狄拉克对物理学的主要贡献

论述了狄拉克(P.A.M.Dirac,1902-1984)在量子力学、量子电动力学、相对论性电子理论和反物质理论等4方面作出的贡献,以缅怀他光荣伟大的一生以及为科学而献身奋斗的高尚品德。     

螯合态多元复合微肥在三七上的应用

应用螯合态多元复合微肥(块根鳞茎型)对不同海拔、不同气候特征的三七开展试验,结果显示:施用该肥后能够提高三七的存苗率,并能够明显提高三七一、二级种苗的比例,600倍液时一、二级种苗比例比对照相应种苗比例提高8.65%,在同一浓度条件下随着海拔的增加,施用效果有逐渐降低的趋势;施药的鲜三七产量都比对照高,最高的浪桥点的600倍液处理比对照增产了1.025 kg,同一试验点内小区的产量随着使用浓度增加而有所增加.     

RC文氏桥振荡器研究

依据RC选频网络的幅频特性和RC文氏振荡器原理，成功地用3DG6晶体三极管、3DJ6结型N沟道场效应管和集成电路LM324做成了实用的RC文氏桥振荡电路，经测试波形非线性失真小于1%，幅度稳定，将被应用在电子测量学生实验中。     

Ultra-low Power CMOS Front-End Readout ASIC for Portable Digital Radiation Detector

An ultra-low power complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) front-end readout ASIC was developed for a portable digital radiation detector.The ASIC having a charge sensitive amplifier and a semi-Gaussian pulse-shaper was produced using the CSMC 0.5 μm DPDM process.The ENC noise of 363 e at 0 pF with a noise slope of 23 e/pF complies with the stringent low noise requirements.The peaking time was 250 ns at a 100 mV/fC conversion gain(detector capacitance is 20 pF).By operating this front-end readout ASIC...     

与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求;阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.     

基体材料对蜂窝结构抗爆炸冲击性能的影响分析

为了研究不同结构形式的蜂窝芯层的基体材料对其防护性能的影响,通过Hypermesh软件建立了爆炸冲击载荷下的仿真分析模型,比较了不同基体材料下蜂窝结构背板吸能占比、背板的动能特性以及面板背板的最大变形量,通过三者的加权评估,找到了不同结构形式下的蜂窝芯层最优基体材料。研究结果表明:面内蜂窝结构下,基体材料H14抗爆炸性能最优。异面蜂窝结构下,基体材料Q235的抗爆炸性能最优。     

回心草的化学成分及药理作用研究

回心草广泛用于治疗心脏病,是我国少数民族民间共用的传统草药。通过对治疗心脏病的民间药方主要用药分析,研究了其药方主要组成药物的化学成分及药理作用,认为民族药治疗心脏病可以辨证施治、标本兼治,有着西医无法比拟的优势。     

PLC在电工学实验中的应用

利用日本立石(OMRON)公司生产的C20p型PLC，设计了三个PLC在电工学实验中的应用，给出了控制梯形图、程序及输入、输出接线图．     

我国高新技术产业发展的现状与政策措施

介绍了我国高新技术产业发展的现状及特点，分析了产业发展中存在的问题，提出了进一步推动高新技术产业发展的政策措施。