氧化铟中某些杂质元素的光谱半定量分析

一、绪言关于光谱半定量分析中的数阶法(又称显綫法,我国黄本立等曾用以进行了某些矿石及纯金属中杂质的中定量分析工作.我们采用此法对氧化铟中11种杂质进行了半定量分析.为了提高分析的准确度,我们引入了内标,另外还对国产“东方红”牌感光板与苏联Ⅰ型感光板的分析情况进行了比较.分析时将样品装于石墨电极小穴内,     

ZnTe单晶的生长方法

本文叙述了ZnTe单晶的两种生长法——布里支曼法和以Te、Zn为熔剂的熔液生长法。同时对生长的晶体进行了位错观察及霍尔系数等电学参数的测量。此外,还对杂质的偏析进行了初步探讨。     

硅外延层中某些重金属杂质的化学光谱定量分析

随着半导体材料的发展,近来对薄膜半导体材料的分析提出了新的要求。目前,国外己采用了各种分析方法,如离子探针质谱、放射化学分析、原子吸收光谱及化学光谱分析法。 我们结合任务要求及现有条件,开展了用化学光谱法分析硅外延层中的某些重金属杂质的工作。方法的要点是以氢氟酸与硝酸为腐蚀液,控制不同的时间,将硅的外延层逐层腐蚀下来,然后在密闭条件下加热,使基体挥散,以达到分离和浓缩杂质的目的,最后将浓缩物以光谱测定。 考虑到被测杂质大多数为电活性杂质(如Ag、Cu、Mn、Ni、Au、B等)环境污染较少,试剂空白也较常见元素低的原故,所以采用了化学光谱法。在国外主要是用空心阴极光源,由于这种方法操作复杂,且受现有条件的限制,我们采用了近来发展的“氩弧法”。该法的特点是对某些元素分析的绝对灵敏度高,且设备简单,操作方便。因此对薄层分析是有利的。根据我们测定的结果,各种元素测定的灵敏度为: Ag 1.0×10~(-11)g,Be 1.0×10~(-10)g;Mn 1.0×10~(-9)g; Cu 2.0×10~(-9)g; Au 2.0×10~(-9)g; Fe 3.0×10~(-9)g; Ni 1.0×10~(-8)g; B 5.0×10~(-8)g;Zn 2.3×10~(-8)g. 标准偏差2—50％。     

CO气体敏感元件的研究

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ２材料和γ－Ｆｅ２Ｏ３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ２．ｌｎＯ３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。