甾类化合物的直接GC-MS痕量分析

本文采用GC-MS分析方法,直接对甾体激素17α-甲基睾酮(17α-Methyltesterone)β-雌二醇(β-Estradiol)的混合物进行分析。未经衍生中间环节。其检出灵敏度小于1ng。     

用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触

研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10~(18)cm~(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400～460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10~(-6)·Ω·cm~2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好.     

MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火

报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。     

内射余模的Baer准则

本文借助余循环余模，研究了内射余模的Ｂａｅｒ差别准则，统一了右余理想和余循环余模，并给出了余半单余代数的一个同调刻划。     

Frame自正交拉丁方中的截态

本文证明当ｐ为质数幂时．在型为２ｐ的Ｆｒａｍｅ自正拉丁方中存在２（Ｐ－１）个互不相交的截态，且（ｉ）当ｐ大于３且时ｐ≡１（ｍｏｄ４）时这２（ｐ－１）个截态表现为ｐ－１个自对称的截态和（ｐ－１）／２对相互对称的截态；（ｉｉ）当ｐ大于５且ｐ≡３（ｍｏｄ４）时这２（ｐ－１）个截态在现为ｐ－１对相互对称的截态．     

窄幅深耕犁翻土覆盖性能的初探

通过“埋块试验”探讨了犁体宽深比和耕深对翻土覆盖性能的影响,证明了窄幅深耕犁的翻土覆盖性能能满足农艺要求。发现犁的宽深比还影响土垡在行驶方向上的位移距离,用窄幅深耕犁时土垡在行驶方向上的位移距离明显小于普通铧式犁,这很可能是窄幅深耕犁比阻降低的主要因素之一。     

浅析饭店计算机管理信息系统的设计

本文分析和探讨了我国饭店管理业发展的背景以及饭店管理引入计算机和网络技术的意义、饭店计算机管理信息系统中计算机技术应用的主要功能，饭店计算机管理信息系统中要注意的特点。     

格雷码加速遗传算法及其理论研究

在分析基于二进制编码的加速遗传算法的基础上 ,对格雷码编码及加速遗传算法作了深入地探讨 .提出了格雷码加速遗传算法 ( GAGA) ,研制了 GAGA实施的详细步骤 ,并推导出了相应的模式定理和收敛定理 .对 GAGA的有效性和可行性进行了理论分析和实例分析 .结果表明 ,GAGA具有直观、简便、准确、快速和适用性强等特点 ,是一种既可以较大概率搜索全局最优解 ,又能进行局部细致搜索的优秀非线性优化方法 .     

硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导.     

固相合金中的C-Me偏聚理论在陶瓷中的应用

氧化锆陶瓷由于性能优异, 已得到了广泛的应用. 氧化锆陶瓷的相变影响其性能, 为控制相变进而控制性能, 相变机理的研究至关重要. 用固体与分子经验电子理论计算了c-ZrO₂、t-ZrO₂和m-ZrO₂的价电子结构, 得到形成它们强键骨架的共价键上的总共价电子对数分别为3.19184、3.45528和3.79625. 按固相合金中的C-Me偏聚理论的思想推测ZrO₂从高温到低温的相变顺序应为液相→c相→t相→m相. 从价电子结构进行的推断与实验结果完全一致, 说明合金相变的电子理论可以扩展到陶瓷材料中.