一类线性函数方程的解析解

在文献[1],[2]中指出,一类双曲型方程(组)的某些定解问题,最后归结为线性函数方程 f(x)=(?)a/f(α/x)十h(x) (1)的求解问题。其中f(x)是未知函数,h(x)是已知函数。文献[1]—[4]分别讨论了方程(1)的连续解、样条函数逼近解和解析解,得到了很好的结果。1964年G. MAJCHER讨论了更广泛的线性函数方程     

有机同系物光电子能谱的一个递变规律

该文对有机同系物的同系线性规律进行了探讨,提出了一种有机同系物光电子能谱递变规律,其表达式为:p=a+b{(n-k)/[(n+t)+1]}用有机共轭体系和非共轭同系物的光电子能谱数据对该线性规律进行了验证．     

四甲基苯醌在氯化正丁基吡啶－AlCl＿3室温熔盐中的循环伏安行为

四甲基苯醌在氯化正丁基吡啶－ＡｌＣｌ＿３室温熔盐中的电化学行为，和室温熔盐的酸碱度有关，在碱性熔盐中，四甲基苯醌以不络合的形式存在，电极上的还原过程是一个ＥＣＥ过程；在酸性熔盐中，形成络合物ＴＱ（ＡｌＣｌ＿３）＿ｍ，络合数ｍ为１，２，３，随熔盐酸度变化，此外，醌类物质芳香环上的取代基，也影响其电化学性质。吸电子基团使还原电位正移，推电子基团使还原电位负移。     

H．264视频编码快速运动估计算法研究

快速运动估计算法一直是视频编码技术的研究热点，近年来涌现了许多基于块匹配的快速运动估计算法，包括UMHexagonS及EPZS等算法。视频编码标准H．264已经正式采纳了UMHexagonS算法作为整像素的快速运动估计算法。该算法的运算量相对于快速全搜索算法可节约90％以上，同时能保持较好的率失真性能。EPZS算法在运算速度和率失真性能上与UMttexagonS算法大致相近．因此H．264JM10．0官方参考软件也引入了该算法。本文对UMHexagonS算法和EPZS算法进行了介绍，对其特点及性能进行了分析，并作了比较，同时提出了改进UMHexagonS算法的一些意见。     

一类含时滞的广义Logistic模型的Hopf分支

讨论了具有时滞的广义Logistic模型分支周期解的存在性、稳定性及近似分支周期解．用周期函数正交性方法得到了该模型具有Hopf分支的条件及其近似分支周期解的表达式，绘图验证了定理的可实现性，讨论了参数对周期解的周期和振幅的影响．     

基于停电区域电力系统故障诊断的矩阵算法

利用故障诊断数学模型,在深入分析电网故障时保护、断路器状态信息结构的基础上,提出了相应关联矩阵运算方法。并通过一个简单的电网结构图在几种不同的故障情况下的仿真实验,证明了所提出的矩阵算法是正确的。     

温度和pH值对厌氧氨氧化微生物活性的影响分析

研究了温度和pH值对厌氧氨氧化微生物活性的影响,测定了不同温度和pH值时,厌氧氨氧化微生物的活性.结果表明,该微生物的最佳反应温度和pH值分别为30℃和7.80.     

纤维增强陶瓷基复合材料与金属钎焊研究进展

纤维增强陶瓷基复合材料在高温使役性能方面表现出超越传统陶瓷材料的优异性能，与金属的连接构件在航空航天、核能、化工等高温系统中应用潜力巨大。纤维增强陶瓷基复合材料与金属的连接技术被广泛研究，钎焊是实现二者连接的最佳选择。文章重点论述钎焊纤维增强陶瓷基复合材料与金属所面临的挑战和科学问题，列举C_f/C、C_f/SiC和SiO_2f/SiO₂三种研究最为广泛的纤维增强陶瓷基复合材料与金属的钎焊实例，讨论钎料润湿行为、界面反应调控和接头应力调节的最新研究成果。可靠连接技术的发展，将会推动纤维增强陶瓷基复合材料的研究和应用。     

改进的多版本软件扩展表决系统

本文提出了一种改进的扩展表决系统，该系统是利用自动分析表决系统可靠性等参数的工具来构建的。在软件容错中采用N模块冗余(N Modular Redundancy NMR)及N版本编程(N version Programming)，应用表决技术，可以屏蔽整个软件系统中出错的部分。在实践中直接应用理论的表决模型会发现很难得到理论分析的结果。针对这样的问题，本文提出一种基于多数(plurality)的扩展表决系统：使用构造决策树的方法和进行DFT遍历作为自动化的计算工具；通过对基本的多数表决系统进行模型扩展，加入指导性规则对决策树进行重构，以自动计算工具的结果作为参考，从而选择更加可靠的表决结果作为输出。最终的模拟测试表明，所提出的扩展表决系统能够提高系统输出的正确率。     

聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.