无辅源宽范围可调脉冲IGBT驱动模块研制

针对传统绝缘栅双极型晶体管(IGBT)隔离驱动方式存在的一些缺陷,提出了一种新的可调脉冲IGBT变压器隔离驱动方式.利用控制脉冲的前、后沿所形成的窄脉冲对IGBT的门极电容进行充放电来控制IGBT的开通和关断,使其可以工作在较低的输出脉冲重复频率,同时可以用作斩波的驱动,其输出信号的占空比可达5%⁹5%.这种驱动电路结构简单、成本低廉.     

中频离子氮化脉冲电源的控制电路设计

介绍了自行研制的中频离子氮化脉冲电源的结构.利用UC 3825B设计了中频离子氮化脉冲电源的逆变控制电路,同时设计了一种新的灭弧保护电路.该控制电路已成功用于离子氮化脉冲电源,解决了高频变压器的偏磁问题,保护电路能快速可靠地灭弧,灭弧时间约为2.5μs.     

LED电源几种保护电路的设计

根据半导体二极管负载的特性,设计了30A/20V开关型稳流电源变换桥的直通保护、过电流保护、过电压保护以及防开关抖动引起电流过冲等的保护电路,分析了电路工作原理.实际应用表明:这些保护措施起到了防止过流、过压以及抑制尖峰电流的作用,能有效地保护电源和LED负载,延长其使用寿命.     

基于现场总线的等离子体表面处理监控系统的设计

设计了一种基于现场总线的等离子体表达处理工艺计算机监控系统,该系统采用现场总线组网,主控机采用工业PC机,下位机为PIC单片机,通过智能仪表及执行机构等,实现了用一台工控PC机管理多台PIC单片机,完成了多台等离子体表面处理设备的实时测控。     

一种基于CPLD的宽可调PWM信号发生器

介绍了自行研制的利用基于复杂可编程逻辑器件(CPLD),实现的一种频率宽可调、高频调制的PWM信号发生器.该PWM信号的频率在1～2kHz可调,并调制在3～100kHz任意可调的高频脉冲上;其死区时间可调,且实现了2路信号输出互锁.     

双层辉光离子渗金属技术沉积氮化钛薄膜的微观结构研究

采用双层辉光离子渗金属技术,在硬质合金基体表面上制备了氮化钛（TiN）薄膜,通过微观结构和显微硬度分析,研究了基体温度对TiN薄膜性能的影响.实验结果表明：所有TiN样品均具有面心立方结构,并且薄膜生长的择优取向、晶粒尺寸、晶面间距、晶格常数和微观硬度等都与基体温度密切相关.当基体温度为650～780℃时,TiN薄膜具有最小的晶粒尺寸（26.9 nm）和最大的显微硬度（2204 HV）.     

铁电薄膜BIT／PLZT／BIT存储器特性的测试

讨论了铁电薄膜记忆特性的检测方法，研制了专用的测试仪器，并利用它测试了Ａｕ／ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｎ－Ｓｉ铁电薄膜的记忆性能。发现其具有二极管特性且２个读信号对应的检测电流幅度有明显的区别。     

集散控制系统中多机通信的设计

根据以PC机作为上位机,单片机作为下位机构成的集散控制系统的特点,提出了通过PC机串行口实现与多台单片机的实时通信,并完成了相应的接口电路及通信软件的设计.该设计方案已成功的应用于等离子体渗氮控制系统,实际应用表明:系统结构简单,易于扩充,性能稳定可靠.     

液中放电电源的设计与实现

研究了在含氮有机物液体中的施电现象，针对其特点设计了一种高速斩波电源，实现了液中施电渗氮的稳定控制。     

二氧化钛纳米管的制备及其特性研究

以金属钛板作为阳极材料,采用阳极氧化方法制备了二氧化钛(Ti O2)纳米管,通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜等测试,研究了制备工艺条件和超声波源对样品性能的影响.结果表明:纳米管的形貎和结晶性能与工艺参数和超声波源密切相关,退火处理能使样品由不定形相转成由锐钛矿相和金红石相组成的混合相,其生长速度、管径和管壁厚度明显受到阳极氧化时平均电流密度的影响.氧化电压为60 V时所制备Ti O2纳米管样品的管径为90 nm、管壁厚度为21 nm、长度为8μm.