保管、导览讲解、古建筑修复和科研工作而进行的图书、文献史料、等工作都是密不可分的.要使博物馆图书资料工作跟上新时期的步伐,就必须搞清图书资料工作的定位,强化知识管理以及改变工作模式等方面入手,对博物馆的图书资料实行科学管理.     

被动采样分析大气中的低浓度挥发性有机物BTEX

在对数百个ORSA被动式采样器进行实验的基础上,提出了一种大气中低浓度挥发性有机物BTEX（苯、甲苯、乙苯、邻／对／间二甲苯）标准溶液的配制方法以低浓度BTEX的分析方法,并在数千个样品中得到了使用验证．平行实验检测结果表明,ORSA被动采样器中BTEX的回收率大于95％,相对标准偏差在0．4452％～6．28％之间．     

基于Maplnfo的商业地产管理信息系统的构建

文章从系统开发平台的选择、功能开发及系统特点等几个方面介绍了作为城市商业地产的一种——百货商场的管理信息系统的开发与实践。系统以MapInfo为平台,采用、VB开发语言和OLE技术,利用Access管理属性数据,开发了地图与数据相结合商业地产管理信息系统,实现了图形、属性及相关信息的一体化管理。     

基于连杆滑块机构的新型半自动柜门开关设计

针对目前柜门把手折断替换、使用不便和清洗麻烦等问题,提出了一种基于连杆滑块机构的新型柜门半自动开关设计方案。该新型开关由柔性驱动装置、连杆滑块机构、锁扣以及弹簧等组成。柜门的开与关两种动作只需依靠推动柜门来实现,且结构简单,工作可靠,能承受较大冲击。分析了这种开关的基本工作原理,并从机构自由度、机构死点、机构运动学、机构静力学和动力学角度分析机构设计的合理性。最后进行了运动仿真和样品制作,验证提出的设计方案是可行的。     

水稻钵盘投种过程中籽粒运动随落种高度变化的高速摄像验证分析

为了研究播种装置投种机理、判别稻种投种过程中单个籽粒和多个籽粒运动速度与落种垂直高度之间的关系,通过Matlab仿真获得了稻种单个籽粒和多个籽粒的落种垂直高度与运动速度的变化规律,同时,在与仿真条件相同的情况下,利用高速摄像技术对仿真结果进行了验证对比分析,得出,投种过程中稻种的运动规律受稻种落种垂直高度影响,且呈线性递增的趋势的结论。     

校园网补丁升级与漏洞扫描方案的研究

本文以某单位校园网为研究对象,针对现阶段校园网主要面临的蠕虫泛滥的问题,在相关理论研究的基础上结合校园网的三期安全改造工程进行了安全方案的研究.本文设计了将计费网关与漏洞扫描及流量监测技术相结合的方案,解决了校园网客户端用户主机补丁包升级、校园网客户端主机漏洞扫描、漏洞主机提示以及暂时中止中毒主机访问互联网等问题,收到了较好的效果.本研究对于其他中型规模的校园网络或企业网络具有一定的参考价值.     

灰狼优化支持向量机的推荐算法

针对推荐系统中用户项目评分矩阵稀疏性和冷启动问题,采用灰狼算法(GWO)优化支持向量机(SVM)分类器,二者相结合,提出一种新算法.利用卷积矩阵分解模型(ConvMF)提取用户-项目数据的有效特征向量,降低维数,形成样本集.再将样本集用于向量机的分类识别,对错分点进行自动检测,通过灰狼算法迭代更新,找出全局最优值,从而...     

误差为AANA序列时非参数回归模型估计的相合性

研究了误差为AANA序列时非参数回归模型未知函数g(.)估计量的相合性问题,而AANA序列比NA序列要弱.在一般的条件下,利用Cr不等式、Jensen不等式、AANA序列的极大值不等式以及权函数的一些性质,给出了非参数回归模型未知函数g(.)估计量的p-阶平均相合性和一致p-阶平均相合性,推广了相关文献已获得的部分结果.     

赶超阶段的科技投融资体系构建——以韩国和我国台湾为例

首先从数量和投资重点剖析了韩国和我国台湾地区赶超阶段科技投资的特点。然后从财税和金融两个角度分析了促进科技投资的政策。如何构建完善的科技投融资体系,应该建立财政科技投入的稳定增长机制,创新财政科技投入方式,加强财政直接投入与税收间接优惠的协调,更加注重人力资本投入,建立有中国特色的风险投资和完善多层次金融体系。     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.