天花粉突变体的分子模建及静电势计算：活性残基在静 …

用分子动力学模拟和静电学计算研究天花粉蛋白在１２０－１２３位的定点突变行为。结果揭示了在突变区附近静电特性和局域构象上的明显的变化，并提出了有关突变的一个可能的物理学的解释。结果建议Ｒ１２２残基对１２０－１２３活性区是至关重要的。     

石墨—硫酸插层化合物的X射线分析

近年来,石墨插层化合物奇特的物理化学性能及潜在的应用价值引起了人们的注意.许多作者对插层化合物的键合作了研究.我们用x射线衍射仪测定了不同级数石墨插层化合物面间距变化以研究插层化合物的键合情况.     

硅单晶微缺陷的激光荧光显示

用室温激光荧光显微技术直接观察了硅单晶中的微缺陷,获得了能与择优腐蚀相对应的微缺陷形貌图.实验表明,激光荧光显微可望发展成为一种无接触、非破坏、高灵敏的硅中微缺陷的显示技术.     

PTC铁电半导体陶瓷的显微结构

半导体陶瓷是近年来发展较快的一类新型功能材料.由半导体陶瓷制成的敏感元件具有灵敏度高、结构简单、使用方便、价格便宜等优点,半导体陶瓷各类应用的前景可观. PTC(Positive Temperature Coefficient of Resistivity)铁电半导体陶瓷是半导体陶瓷的一种.钛酸钡是PTC陶瓷材料的主要成分,PTC陶瓷元件的电性能决定于它的微结构特性.PTC机理是一种晶界的、而非晶粒个体的现象.本文利用选区电子衍射(EDP)、高分辨电子显微术(HREM)及微区X射线分析(EDAX)等手段对以BaTiO_2为基的PTC陶瓷进行了微观结构分析和微量化学分析,着重分析其晶界结构和晶界的化学     

扫描光荧光表征半导体材料特性

报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.     

芳胺取代二(苯乙烯基)芳烃制备的单层有机电致发光器件

合成了具有双极载流子传输性能的有机发光材料BPAVB,制备了绿色单层有机电致发光器件。     

羟基磷灰石（HAP）生物复合材料的研究

羟基磷灰石生物复合材料被越来越广泛地应用于医学的整形领域,这是一种很用的材料。文中综述了羟基磷灰石生物复合材料的类型、等,并对现有的此类生物材料提出了一些看法。     

家蚕滞育性生物钟蛋白EsteraseA4的结构模建

利用同源模建的方法构建了家蚕滞育性生物钟蛋白ＥｓｔｅｒａｓｅＡ４的三维结构，并对其二级结构及活性部位进行了分析，根据三维结构及分子表面的静电势与疏水性分布的分析，酶活性主要来自于二硫键和糖基位，它们的作用机理分别为疏水性相互作用及静电相互作用。     

多层布线中的残余热应力预报

采用有限元方法的集成电路高密度封装中的多层布线内的残余热应力进行了计算，结果显示在钨钉／业胺结合点处存在大的应力及应力梯度，这可能导致金属空洞或界面处分层，甚至使整个多层布线系统失效；比之于杨氏模量，介质热膨胀系数的起伏结构中的最大应力有严重的影响。