冠醚配合物:[K(DB18C6)]2[Co(NCS)4]C3H6O的合成与结构研究

合成了二苯并18冠6冠醚配合物:[K（DB18C6）]2[Co（NCS）4]C3H6O,并通过元素分析、红外光谱及X-射线单晶衍射对结构进行了分析.配合物为:单斜晶系、空间群C2/C.晶体学数据:a=2.051（8）,b=1.517 4（7）,c=1.912 5（8）nm,β=92.422（8）°,V=5.927（4）nm3,Z=4,Dcalc=1.352 g·cm-3,F（000）=2 516,R1=0.061,wR=0.126 5.配合物由两个[K（DB18C6）]+配阳离子、一个[Co（NCS）4]2-配阴离子和一个C3H6O分子组成.四个硫氰酸根的氨原子与钴原子配位,[Co（NCS）4]2-为四面体构型.K+除与冠醚环6个氧原子成键外还与丙酮氧原子配位成键.     

软件扩展槽技术

介绍了I^2C总线及通讯协议，给出了基于I^2C总线的串行E^2PROM在单片机系统中的实际应用中存在的通讯可靠性问题进行了分析，提出了串行E^2PROM在系统应用中提高通讯可靠性的有效解决方法。     

对优秀跳远运动员几个技术因素的探讨

本文运用文献资料和比较分析等方法,对中外高水平跳远运动员的绝对速度、助跑速度、速度利用率、起跳能力等几个技术因素进行探讨,分析了其中存在的差距,在此基础上提出了解决问题、提高运动成绩的建议。     

用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触

研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10~(18)cm~(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400～460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10~(-6)·Ω·cm~2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好.     

MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火

报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。     

Frame自正交拉丁方中的截态

本文证明当ｐ为质数幂时．在型为２ｐ的Ｆｒａｍｅ自正拉丁方中存在２（Ｐ－１）个互不相交的截态，且（ｉ）当ｐ大于３且时ｐ≡１（ｍｏｄ４）时这２（ｐ－１）个截态表现为ｐ－１个自对称的截态和（ｐ－１）／２对相互对称的截态；（ｉｉ）当ｐ大于５且ｐ≡３（ｍｏｄ４）时这２（ｐ－１）个截态在现为ｐ－１对相互对称的截态．     

窄幅深耕犁翻土覆盖性能的初探

通过“埋块试验”探讨了犁体宽深比和耕深对翻土覆盖性能的影响,证明了窄幅深耕犁的翻土覆盖性能能满足农艺要求。发现犁的宽深比还影响土垡在行驶方向上的位移距离,用窄幅深耕犁时土垡在行驶方向上的位移距离明显小于普通铧式犁,这很可能是窄幅深耕犁比阻降低的主要因素之一。     

北京科技工作的"五大深化"和"五大创新"

“首都二四八重大创新工程”实施6年来，尤其是2005年推进“深化二四八，实施一二三”总体工作思路以来，北京科技管理工作和科技发展思路发生了许多深刻的变化。作者将这些变化总结为“五大深化”和“五大创新”。在此基础上，北京形成了比较清晰、完整的科技发展思路，涵盖“目标一方针一战略一思路一措施一核心—保障”各层次的内容。[编者按]     

浅析饭店计算机管理信息系统的设计

本文分析和探讨了我国饭店管理业发展的背景以及饭店管理引入计算机和网络技术的意义、饭店计算机管理信息系统中计算机技术应用的主要功能，饭店计算机管理信息系统中要注意的特点。     

杨振宁的物理教育思想初探

本文从五个方面对著名物理学家杨振宁教授的物理教育思想进行了初步的探讨，并认为这对于我们拓宽视野，深化教育改革具有重要的理论价值和实践意义。