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HfReSi2的合成,晶体结构及成键特性 总被引:2,自引:2,他引:0
电弧熔炼方法合成了HfReSi2,单晶X射线衍射方法测定了晶体结构.晶体学及结构修正参数:化学式,HfReSi2,Mr=420.87,正交晶系,TiMnSi2类型,(55)Pbam,a=0.9140(1)nm,b=1.0051(2)nm,c=0.8081(1)nm,V=0.7424(3)nm3,Z=12,Dx=11.297g/cm3,μ=99.25mm-1(λMoKα=0.07107nm),F(000)=2100,T=296K,对于31个修正参数和255个独立可观察衍射点wR=0.069.此结构中,Re原子处于Si原子所形成的配位畸变八面体中心,这些ReSi6通过共面和共棱形成之字形无限柱,柱之间通过共顶和Si原子的共价成键桥联形成三维网络结构.从此结构和其它相同1∶1∶2配比硅化合物结构的比较可以得出结论,低族过渡金属Mn、Re等倾向于硅的八面体配位,而高族过渡金属Fe、Co、Ni等则倾向于硅的四方锥体配位 相似文献
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