PLC系统在烧结生产中的应用

介绍了烧结机自动化控制方案,对PLC控制系统的配置、主要功能和监测内容及各项功能的实现进行了论述。该系统投入运行后,实现了生产过程参数的稳定化控制,满足了烧结生产的需要,为提高工艺操作和管理创造了条件。     

2株脱氮菌的分离鉴定

利用微生物技术,从河南省平顶山市平西湖水坝下水样中分离和筛选除氮细菌,结果表明：实验所筛选的8株供试菌株分别投入人工水体12 h后,水体的总氮浓度明显下降,说明这些菌株均具有脱氮能力,其中的N13、N22’菌株,其校正脱氮率可达40.38%和40.36%;差异显著性分析表明和其他菌株相比差异达到显著水平,为生物脱氮法治理城市景观水体富营养化提供参考途径和依据.     

对徐州市社区老年人体育锻炼的现状调查与分析

采用文献资料、调查问卷、数据统计等方法,对徐州市社区老年人体育锻炼的现状进行调查。对徐州市老人年体育锻炼的动机、频率、时段、场所、消费状况以及其影响因素进行分析。为今后更好地开展中老年人全民健身运动提供科学依据。     

减法聚类的多分量线性调频信号检测与参数估计算法

针对Wigner-Hough变换在低信噪比下易产生伪峰,导致在进行检测时阈值选取困难,无法准确对多分量线性调频信号进行检测和参数估计的问题,提出了一种基于减法聚类的平滑伪Wigner-Hough(SPWHT)变换的检测和参数估计算法。首先采用平滑伪Wigner-Hough变换(SPWHT),通过平滑交叉项和噪声来达到抑制干扰的目的,并运用阈值分割的图像处理方法进一步消噪,减少Hough变换后所产生的伪峰;再利用较低门限对Hough变换后的图像进行峰值检测,防止对信号的漏检。最后,对于备选峰值进行减法聚类的二次处理,实现信号参数寻优,去除伪峰影响和时频分辨率下降引起的峰值展宽,完成对多分量信号的准确检测和参数估计。该算法通过聚类避免了阈值设置的困难,解决了低信噪比下多分量线性调频信号的检测与参数估计问题。仿真结果表明了在-10 d B信噪比下该算法仍有较好的检测及估计性能。     

二维非定常Euler方程计算方法研究

目的研究二维非定常Euler方程计算方法。方法将修正的Steger-Warming矢通量分裂方法和NND格式相结合构成一种基于Steger-Warming矢通量分裂的差分方法。结果数值计算结果证明该算法有着良好的计算精度和计算效率。结论解决了Steger-Warming矢通量分裂方法在声速附近存在数值解振荡的问题。     

太行菊SRAP-PCR反应体系的建立与优化

相关序列扩增多态性（SRAP）是一种新发展起来的分子标记技术,在太行菊中还未见相关的报道。为建立优化适合太行菊SRAP分析的扩增体系,以太行菊DNA为模板,对影响SRAP-PCR反应体系的5个重要参数设置梯度进行单因素实验分析,以确定最佳的反应条件。经过大量的重复性实验确定了适合太行菊SRPA-PCR反应体系：20μL的反应体系中,模板DNA量50ng,1.25mmol/L的Mg2＋浓度,0.5μmol/L的上下游引物,0.2mmol/L的dNTPs以及Taq酶1U。该体系在太行菊个体中均能扩增出清晰稳定的条带,为后续的太行菊遗传多样性分析奠定了基础。     

基于模糊数学理论的储层评价-以鄂尔多斯盆地 富黄地区延长组长9油层为例

鄂尔多斯盆地延长组中下部组合油气勘探开发程度相对较低,超低渗储层分类与评价是制约该组合层系油气勘探开发的关键。选取可动流体百分数、主流孔喉半径均值、启动压力梯度、黏土矿物含量以及原油黏度作为低渗储层评价指标,建立评价体系,运用模糊数学理论,建立模糊数学模型,对长9储层进行定量评价,进而建立储层评价体系。研究表明,富黄地区长9储层主要为Ⅰ类、Ⅱ类和Ⅲ类储层,不含Ⅳ类储层。通过对富黄地区长9储层和沉积相平面图对比分析,储层分级结果与有利沉积相储层展布有较高的契合度,以期为延长组超低渗油气勘探和开发提供指导。     

透射表面电离生成正离子的解析模拟

基于Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，推演一适用于透射表面电离过程的解析模型，包括系统导流系数的解析表述，中性粒子流密度公式的修正，空间电荷影响下的电离几率等，并给出了与透射型表面电离源实验结果的比较。     

小型轮式拖拉机配套深耕犁设计中的几个问题

本文提出更符合一般土壤犁耕土垡翻转情况的“松散刚体土垡”翻转模式,从而得出土垡宽深比b/a<1.27的合理性与可靠性。通过试验又进一步证明当b/a=0.8左右时,犁耕比阻最小。从理论和实践两方面解决小型轮式拖拉机窄幅深耕配套犁参数设计的几个问题。     

在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。