化学革新的一条道路——二十一世纪是化学的时代

这里选译四篇文章,目的在于向大家介绍国外对化学的未来所进行的科学预测和展望。就化学领域本身来说,它和能源、物理学、医药、生物学等互相渗透、出现了崭新的局面。所以,有的日本学者认为“新的化学和化学工业的时代将于二十一世纪到来”。这几篇译文从一个角度反映了化学的未来概貌,值得一读。     

双齿配位体八配位镧系元素配合物的结构化学研究——Ⅲ.[C_4H_9O]~ [Ln(S_2CNC_4H_8)_4]~-(Ln=Pr和Sm)的合成和结构

镧系元素配合物[C_4H_9O]~ [Ln(S_2CNC_4H_8)_4]~-(Ln=Pr和Sm)是从LnCl_3和NH_4(S_2CNC_4H_8)在THF中反应45h而得到的。[C_4H_9O]~ [Ln(S_2CNC_4H_8)_4]~-的晶体和分子结构通过单晶X—射线结构分析获得,晶体属单斜晶系,空间群为P2_1/C,单胞参数分别为a=1.2233,b=1.5220,c=1.8308nm,β=98.62°(Pr—配合物);a=1.2208,b=1.5200,c=-1.8352nm,β=98.59°(Sm—配合物),晶体结构是从Patterson和Fou—rier方法解得,并用全矩阵最小二乘法修正,最后偏离因子R=0.057(Pr)和R=0.042(Sm)。两个化合物是属于异质同晶,它们阴离子部分是由Pr和Sm原子和配位体的八个S原子构成扭变的三角形十二面体的配位结构。     

SO(3)群—O群不可约表示基向量的变换系数

在配位场理论研究中,SO(3)群不可约表示基向量ψ_m~1与点群不可约表示基向量ψ_(r)~J之间的酉变换中变换系数S_(m,r)~j的计算,是一个重要又基本的问题。Bethe曾采用球谐函数的Ehlert表示法造出正八面体场中j=1至j=4的S_(m,r)~j系数。Altman应用投影算子     

关于低合金结构钢耐海水腐蚀性能评定——线性极化技术应用

采用线性极化技术对几种不同用途的耐海水腐蚀低合金新钢种进行了测量和评选。讨论了化学成分、工艺因素和热处理条件对腐蚀性能的影响。线性极化技术的测量结果与外海掛片数据有更好的相关性。试验结果表明,局部腐蚀指数δ可以作为定性评定低合金钢/海水体系局部腐蚀性能的一种方法。     

一道立体几何题教学的体会

在全日制十年制学校高中数学课本第二册的第五章空间图形(四)空间两个平面5.14两个平面垂直的判定和性质中安排了唯一的一条例题: 已知两条异面直线a、b所成的角为θ,它们的公垂线段AA′的长度为d.在直线a,b上     

ZnS结构类型的半导体化合物禁带宽度变化的规律

Pearson,Suchet,Manca等曾应用结构化学的参数讨论了本征半导体的禁带宽度的变化规律及其与物理化学性质的联系,这些研究工作都是很有意义的,在这些研究工作的启发下,本文作者试图以周期律为指导,探求具有ZnS结构类型的本征半导体化合物的禁带宽度变化的规律,并提出了一个依据化合物中元素在周期表中的位置计算其禁带宽度的经验公式,依此公式所得的计算值与实验值相当符合,但其物理意义则有待于深入探讨.     

脱铝丝光沸石吸附性质的研究

用水蒸汽热处理和酸洗交替进行的方法,将丝光沸石脱铝以提高沸石的硅铝此,制得了一系列不同硅铝比的脱铝丝光沸石样品,用化学分析X衍射、电子显微镜、高真空吸附、热谱法对所得各样品进行研究,结果显示出:脱铝丝光沸石随脱铝次数增多,其憎水性明显增加,与此同时,其晶胞参数也随硅铝比的增加而减小,但在脱铝到第4—5次时,即硅铝此约为50左右时,吸附容量和晶胞常数都发生突变。说明丝光沸石随着脱铝过程的进行,不但形成三Si—O—Si三键,而且还说明了在此过程中,丝光沸石的结构发生了重排。我们认为脱铝丝光沸石对水的吸附容量的降低,主要不是由于在脱铝过程中形成了无定形的硅酸盐所引起的,而是丝光沸石在脱铝过程中形成憎水的Si—O—Si键,晶胞收缩和结构重排都是引起吸附性质改变的主要原因。     

可编程的VXI总线消息基接口芯片设计与实现

本文介绍了用大规模可编程逻辑器件设计和实现ＶＸＩ总线消息基接口芯片。该接口芯片具有中断ＲＯＲＡ、Ａ１６／Ｄ１６、Ａ２４／Ｄ３２及块传输能力,传输速率高达２０ＭＢ／ｓ。由于采用可重配置可编程逻辑器件,故很易实现ＶＸＩ总线Ａ３２／Ｄ３２的能力。