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171.
全国政府系统政务信息化培训班小组 《信息化建设》2007,(4):51-52
阳春三月,西子湖畔,2007年第一期全国政府系统政务信息化培训班第一组学员在小组讨论会上对电子政务建设进行了深入而广泛的讨论。 相似文献
172.
173.
上海向明中学创明小组 《科学24小时》2004,(2):25
“磁体的磁极分布是由其几何形状所决定的”?有些物理参考书上讲:各种形状的磁性材料的磁极是由它们的几何形状所决定的,例如条形、环形、蹄形、柱形磁性材料的磁极都在它们距离较远的两端,这种说法是不对的,请看实验一:器材:非常规磁条、方磁塑片、方孔磁塑片。步骤:(1)将磁条的两端相互接触,将磁条两面相互接触。(2)将磁环两端面相互接触,将磁环两端侧面相互接触。结果:(1)N极与S极在磁条的两侧面上,如图(a)。(2)N极与S极在磁环侧面圆周的某一位置上。端面之间有可能有相互作用,如图(b),也有可能无相互作用。结论:磁极分布与磁体的几何… 相似文献
174.
西藏羊八井国际宇宙线观测站超高能γ天文研究藏大小组 《西藏大学学报》1993,(1)
1983年,西德kiel大学根据他们阵列多年数据分析,认为Cygx—3方向有能量为2×10~(15)~10~(16)ev的超高能(UHE)γ辐射,同年得到Leeds实验组的证实;澳大利亚的Adelaide大学次年又在南天探测到Velax—1的能量为10~(15)ev的超高能γ射线。这样在全球宇宙线界掀起了探测γ射线源的热潮。于是中日学者为此专门在羊八井建立了一个观测站。在北半球最佳观测星体为Cygx—3,Herx—1的Clab Nebula等星体,由于羊八井的显著的地理优势,本文所报道的实验结果将引人注目。文章除详细地介绍世界各阵列探究γ点源的最新进展外,首次在国内公开报道羊八井观测站的几个最新结果。 相似文献
175.
上海向明中学创明小组 《科学24小时》2002,(10):22-23
走钢丝演员如何保持平衡?我们在一些杂志中看到不同的解释。为了使学到的物理知识能够具体应用,正确地剖析走钢丝的力学原理,在黄曾新老师的指导下,我们走访了杂技演员及他们的老师。通过调查与研究,我们了解到走钢丝的方法有多种,并不是用单一的原理就能解释的。 相似文献
176.
山东大学光学系YAG小组 《山东大学学报(理学版)》1975,(2)
掺钕的钇铝石榴石单晶是一种优良的激光工作物质,近年来得到了国内外的普遍重视,因而发展迅速,成效显著,Nb~( 3):yAG晶体的激光效率与晶相中含钕量有直接关系,在一定钕浓度范围内,晶相中含钕量愈高,晶体的激光效率也愈高。但是由于晶体结构上的原因,钕离子掺入yAG晶体中的浓度很低,国外晶相中含钕量一般在1.3 相似文献
177.
北京钢铁学院铸工教研组液体轧制小组 《北京科技大学学报》1960,(4)
用液轧方法来获得铁板或板坯,需进行下列几个方面的工作:鉄水的获得及处理、金属的浇注,轧制和热处理。我们把这几方面的工艺总称为液轧工艺。 (一)鉄水的获得及处理 为了满足对铁板性能上的某些要求,在铁水的化学成分上,要为此创造必要的保证条件。对于要求铁板磁性较好,在化学成分上的考虑原则是:低碳、高矽、硫磷尽量的低、锰 相似文献
178.
引言 采用硅栅N沟道工艺,制造千位以上的快速大容量的MOS在贮器,被认为是一个比较好的方案。因为硅棚N沟MOS器件兼有其它工艺诸如:铝栅P沟道、硅栅P沟道、铝栅N沟道等工艺的优点。这是因为: 第一,N沟道电子迁移率比空穴大三倍多,因而同样几何的N沟道器件的跨导比P沟道大得多,另外硅栅自对准工艺,能减小寄生电容,因而硅栅N沟道器件有较快的速度。 相似文献
179.
重有机合成专业顺丁烯二酸酐小组 《大连理工大学学报》1958,(3)
以糠醛为原料,在以柱形铝粒力载体的V2O5—M0O3—Fe2O3—P2O5催化剂上进行了 固定床直接气相催化氧化以制备顺丁烯二酸酐,催化剂先在340°活化48小时。当在330°, 1立升催化剂上容气量力40立升/分,糠醛进料量为30—40克/小时 时,糠醛转化率为 90%,单程收率为61—65%(如按反应的糠醛重量算收率力82—87%,催化剂生产能力 为20-25克/立升催化剂小时,催化剂的寿命在1000小时以上,均能满足工业生产要求。 此外还对水气的影响,反应诱导期、反应中途冷却及催化剂的再生等进行了考察。作者还进 行了以浮石力载体的试验,其收率比用小铝柱的约低15%,也进行了以浮石力载体的沸腾床 中的试验,其收率一般均比固定床中为低。 相似文献
180.
北京大学电子仪器厂半导体专业研制小组 《北京大学学报(自然科学版)》1977,(1)
我们小组遵照毛主席“中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平”的教导,怀着必胜的信念,在兄弟单位大力协同下,于去年三月研制成功了硅栅N沟道1024位MOS随机存贮器。 相似文献