攀西珍稀濒危植物栌菊木的现状及保护措施

根据实地调查和结合前人研究成果,对栌菊木的形态特征、地理分布、生态环境及其研究现状进行了综述,并分析了目前的状况,提出了保护措施。     

甜菜渣在微生物燃料电池中产电性能的研究

甜菜渣(SBR)是甜菜加工过程中的副产物.由于其较高碳水化合物和低木质素含量,甜菜渣是一种可利用的原料通过微生物燃料电池(Microbial fuel cell,MFC)进行产能.利用未处理和经过酸碱处理的甜菜渣作为阳极底物,对不同的处理下在微生物燃料电池中甜菜渣对电流产生的研究.在未处理、碱处理和酸处理的MFCs中最大功率密度分别为(369±23)、(351±20)、(244±4)mW/m2.MFC产电性能的不同源于处理后底物成分的不同.MFC是一项可行的技术处理甜菜副产物并同步产电.     

从"A Delightful Village"看介词短语主位的篇章功能

“ADelightful Village”是邹为诚主编的《综合英语教程》中的一篇介绍Garrick小镇风貌的文章,全文多处句子采用了介词短语主位的句法形式。本文从功能语法和篇章语言学的理论出发,从信息结构和篇章粘连性的角度结合认知对该篇章中的介词短语主位作深入的分析,发现介词短语主位不仅是篇章结构的要求,同时也是认知的要求和体现,二者的有机结合使篇章整体信息的传达得以实现。     

基于SPCE061A的失真度测试仪设计

文章介绍了一种基于SPCE061A为核心部件的采用快速傅立叶变换来实现对正弦信号失真度测量的失真度测试仪的设计方法.     

优先级动态变化的多地面站数传规划问题研究

多地面站数传规划问题是一个复杂的组合优化问题,目前的研究大都假设各个数据下传任务没有优先级,或优先级固定。考虑数据下传任务优先级动态变化特性,建立了冲突时段约束图模型,提出了基于遗传算法的多地面站数传规划算法。根据模拟的数据进行实验及分析,表明该方法能有效解决多地面站数传规划问题。     

苦荞麦新品种“西荞一号”的选育及利用

采用地方苦荞品种“额洛乌且”作原始材料,用γ射线500Gy 0.1%秋水仙素对其处理后,从其变异后代中按单株选择法选出“西荞一号”新品种,该新品种具有高产、优质、高抗落粒的特性。     

工作流扩展模型及其性能等价分析

针对现有工作流模型表达能力的不足,基于工作流控制模式的最新研究成果,通过扩充和调整得到8种工作流基本控制模式。基于8种工作流基本控制模式,对WFMC定义的4种工作流基本模型进行扩展,得到了合理的、满足封闭性要求的6种扩展工作流基本模型,丰富了工作流模型的表达能力。从统计学角度推导了基于随机Petri网的选择、容错和嵌套模型的性能等价计算公式,给出了一种定量分析工作流模型性能参数的通用方法。     

西藏南部加查-曲松地区碰撞型混杂岩的厘定及其地质意义

根据野外地质调查、大比例尺地质填图、锆石U-Pb年代学和Ar-Ar云母热年代学分析,对西藏南部东特提斯喜马拉雅加查—曲松地区的晚三叠世复理石建造中混杂岩的物质组成和构造变形特征进行精细解剖,探讨这套混杂岩的属性。结果显示加查-曲松混杂岩带主要由晚侏罗世—早白垩世变质基性岩块和晚三叠世复理石基质组成,早期顺层剪切作用和晚期纵弯叠加改造作用对应的变形时间分别为～59.5 Ma B.P.和56～55 Ma B.P.。结合区域地质背景,确定加查-曲松混杂岩为碰撞型混杂岩,认为其代表中古新世—早始新世期间印度被动大陆北缘向欧亚大陆之下俯冲过程中伴随的早期陆-陆碰撞作用的产物。始新世初期,印度被动陆缘的持续俯冲引发了印度-欧亚大陆板块发生了同碰撞作用。     

利用热致延迟荧光材料提高InP/ZnS无镉量子点发光二极管的性能

充分利用三重态激子是提高发光器件效率的重要途径.磷光材料和热致延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence, TADF)均可以实现对三重态激子的利用.然而,目前在量子点发光二极管中,采用TADF材料来实现对三重态激子的利用进而提高发光效率的工作还很少.本文采用了TADF材料4,5-二(9-咔唑基)-邻苯二腈(2CzPN)掺杂聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)(1:5)作为空穴传输层(hole transporting layer, HTL),制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:2CzPN/InP/ZnS QDs/ZnO/Al的量子点发光器件.结果表明, 2CzPN的引入可以提升器件的空穴传输效率,使注入的电子和空穴趋于平衡;同时,通过2CzPN中的反系间窜越过程实现了对三重态激子的利用,并通过HTL和量子点InP/ZnS之间的F?rster能量转移过程提高了InP/ZnS无镉量子点发光二极管的效率,使其最大发光亮度达到513 cd/m2.相比未掺杂控制器件的最大发光亮度(407 cd/m2),实现了26%的增长.同时,使得最大电流效率较未掺杂控制器件提高了4倍,增加到1.6 cd/A.