西藏南部羊应乡后碰撞火山岩40Ar/39Ar年龄及其地质意义

通过西藏羊应乡地热田4个高钾火山岩样品进行的快中子40Ar/39Ar 阶段升温定年结果,并结合其岩石地球化学研究数据,确定该地热田后碰撞火山作用发生在(10.73±0.09)～(11.40±0.11)Ma之间,形成与加厚下地壳,构造环境与岩石圈地幔减薄有关.通过对青藏高原南部冈底斯地区新近纪火山岩同位素年龄的展布的进一步分析,认为后碰撞高钾火山岩在该区广泛存在,并有由西向东逐渐年轻的趋势.     

喀斯特山区坡耕地水土保持型牧草筛选试验研究

根据贵州喀斯特山区坡耕地不同立地条件对牧草的生物生态学特性及水土保持性能的要求,对搜集和引进的27份牧草的生态、社会和经济效益进行了系统研究,并采用模糊评分法对不同牧草进行了综合评分,筛选出了百喜草、皇草、紫花苜蓿、白三叶、球茎草芦、苇状羊茅、一年生黑麦草、鸭茅、百脉根等适宜于贵州喀斯特山区坡耕地种植和养畜利用的优良水土保持型牧草,为贵州喀斯特山区退耕还草、治理水土流失、发展草食畜牧业提供了科学的草种选择依据.     

基于准维多区模型的DME发动机燃烧数值模拟

提出了一种基于准维多区模型的直喷式二甲醚发动机燃烧过程的数值模拟方法,其中喷雾模拟考虑了燃油分布、液滴蒸发和空气卷吸对喷雾混合的影响。自燃着火过程的模拟以二甲醚着火反应机理为基础,建立了计及温度、压力和燃空当量比因索的着火滞燃期数据库,通过将该数据库与准维多区喷雾混合模型相耦合,对二甲醚发动机的性能和一氧化氮排放进行了预测分析．实验结果表明,模拟计算结果与实测数据符合较好．     

跨国公司外包运作的动因——基于扩展的交易成本理论的解释

学术界对跨国企业业务外包的运作机理作了较多的分析。尝试以扩展了的交易成本理论来解释跨国公司外包运作的动因。阐述了中间组织对企业和市场的二分法的超越,从交易成本角度分析了作为中间治理形式的外包存在的因素以及跨国公司外包的动因机理,并对我国争取跨国公司外包业务提出了建议．     

基于神经网络的主动隔振器

将神经网络理论、预测理论及最优控制理论引入振动控制工程领域,提出了一种基于ＢＰ网络的主动控制方法．给出了该方法中神经网络的学习算法、模型辨识和预测公式及最优控制指标的选择原则．分析了它在建模和控制方面所具有的特点．经计算机仿真表明,该方法控制效果优于机械隔振和ＰＩＤ主动隔振,是行之有效的     

基于三阶段SE-SBM模型的产学研协同创新效率演化研究

基于企业行为理论,结合冒险动机与破产压力两个过程因素,分析经营期望落差与企业创新投入的关系,并讨论CEO不同激励机制对上述关系的调节作用。采用2007—2019年中国民营上市企业数据,结果表明:民营企业经营期望落差与创新投入水平存在倒U型关系,即创新投入水平先随落差增加而增大,到达拐点后下降;CEO即时激励增强了经营期望落差与创新投入水平的倒U型关系,而CEO远期激励削弱了经营期望落差与创新投入水平的倒U型关系。研究揭示了民营企业经营期望落差与创新投入水平的内部机理,完善了企业行为理论的研究内容,同时也为企业经营发展和内部治理提供了实践指导。     

缅甸芒果品种引种试种与筛选研究

通过在广西田阳县引种缅甸芒果水英达芒、帕拉英达芒、阿某芒、马帅芒、新德隆芒等5个品种，经过7年的试种观察，试验结果表明，连续5年平均666．7m^2产量最高是帕拉英达芒1464．3kg，其次是水英达芒1165．05kg、新德隆芒1052．55kg、阿某芒666．9kg，最低是马帅芒360．9kg；果实可溶性固形物含量分别为帕拉英达芒20％、马帅芒20％、水英达芒19．1％、新德隆芒18％、阿某芒14%；果实可食率分别为水英达芒81．9％、帕拉英达芒81．7%、阿某芒80．1％、马帅芒73．4%、新德隆芒72．7%。经综合评比，帕拉英达芒、水英达芒产量及综合品质优于其它5个品种，选为适于广西自治区栽培的优质、高产，抗病、耐贮运，商品性状好的优良品种。新德隆芒和马帅芒产量较高，而且品质较好，可适当发展种植。     

缩小贫富差距 构建社会主义和谐社会

在用数据说明我国目前贫富差距的主要表现的基础上,分析贫富差距扩大的原因及危害,提出缩小贫富差距、构建社会主义和谐社会的对策:加快发展经济,拓宽就业渠道;调整收入分配结构,建立合理收入分配机制;扩大中等收入者比重,提高低收入者水平;建立健全社会保障体系,扩大社会保障覆盖面。     

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能

利用外延片焊接技术, 把Si(111)衬底上生长的GaN 蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上. 在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后, 制备了垂直结构GaN 蓝光LED. 与外延材料未转移的同侧结构相比, 转移后的垂直结构GaN 蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善, 光输出功率显著提高. 垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小.