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31.
石墨直接转化为金刚石的微观机理认为,石墨晶体并不需要拆散成单个原子,就可以整体地转化成金刚石晶体。在一般磨料级生产的工艺中,石墨转化成金刚石的主要方式是直接转变。因此,选用石墨化程度高、晶粒大、晶形较完整缺陷少的石墨,将有可能合成晶粒较大、晶形较好、强度较高的金刚石。本文从实验上证实了这种对应关系,并由此提出提高粒度和强度的一个途径。 相似文献
32.
1973年吉林省电子局根据本省需要,组织有关方面设计了一台体积小、成本低、稳定性好的适合于银行、财贸系统使用的台式电子计算机。本文对该机的逻辑设计作简要介绍。 相似文献
33.
化学除草是实现农业四化的重要内容,可以促进农业机械化进程;节省劳力,加速农田水利化;增加施肥效益,提高农作物产量;也是促进农业全面发展的重要措施。化学除草剂中的三嗪类除草剂具有杀草谱广、高效、低毒、低残毒等优点。近几年来,国内外普遍重视这类除草剂的发展,如旱田用阿特拉津,西玛津,扑灭津;水田用扑草 相似文献
34.
清华大学焊接专业北化建毕业实践小组 《清华大学学报(自然科学版)》1976,(1)
北京石油化工总厂30万吨乙烯工程是遵照毛主席“独立自主、自力更生”和“洋为中用”的方针,从国外引进的大型成套装置。在工程建设中,有总长达十几万米的管道,采用了十几种不同的金属材料,其中有一种要求在摄氏零下100度使用的钢号为3.5镍的薄壁管材 (试验时所用管壁厚仅7.1毫米,管径200毫米)。放在水平位置上焊接这种薄壁管固定焊口时,需要采取一些特殊的工艺措施。按国外提供的一般工艺规范,达不到低温工作性能的质量标准,而且焊接过程中底层有时出现裂纹。对这项焊接工艺我们还没有成熟经验,因此,能否及时地制定好我们自己的焊接工艺,成… 相似文献
35.
上海复旦大学数学专业二年级《连杆》课题小组 《复旦学报(自然科学版)》1975,(2)
在毛主席的无产阶级教育路线指引下,我们冲破了旧数学专业脱离实际,关门搞“纯数学”的框框,走出高楼深院,来到三大革命运动的第一线。在上海工农动力机厂工人师傅和革命技术人员的帮助下,进行了6105Q 车用柴油机第三轮设计中连杆组合件强度和刚度的计算和分析。在“教育必须为无产阶级政治服务,必须同生产劳动相结合”的金光大道上迈出了可喜的一步。 相似文献
36.
为研究血管局部狭窄对血流的影响,本文讨论如下的模型:圆球沿充满流体的无限长锥形管道的轴线移动引起的轴对称Stokes流动。将流函数按Sampson一般解展开成无穷级数,系数用配置法由边界条件确定,为克服线性代数方程组的“病态”,适当少取级数部份和的项数,同时增加锥面上配置点的个数,采用最小二乘法及修正Gramm—Schmidt正交过程求解,对若干算例给出了阻力系数的数值计算结果并画出了相应的曲线。 相似文献
37.
北京大学《MOS串联存贮器》毕业实践小组 《清华大学学报(自然科学版)》1975,(2)
前言 近年来,金属──氧化物──半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS-11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个多月的时间内,我们完成了以下几项工作: 1.MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试; 2.外围电路的设计与定型; 3.宽行打印机的逻辑设计; 4.模型实验及稳定性的初步考验。 一、MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试 1.DVJ-D40集… 相似文献
38.
北京大学《MOS串联存貯器》毕业实践小组 《北京大学学报(自然科学版)》1975,(2)
前言 近年来,金属——氧化物——半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS——11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个 相似文献
39.
清华大学机械厂工人理论小组 《北京大学学报(自然科学版)》1975,(2)
序 【原文】 天覆地载,物数号万,而事亦因之,曲成而不遗,豈人力也哉?事物而既万矣,必待口授目成而后识之,其与几何?万事万物之中,其无益生人与有益者各载其半。世有聪明博物者,稠人推焉,乃枣梨之花未赏,而臆度楚萍;釜(?)之范鲜经,而侈谈莒鼎。画工好图鬼魅而恶犬马,即郑侨晉华,豈足为烈哉! 相似文献
40.
清华大学可控硅电源装置研制小组 《清华大学学报(自然科学版)》1975,(1)
可控硅技术用于等离子电弧这样一类负载上,有一个很重要的问题:在等离子电弧起动时出 现冲击电流过大,如不设法解决,将会影响等离子发生器的正常工作。为此,需要采取一定的措 施来限制它。本文主要分析:1.可控硅装置用于等离子电弧供电时冲击电流产生的原因、改善的 方法和试验结果;2.陡降特性的获得。另外,简要介绍了高频引弧装置。 相似文献