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51.
急性出血坏死性胰腺炎发病急、病情重、发展快.针对病情复杂、易反复、难以护理的特点,制定相应的护理措施,有重点的进行观察,采取及时有效的措施,抓住抢救时机,对并发症观察和预防,抢救成功后进行有计划的身心整体护理,为病人抢救康复全过程制定护理计划,收效令人满意. 相似文献
52.
根据液相反应胶粒析出机理及实验原理,制备了Ba1-xSrxTiO3的前驱体(Ti(OH)4、SrCO3,BaCO3),然后经过焙烧,在较低温度(450℃)时是碳酸钡锶和二氧化钛分子状态的混合纳米晶,继续焙烧(900℃)成为发育完整的Ba1-xSrxTiO3纳米粉体,经TEM和XRD表征,平均粒径为100m,粒径分布较窄,分散性良好,XRD表明此纳米粉体为钛酸钡锶Ba1-xSrxTiO3。 相似文献
53.
54.
【目的】研究不同氮肥施用水平对油用牡丹‘凤丹’(Paeonia ostii‘Feng Dan’)光合特性及籽粒产量的影响,确定合理的氮肥施用方案,为其科学配方施肥提供理论依据。【方法】在自然栽培条件下,试验设置对照组(N_0)和150(N_1)、225(N_2)、300(N_3)、375(N_4)、450(N_5)、525(N_6)、600 kg/hm~2(N7)7个氮素水平,探讨油用牡丹‘凤丹’盛花期光合特性及籽粒产量关键参数对不同氮肥施用水平的响应特征。【结果】与对照组相比,不同氮处理的牡丹光合特性和籽粒产量关键参数均有明显提高,且各处理间差异显著(P0.05)。施用氮肥在N5水平时,‘凤丹’叶片净光合速率、气孔导度、蒸腾速率均达到最大值,较对照分别提高了37.47%、70.06%和32.83%;而胞间CO_2浓度则降低至最小值,较对照降低了11.43%。千粒质量(318.58 g)和单株籽粒产量(41.58 g)均达到最大值,且显著高于其他氮处理(P0.05),较对照分别提高了26.17%和282.16%。【结论】氮肥在N5水平(450 kg/hm~2)时,‘凤丹’光合特性及籽粒产量有大幅提高,450 kg/hm~2尿素为合理的氮肥施用量。 相似文献
55.
56.
为了优化白车身低频频率特性,采用有限元软件对白车身进行模态分析,得到模态频率及振型,有限元结果显示白车身低频频率特性不足,需对其进行优化.优化过程中,采用试验设计软件进行全因子试验,以模态频率为约束条件,以白车身重量最低为目标,量化结构板件尺寸并进行试验验证.结果表明:在车身优化中采用全因子试验技术,可以综合考察板件性能,同时简化优化流程,最终白车身在满足低频模态要求的前提下减重7.8,kg. 相似文献
57.
针对动力锂电池的电压不平衡问题,分析了单体锂电池的充放电特性以及电池组串联的不一致性,在现有锂电池组均衡拓扑的基础上,提出了一种将变压器均衡电路和专用芯片BQ78PL116控制的电感均衡电路相结合的混合主动均衡策略,设计了变压器均衡电路,开发了主控系统软件模块以及主控与专用芯片通信程序等,构成一个具有电池基本信息监控LCD显示、电池保护以及不一致均衡等功能的电池管理系统。通过在静止、放电以及充电状态下由变压器均衡和电感均衡构成的混合主动均衡法与纯电感均衡法的比对实验,证明了混合主动均衡法在均衡调节速度与均衡效率方面的优势。 相似文献
58.
在具有塑性特征的地层中,岩石的塑性变形对水力压裂裂缝形态的影响显著,传统压裂模型大多未考虑塑性对裂缝起裂和延伸的影响。因此,考虑地层岩石弹塑性变形、黏性压裂液流动与裂缝扩展的非线性耦合,建立了弹塑性地层中压裂裂缝扩展的数值计算模型,对弹塑性地层中压裂裂缝扩展行为进行了数值模拟研究,探索塑性变形对裂缝扩展特性的影响。结果表明弹塑性地层裂缝扩展过程中裂缝尖端附近会产生显著的塑性变形,与仅考虑弹性的计算结果相比,压裂地层所需的裂缝扩展压力更高,且形成的裂缝相对更短、更宽。通过数值模拟计算,分析了地层岩石强度、压裂液黏度及注入速率对地层中压裂裂缝扩展的影响,表明地层强度对裂缝扩展行为影响显著,强度越低,塑性变形程度越大,裂缝扩展压力越高,同时裂缝长度越短,宽度越宽。压裂液黏度对裂缝扩展影响相对较小,而在总注入流量相同的情况下,压裂液注入速率对裂缝扩展的影响不明显。 相似文献
59.
采用简单的混合溶剂热、无模板剂的方法,以Eu(NO_3)_3·6H_2O为金属离子源、噻吩甲酰三氟丙酮(HTTA)为有机配体,成功制备了噻吩甲酰三氟丙酮铕配位聚合物(Eu-CP)纳米粒子.用不同手段对合成的产物进行了表征,并对其发光性能进行了研究.通过与聚甲基丙烯酸甲酯混合,以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,采用旋涂法制备了系列不同原料配比的Eu-CP纳米粒子旋涂膜,并对比了它们的荧光强度.探讨了所得旋涂膜的光稳定性以及热稳定性. 相似文献
60.
源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的方法.本方法通过测量固定偏压条件下一个器件的两条线性区I_d-V_(gs)曲线之比,推导出纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻,操作简单,精确度高,避免了推导过程中由沟道迁移率退化引入与器件栅长相关的误差.我们详细研究并选取合适外加偏压条件,保持推导过程中沟道迁移率恒定,确保源/漏寄生电阻值的稳定性.在固定外加偏压条件下,我们提取了45 nm CMOS工艺节点下不同栅长器件的源/漏寄生电阻值,结果表明源/漏寄生电阻值与栅长不存在直接的依赖关系.最后,我们研究了工艺过程和计算过程引入的波动并进行了必要的误差分析. 相似文献