“PCAD2000——泵水力设计与绘型软件的研究与开发”项目通过鉴定

“PCAD2000——泵水力设计与绘型软件的研究与开发”项目是原国家机械工业部科技计划项目,已由我校流体中心完成,并于2000年11月19日通过省科技厅组织的鉴定.该项目系统完整,包括离心泵系列、混流泵系列、无堵塞泵系列和轴流泵系列的各种形式的叶轮、导叶和泵体等15个水力设计与绘型模块.其中无堵塞泵(螺旋离心泵、单流道泵和双流道泵)设计软件属国内外首创;诱导轮、空间导叶、双蜗壳和短叶片偏置等模块属国内首次开发. 该软件功能很强,不仅可以设计常规泵,还可以设计各种特殊形式泵的过流部件,有很高的实用性和较高的设计精度.借助该软件设计的泵均获了理想效果. 本软件问世十年来,目前日臻完善,已由大连市屏蔽电泵公司和长沙水泵厂等50多家泵厂采用或试用,对提高泵的设计水平,促进泵技术进步起了重要作用,经济和社会效益显著. 鉴定委员会认为该软件内容及功能在国内同类软件中处于领先水平.(科技处梁芝兰)     

浒苔无害化处理及资源化利用

自2007年,我国黄渤海海域连续8年爆发浒苔绿潮,对海洋运输、海水养殖及旅游观光造成严重影响.前期浒苔的处理方式主要靠围网拦截、渔船打捞和沙滩人工清理等方式,沙滩严重破坏,处理效率极低,且容易导致浒苔腐烂形成次生灾害.     

DMSO蒸气辅助退火对CsPbBr3钙钛矿太阳能电池性能的影响

钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells, PSCs)因其成本低廉、制备简单、能量转换效率(power conversion efficiency, PCE)高等优点,成为光伏领域的研究热点.其中,全无机CsPbBr₃钙钛矿太阳能电池因其良好的热稳定性、湿度稳定性和载流子传输特性在近年来受到广泛的关注.在利用多步旋涂法制备CsPbBr₃钙钛矿薄膜的过程中, PbBr2与CsBr的反应程度对CsPbBr₃薄膜形貌和相纯度有极大的影响,而CsPbBr₃薄膜形貌和相纯度的改善又对提高器件的PCE和工作长期稳定性具有十分重要的意义.基于此,本文拟通过改善CsPbBr₃薄膜形貌、提高相纯度,以实现电池器件性能的提升.在多步旋涂法的基础上,利用二甲基亚砜(dimethyl sulfoxide, DMSO)蒸气辅助退火技术(solvent vapor-assisted annealing, SVAA),对PbBr₂薄膜进行优化.结果表明,利用DMS...     

软X射线同轴全息实验

“水窗”波段软Ｘ射线非常有利于生物样品的显微成象,软Ｘ射线全息术可以观察自然状态下的生物样品的三维结构。合肥国家同步辐射光源软Ｘ射线光束线使用波带片－针孔线性单色仪从连续波长的同步辐射光中取得准单色软Ｘ射线,针孔用于压缩带宽提高光的时间相干性,同时限制光源的线度提高光的空间相干性。     

河南淇河鲫Carassius auratus的生物学

<正> 淇河发源于山西省陵川县境内,流经河南省林县、淇县,于小河口村入卫河,全长161.5公里,是海河水系的一条三级支流。淇河盛产鲫鱼,当地俗称淇河鲫。淇河鲫产量很高,为淇河的主要经济鱼类之一,其肉味鲜美,营养丰富,甚为人们所喜爱。我国《诗经(毛诗)》中曾有“藋藋竹竿,以钩于淇”的诗句;古诗中还有“以其食鱼,唯淇之鲫”的记载。中国科学院考古研究所,曾经在淇河南面的辉县流璃阁区的战国时代墓中祭器内,发现鱼骨,其     

一类抽象脉冲积分微分方程的解

研究了Banach空间一类脉冲积分微分方程最大解、最小解的存在性及解的存在唯一性．所得结果推广和改进了文[1]的工作．     

分形理论和岩石破碎的分形研究

介绍了分形的基本概念和4种分维数的确定方法,探讨了岩石破碎过程中的分形特征,推导了岩石爆破块度分布和分形维数的关系式,并建立了分维数与爆破参数的关系,从而为爆破参数优化进行块度预报提供了科学依据,为岩石破碎理论的研究提供了新的途径.     

基于删失数据的广义Pareto分布的Bayes分析

研究对于删失数据的广义Pareto分布的Bayes分析。在几种损失函数下,给出了未知参数的Bayes估计,并给出了一种算法。     

关于水玉霉合成培养基的研究初报

<正> 一般说来,水玉霉在人工合成培养基上不易正常生长。从1952年开始,含有特种生长因子(growth factor)的合成培养基就被用来培养水玉霉。Page(1952、1959、1960、1962)、Hesseltine(1952、1953)、Pidacks(1952)、Neilands(1952)等人先后用他们自己制备的合成培养基培养水玉霉,虽然都能使水玉霉生长,但它们的孢子囊多少有些发育     

Cu/Ni多层膜的电阻与位错

采用电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu／Ni多层膜（CLI及Ni单层厚度均为5nm）的室温电阻率及平均位错密度随对层（bilayer）层数的变化规律．结果表明,随层数增加,电阻率及平均位错密度减少;多层膜电阻率大于单层膜电阻率;单层膜电阻率大于同质块状体的电阻率．并对其微观机制进行分析．