石灰炉炉内过程数值仿真

运用物料平衡和能量平衡关系,建立了石灰竖炉炉内反应与传热过程的数学模型与计算方法;利用现场检测和测定的各种参数,针对某厂4m×2lm(直径×高)石灰竖炉的炉内过程进行了具体的数值仿真计算与优化,研究了各操作参数对石灰石煅烧过程的影响规律;并据此提出,该石灰炉的最优操作条件为焦比0．075～0．078,空气过剩系数1．05～1．10,下料量15～18t／h;在此条件下,预热带、反应带、冷却带"三带"的长度比将接近211的最佳结果．     

铁锰催化剂的还原

应用程序升温还原(TPR),x-射线行射(XRD)和热分析技术,对共沉淀铁锰催化剂的还原性能及不同还原阶段催化剂的体相组成进行了探讨,结果表明:锰对铁的还原性能有促进作用,铁锰在还原过程中发生了相互作用,形成尖晶石结构。     

用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触

研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10~(18)cm~(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400～460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10~(-6)·Ω·cm~2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好.     

MeV硅离子注入砷化镓的两步快退火

报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350～450℃),长时间(20～30 s)退火和高温(970～1050℃),短时间(1～2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30％,迁移率为2400～2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42～46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。     

极量运动疲劳的研究

本文通过观察与分析极量运动疲劳时某些生理指标的变化,说明过性极量运动外周疲劳的发生机制可能首先不在中枢,而是在外周。     

高T_c超导体Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y中无公度调制结构的X射线旋进照相观察

几年来,一系列研究结果报道了X射线、电子和中子衍射以及透射电镜等观察Bi系高温超导材料中不同调制的无公度结构;但常规处理的Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_(2n+4)超导材料往往存在二、三个超导相,其T_c分别为20K,85和110K的2201相(n-1),2212相(n-1)和     

化工流程网络拓扑的有向割集法分隔

本文研究了化工流程网络的拓扑分析,指出系统分隔的实质是建立序贯有向割集。用节点扩充检验得到不可分块的分割算法,以存储量小速度快的特点实现微机环境下的流程网络自动分隔,为通用流程模拟程序自动生成提供了关键技术。     

大豆自花授粉后外源DNA导入技术的验证

以花生DNA为供体,大豆为受体,在大豆自花授粉后,采用液滴法和注射法导入花生DNA,在受体大豆植株后代中获得了多种变异类型。为探讨外源DNA 导入技术的可靠性,将具有卡那霉素抗性基因的质粒pCaMVneo 用同法导入大豆。所收获的种子发芽后培养于一定浓度的卡那霉素溶液中,其中部分植株对卡那霉素表现抗性,可继续生长发育。分株提取这些植株的DNA,以质粒DNA 为探针,进行斑点杂交.供试的14个植株中出现了13个阳性斑。实验结果证明质粒DNA 已整合到大豆基因组中并获表达,从而间接地证实了授粉后通过花粉管通道导入外源DNA 的技术是可靠的。     

一类非线性四阶两点边值问题

研究一类非线性四阶常微分方程两点边值问题,得到一个存在唯一性定理。