基态的HCN和HNC分子的势能面

运用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-311++G**水平上,对基态HCN和HNC分子的结构进行了优化计算,得到HCN分子的稳定结构为C∞v构型,电子态为X1∑+u,平衡核间距RH-C=0.1066 nm、RC-N=0.1149 nm,离解能De=18.88 eV; HNC分子的稳定结构为C∞v构型,电子态为X1∑+u,平衡核间距RH-N=0.09996?nm、RN-C=0.1169?nm,离解能De=18.256?eV,用多体项展式理论推导了基态HCN和HNC分子的解析势能函数,其等值势能图准确再现了基态HCN和HNC分子的结构特征及其势阱深度与位置.     

应力对GaS结构和光学性质的影响

基于密度泛函理论的第一性原理方法,分析了应力对其光解水性质的影响。通过施加压应力,二维GaS的导带底位置下移,价带顶位置上移,使其禁带宽度减小,且导带底电位处于H~+/H_2还原势之上,价带顶电位处于O_2/H_2O的氧化势之下,材料的光催化能力得到增强。然而,施加拉应力时,导带底电位处于H~+/H_2还原势之下,阻碍了水光解反应进行。     

BeH分子A2∏12和2∏32电子态的势能函数

采用多组态简并微扰理论计算了自旋轨道耦合下的BeH分子第一激发态A2∏的分裂,得到了这些分裂态的Murrell-Sorbie势能函数,在此基础上推导出了电子态2∏12和2∏32的光谱常数. 2∏12到2∏32的垂直激发能为78.422 cm-1,对于电子态2∏12和2∏32的光谱数据在我们的计算中首次给出.     

11B16O分子基态(X2∑+)从头算研究

利用密度泛函理论TPSSH泛函和aug-cc-pv5z基组对~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)的几何结构进行了优化计算,得到了~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)的平衡核间距R_e,谐振频率w_e,非谐振频率w_eχ_e,刚性转动因子Be,非刚性转动因子αe和离解能De等光谱常数,其值分别为:R_e=0. 120 58 nm,w_e=1 913. 060 1 cm~(-1),w_eχ_e=11. 778 0 cm~(-1),B_e=1. 778 0 cm~(-1),α_e=0. 015 69 cm~(-1),D_e=8. 248 8 e V。在0. 06～0. 36 nm的核间距内对~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)进行单点能扫描,同时利用最小二乘法将扫描的结果拟合成了解析势能函数,以得到的解析势能函数为依据,通过求解双原子分子核运动的径向Schr?dinger方程,得到了J=0时,~(11)B~(16)O分子基态(X~2Σ~+)的45个全部振动态,并求出每一个振动态的振动能级及相应各振动态的6个离心畸变常数(D_υ,H_υ,L_υ,M_υ,N_υ和O_υ)。     

Ar与HF的相互作用势及分波截面的研究

通过单双取代并加入三重激发项校正的二次组态相互作用(QCISD(T))方法,采用aug-cc-pVTZ基组完成对Ar-HF分子间相互作用势进行全空间扫描,使用Boys和Bernardi提出的counterpoise method,在计算的基础上消除基组重叠误差,得到更为准确的碰撞系统势能面情况.采用Huxley势函数拟合得到Ar-HF较为可靠的相互作用势,进而对Ar与HF的相互作用势进行探讨.使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50meV和100meV时,Ar与HF的分波截面,弹性分波截面00-00,以及非弹性碰撞激发分波截面00-01,00-02,00-03等,得到Ar-HF碰撞系统分波截面随量子数和入射能量变化的规律.     

GaAs在外电场作用下的分子特性研究

用密度泛函B3LYP方法在6-311++g(3df,3pd)基组水平下对GaAs在不同强度外电场(-0.003～0.003 a.u.)下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极矩、能级分布、能隙、电荷分布、红外光谱及势能曲线的影响.结果表明,随着Ga→As方向外电场的增加,分子键长、偶极矩增大,原子电荷也递增,能隙、谐振频率及其红外强度递减,总能量降低;在外电场作用下,GaAs基态分子势能曲线也发生变化,离解能随之变化.     

Bell分子A^2∏1/2∏3/2电子态的势能函数

采用多组态简并微扰理论计算了自旋轨道耦舍下的BeH分子第一激发态A^2∏的分裂,得到了这些分裂态的Murrell-Sorbie势能函数,在此基础上推导出了电子态^2∏1/2和^2∏3/2的光谱常数.^2∏1/2和^2∏3/2的垂直激发能为78．422cm^-1,对于电子态^2∏1/2和^2∏3/2的光谱数据在我们的计算中首次给出．     

氦同位素被氟化氢散射角分布的计算

用密耦方法计算了碰撞能量分别为20和86 meV时,3He,4He,6He和9He被HF分子散射的角分布,总结了氦同位素原子对He-HF散射角分布的影响.计算结果表明:在同一入射能量下,随着入射氦同位素原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;He同位素原子与HF分子碰撞发生的彩虹现象越明显.     

N,F和S掺杂对TiO_2电子结构与光学性质的影响

基于第一性原理的计算方法研究了掺杂N,F,S的锐钛矿相TiO2的晶体结构、电子结构及光学性质。计算结果表明掺杂后晶格发生了变化,同时导带位置下移导致了TiO2的禁带宽度变小。S掺杂使TiO2在紫外光区和可见光区有更强的光吸收特性。     

B_2基态分子结构及势能函数研究

利用密度泛函理论B3LYP方法,分别选用D95*、3-21+G、6-31G*、6-31+G*、6-311G*、6-311+G*、cc-PVDZ和cc-PVTZ等基组对B2基态分子进行结构优化.选用最佳组合B3LYP/cc-PVTZ研究了B2基态分子结构和势能函数,导出离解能、力常数(f2,f3,f4)和光谱常数(ωe,Be,αe,ωeχe).结果表明:计算出的离解能和光谱常数与实验值吻合较好;基态分子的势能函数可用Murrell-Sorbie正确表示.