Ti-Si-Al合金的显微组织与滑动摩擦学行为研究

研究了Al元素对Ti-Si共晶合金显微组织和滑动摩擦学行为的影响.结果表明,添加7.3%的Al改善了铸态合金的微观组织,形成了由近等轴状Ti5Si3颗粒增强α-Ti(Al,Si)固溶相的有利形态.Al的加入可同时提高合金的强度、硬度和塑性,从而有效抑制了磨损亚表层裂纹的生长,在磨损表面产生了具有保护作用的机械混合层,从而显著地提高了合金的耐磨性和摩擦稳定性.     

陶瓷厚膜无机电致发光显示器中ZnS∶Mn发光层的优化制备

为了提高陶瓷厚膜无机电致发光显示器的亮度,采用陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层/上绝缘层/透明电极的器件结构系统研究了ZnS∶Mn发光层的制备工艺.结果表明当优化的发光层厚度为600 nm,沉积温度为280℃时制备ZnS∶Mn发光层可以获得器件的最大亮度.在高温500℃退火时,器件的亮度-驱动电压曲线最优.发光层结晶性的改善和Mn 的均匀扩散,使得优化的沉积温度和退火温度制备的ZnS∶Mn发光层具有良好的光电特性.     

论高校素质教育视野中的国防教育

国防教育是高校素质教育的重要组成部分。当前随着高等教育的不断深入,进一步加强学生的素质教育是高等教育面临的重大问题。实践证明,加强国防教育已成为增强学生素质的重要途径之一。     

退火处理对等离子体显示器中氧化镁薄膜特性的影响

研究了电子束蒸发法制备的氧化镁薄膜在退火处理过程中特性的变化.研究表明:退火处理改善了薄膜的结晶性,降低了红外光谱中水分子吸收峰的强度,并使得低温或低通氧气量制备的氧化镁薄膜的可见光透射比下降,且这些薄膜在退火处理中极易产生裂纹.薄膜的结晶取向或结晶性是薄膜可见光谱变化和表面裂纹产生的主要原因,薄膜表面光洁度对可见光谱变化影响不大.     

果胶阿霉素大分子前药纳米传递体系的体外抗肿瘤作用评价

研究果胶阿霉素大分子前药纳米传递体系(PDC-M)的体外抗肿瘤效果与体内药代动力学.用马尔文纳米粒度仪检测了PDC-M在血清中的稳定性,采用溴化四唑蓝比色法(MTT法)评价PDC-M对SMMC7721人肝癌细胞株的体外抗肿瘤作用,采用倒置荧光显微镜观察细胞对药物的摄取过程,采用细胞划痕法和Transwell法分别检测PDC-M对SMMC7721肝癌细胞迁移能力和侵袭能力的影响.结果表明24 h内PDC-M在血清中有较好的稳定性;PDC-M对SMMC7721肝癌细胞的增殖具有明显抑制作用,呈剂量依赖性和时间依赖性,并有一定缓释效果;果胶上的半乳糖可以通过与去唾液酸糖蛋白受体的特异性相互作用来实现主动靶向的作用;PDC-M能够可以抑制SMMC7721肝癌细胞的迁移和侵袭.     

唐昭宗与宁乡沩山密印寺

湖南省宁乡县沩山密印寺前原有一座古亭——御香亭,是专为唐昭宗进香而建设的。唐昭宗于889年春天来过宁乡沩山密印寺,其目的应是祭祀密印高僧香严禅师并感悟治国之道。     

技术联盟协同创新的合作伙伴选择研究

从技术联盟协同创新合作伙伴选择中存在的问题及关键要素展开分析,揭示基于伙伴选择的技术联盟协同创新能力动态提升机理。研究表明,绩效提升和竞合关系是当前技术联盟协同创新合作伙伴选择面临的两大主要问题,知识共享、相互兼容性、主体的能力、承诺等是合作伙伴选择的关键要素,合作伙伴的合理选择能够持续提升技术联盟协同创新能力。     

气膜降温固壁辐射对流空调的模拟研究

以基于科恩达曲面诱导送风在固壁辐射板上形成低温气膜的空调末端装置为研究对象,利用数值模拟方法,分析了气膜的形成机理,气膜与固壁辐射板热交换效果,辐射与对流结合的传热方式对室内热环境的影响。模拟结果表明,经降温除湿处理以290 K送出的空气自出风口至固壁辐射板末端形成了一层良好贴附于辐射板的冷气膜。冷气膜使固壁辐射板降温冷却(平均温度为296.32 K),并通过辐射与室内热源进行热交换;气膜卷吸室内空气,同时吸收辐射板部分热量后温度上升,室内人员区域内平均温度维持在299 K左右,且形成了速度为0.2 m/s以内的空气环流。根据有关设计参数标准,该空调装置能够营造一个较为舒适的热环境。     

物联网移动RFID系统隐私保护方案

为了解决标签携带者和阅读器持有者被恶意追踪与监视以及隐私信息泄漏等问题,设计了物联网移动RFID系统隐私保护方案.该方案采用RFID隐私管理服务系统,在标签与阅读器之间根据标签隐私等级实现单向认证或双向认证,在阅读器与信息服务系统之间采用基于模糊身份加密算法实现匿名访问控制.安全性及效能分析表明,此方案不仅增强了标签携带者的隐私保护,还保护了阅读器持有者的身份隐私,且具有一定的效能优势.     

Analytical Frequency-Dependent Model for Transmission Lines on RF-CMOS Lossy Substrates

Transmission lines (T-Lines) are widely used in millimeter wave applications on silicon-based complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology. Accurate modeling of T-lines to capture the related electrical effects has, therefore, become increasingly important. This paper describes a method to model the capacitance and conductance of T-Lines on CMOS multilayer, lossy substrates based on confor- mal mapping, and region subdivision. Tests show that the line parameters (per unit length) obtained by the method are frequency dependent and very accurate. The method is also suitable for parallel multiconductor interconnect modeling for high frequency circuits.