内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响

近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN／GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管,激光二极管等．由于存在相分离,在InxGa1-xN／GaN异质结构InxGa1-xN激活层中会通过自组织形成纳米尺度的富In类量子点．这些富In类量子点可以看成是捕获电子     

Au 钝化Si(100)表面的电子特性

近年来 ,在半导体衬底 (如 Si,Ga As)上生长磁性薄膜 ,在基础研究及应用领域引起人们的极大兴趣 .然而 ,由于半导体元素 (如 As,Ga,Si等 )与磁性薄膜层的相互扩散 ,很难得到高质量的薄膜 .在 Si( 1 0 0 )表面吸附 Fe时 ,有 Si扩散到 Fe层生成硅化物 (如 Fe Si,Fe3 Si,α- Fe Si2 ,3 等 ) ,这一现象严重影响了薄膜的磁性 .为了解决这一问题 ,近年来 ,人们开始利用半导体表面钝化技术来阻止这一扩散过程 .就 Si( 1 0 0 )表面而言 ,目前在实验上提出用 S,Se和 B钝化 ,但这些方法导致表面变得粗糙 ,而且不能清楚地反映阻止硅化物形成的…     

关于加强统计物理学方法的教学研究

就热学教学现代化问题中关于在热学课中如何突出统计物理学方法进行了研究,提出具体的思想、方法供大家参考、